Двухтактный импульсный усилительМОщНОСТи Советский патент 1981 года по МПК H03K5/02 

Описание патента на изобретение SU830641A1

(54) ДВУХТАКТНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

Похожие патенты SU830641A1

название год авторы номер документа
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 1997
  • Галактионов Л.Г.
  • Мутылин С.И.
  • Шафиркин В.В.
  • Салов А.С.
  • Галактионов М.Л.
RU2121748C1
Транзисторный инвертор 1990
  • Чудаков Владимир Серафимович
SU1757069A1
Транзисторное устройство формирования импульсов 1980
  • Рутштейн Арнольд Максович
  • Кожевников Борис Яковлевич
  • Помалюк Владимир Николаевич
  • Гладких Василий Иванович
SU938350A1
Двухтактный преобразователь постоянного напряжения 1984
  • Петров Владислав Васильевич
  • Кашкаров Алексей Михайлович
  • Гавриленко Виктор Яковлевич
SU1224933A1
Преобразователь напряжения 1981
  • Дмитриков Владимир Федорович
  • Сороцкий Владимир Александрович
  • Титов Валерий Вячеславович
  • Лисенков Анатолий Алексеевич
  • Ростовцев Александр Григорьевич
  • Петяшин Николай Борисович
SU997209A1
Устройство для стабилизации импульсного тока нагрузки 1986
  • Вересов Леонид Николаевич
  • Горелов Игорь Иванович
  • Уманский Виктор Семенович
SU1352472A1
Генератор импульсов 1980
  • Шершунов Александр Павлович
SU875595A1
Двухтактный транзисторный преобразователь напряжения 1989
  • Фокин Иван Александрович
SU1713058A1
Стабилизированный инвертор 1981
  • Захаров Валерий Васильевич
SU964908A1
Генератор импульсов 1979
  • Шершунов Александр Павлович
SU830638A1

Реферат патента 1981 года Двухтактный импульсный усилительМОщНОСТи

Формула изобретения SU 830 641 A1

I

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в усилительных устройствах.

Известе двухтактный усилитель мощности, содержащий по два транзистора в каждом из каналов, резисторы, источник питания 1.

Недостатком данного устройства является его низкий КПД.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является двухтактный импульсный усилитель мощности, содержащий входной и выходной трансформаторы, в каждом из каналов коммутирующий транзистор, база которого через последовательно соединенные первый резистор и диод подключена к вторичной обмотке входного трансформатора, эмиттер через второй резистор соединен с базой, коллектор подключен к первичной обмотке выходного трансформатора, источник питания, третий и четвертый резисторы 2.

Недостатком данного устройства является его сравнительно низкий КПД.

Цель изобретения - повышение КПД устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в двухтактный импульсный усилитель мощности, содержащий входной и выходной трансформаторы и два канала усиления, каждый из которых состоит из коммутирующего транзистора, база которого через последовательно соединенные первый резистор и диод подключена к вторичной обмотке входного трансформатора, эмиттер через второй резистор соединен с базой, коллектор подключен к первичной обмотке выходного трансформатора, источник питания, третий и четвертый резисторы, в каждый канал усиления введены дополнительный транзистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к эмиттеру коммутирующего транзистора, другая обкладка через третий резистор подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора, а через четвертый резистор - к базе дополнительного транзистора, коллектор которого соединен со вторичной обмоткой входного трансформатора, а эмиттер -

с базой коммутирующего транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.

Устройство содержит коммутирующие транзисторы 1 и 2, трансформаторы 3 и 4, дополнительные транзисторы 5 и 6, резисторы 7-10, конденсаторы 11 и 12, диоды 13 и 14. Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии при отсутствии напряжения возбуждения на входе трансформатора 3 коммутирующие транзисторы 1 и 2 закрыты. Пусть фазы напряжения возбуждения на вторичных обмотках входного трансформатора 3 действуют на диоды 13 и 14 по отношению к эмиттерам коммутирующих транзисторов 1 и 2 таким образом, что диод 13 закрыт, а диод 14 открыт. Это приводит к тому, что, с одной стороны к базаэмиттерному переходу коммутирующего транзистора 2 приложена запирающая фаза полуволны периода напряжения возбуждения и он закрыт, с другой стороны, отпирающая фаза полуволны периода напряжения возбуждения поступает на вход коммутирующего транзистора 1 с временной задержкой, определяемой параметрами постоянной времени: резистором 7, конденсатором-11. Таким образом, варьируя величинами резистора 7, конденсатора 11 и аналогично - 9 и 12, можно обеспечить необходимую временную задержку, а величинами резисторов 8 и 10 задать необходимый базовый ток коммутирующих транзисторов 1 и 2 и соответственно значениям их коэффициентов усиления по току. В результате транзисторы 5 и б образуют генераторы тока, которые вырабатывают строго определенные значения импульсов тока управления независимо от изменения амплитуды напряжения возбуждения с выбираемой (регулируемой) временной задержкой. Значение временной задержки выбирается из условия исключения токов перекрытия в коммутирующих транзисто pax 1 и 2, обуславливаемых временем рассасывания неосновных носителей в их базах. Таким образом, можно осуществить такую регулировку работы импульсного усили-теля, в результате которой исключаются токи перекрытия и существенно корректирует-; ся несимметричный режим работы выходного трансформатора и при нестабильном напряжении питания и изменении выходной мощности от полного сброса до максимального ее значения. Формула изобретения Двухтактный импульсный усилитель мощности, содержащий входной и выходной трансформаторы и два канала усиления, каждый из которых состоит из коммутирующего транзистора, база которого через последовательно соединенные первый резистор и диод подключена к вторичной обмотке входного трансформатора, эмиттер через второй резистор соединен с базой, коллектор подключен к первичной обмотке выходного трансформатора, источник питания, третий и четвертый резисторы, отличающийся тем, что, с целью повыщения коэффициента полезного действия, в каждый канал усиления введены дополнительный транзистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к эмиттеру коммутирующего транзистора, другая обкладка через третий резистор подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора, а через четвертый резистор - к базе дополнительного транзистора, коллектор которого соединен со вторичной обмоткой входного трансформатора, а эмиттер - с базой коммутирующего транзистора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Модель А. 3. Транзисторные генераторы развертки. М., «Энергия, 1974, с. 99, рис. 3.16. 2.Авторское свидетельство СССР № 320035, кл. Н 03 К 5/02, 14.02.70.

SU 830 641 A1

Авторы

Шершунов Александр Павлович

Гулякович Георгий Николаевич

Душин Анатолий Дмитриевич

Даты

1981-05-15Публикация

1979-07-10Подача