Стекло Советский патент 1981 года по МПК C03C3/16 C03C3/18 

(54) СТЕКЛО

1

Изобретение относится к стеклообразным неорганическим материалам и может быть использовано в электрохимических батареях в качестве анионопроводящего твердого электролита для изготовления-ионоселективных мембран обратимых по отношению к растворам с различным содержанием в них анионов фтора, а также в ряде областей техники, где необходимы неорганические материалы с преимущественной аноинной проводимостью по фтору.

Известно стекло 1, включающее, вес.%г

Ва(РОз)а35,7-49

MgFo.0,1-12,2

BaFi20.,4-48.,4

СаСЦ0,1-19,9

Данное стекло отличается высокой химической устойчивостью (1-й ги.Щ)олитический класс), значительным числом переноса по хлору (0,3-0,8), высоким удельным электросопротивлением (10 ом -см) .

Наиболее близким к изобретению является стекло 2 с анионной проводимостью по фтору, включающее, вес.%

Ва(РОз)

MgFa14,7-17,4

Указанное стекло имеет число переноса по фторид-иону, достигающее 0,8,

Однако известное стекло обладает недостаточными величинами числа переноса по фтору.

Целью изобретения является увеличение числа переноса по фтору.

Поставленная цель достигается тем, что стекло, включающее Ва(РО.з),, МдР-з, содержит компоненты в следующем соотношении, вес.% s

Ва(РО)/,67,1-73,65

МдГо. 26,35-32,.9

предлагаемые стекла имеют температуру варки 1250-130С.°С; плотность 3,639-3,684 г/см ; удельную электропроводность при 30 Ос -1д6зоо 10,85-11,55; число переноса по фтоРУ 0,95 - 0,98.

В таблице приведены конкретные составы и свойства предлагаемых стекол. Предлагаемое стекло целесообразно использовать в- различных областях техники, где необходимы неорганические материалы с униполярной анионной проводимостью по фтору. Особенно зффективно использование изобретения в качестве анионопроводящих твердых

электролитов в химических источниках, тока, где оно позволяет отказаться

Формула изобретения

Стекло, включающее Ва(РО5)2., MgF,, 20 отличающееся тем, что, с целью увеличения числа переноса по фтору, оно содержит компоненты в следующом соотношении, вес.%

Ва(РОз)дб7,1-73,65 25

MgFa26,35-32,9

от дорогостоящих монокристаллов фторидов.

Источники информации, , принятые во внимание при экспертизе;

2.Халилев В.Д. и др. Об электропроводности и структуре сложных бес-щелочных фторидных стекол. Физика и химия стекла , 1979, т. 5, № 2, с. 188 - 192.