Ждущий мультивибратор Советский патент 1981 года по МПК H03K3/28 

1

Изобретение относится к радиотехнике и может .быть использовано в уст7 ройствах автоматики, телемеханики, / вычислительной и измерительной техники.

Известен ждущий несимметричный мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с источником тока Г1. У такого мультивибратора с целью повышения стабильности длительности импульса и уменьшения времени восстановления эмиттер одного транзистора мультивибратора соединен с обкладкой времязадающего конденсатора, вторая обкладка которого через диод соединена с коллектором, а через стабилитрон - с базой того же транзистора мультивибратора и с коллектором транзистора источника тока.

Стабильность длительности формируемого импульса зависит от начального напряжения на конденсаторе, определяемого падением напряжения на диоде и переходе коллектор-эмиттер разрядного транзистора, эмиттер которого соединен с обкладкой конденсатора, и суммарного напряжения пробоя стабилитрона и перехода база-эмиттер( этого же транзистора.

При изменении температуры окружающей среды, напряжения сильно меняются, причем напряжение база-эмиттер в более сильной степени, так как в момент пробоя стабилитрона, этот переход работает в режиме микротоков.

Все это обуславливает сильную температурную зависимость длительности формируемого импульса. Наличие в це10пи разряда конденсатора только диода и открытого перехода коллектор-эмиттер разрядного транзистора обуславливает малое время восстановления. Однако возникает опасность выхода

15 транзистора из строя вследствие значительных по величине импульсных токов, особенно при больших длительностях формируемых интервалов. Введение токоограничивающего резистора нежела20тельно из-за увеличения начального напряжения на конденсаторе, что приводит к уменьшению длительности импульса, а введение еще одного дополнительного диода в разрядную цепь увеличи25вает температурную нестабильность.

Целью изобретения является повышение температурной стабильности длительности формируемого импульса.

Для этого в )шу1ций мультивибратор, 30 содержащий времязадагэдий конденсатор. разрядный и выходной транзисторы раз ных типов проводимости и источник то ка, введены дополнительный диод, пов торитель, одна обкладка времязадающего конденсатора соединена с анодом дополнительного диода и с выходом по торителя, вход повторителя соединен с базой разрядного транзистора, а ка тод дополнительногодиода соединен с эмиттером разрядного транзистора и подключен к шине питания. В ждущем мультивибраторе повторитель выполнен по схем компенсированного эмиттерно го повторителя на двух транзисторах разного типа проводимости. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема ждущего несимметричного мультивибратора. Мультивибратор состоит из двух транзисторов 1 и 2 разного типа проводимости, резисторов 3-6, развязывающего диода 7 и стабилитрона 8, ус коряющего конденсатора 9 времязадаю щего конденсатора 10, источника тока на транзисторе 11, резисторах 12, .13 и стабилитроне 14, компенсированного повторителя на транзисторах 15, 16, резисторах 17, 18 и дополнительном диоде 19. Мультивибратор работает следующим образом. В исходном состоянии транзисторы и 2 ОТКРЫ5СЫ благодаря импульсу, образуемого пробоем стабилитрона 8, на пряжением заряда конденсатора 10 и наличию цепи положительной обратной связи через резисторы 4 и 5. Потенциал обкладки конденсатора 1 подклоченной к аноду диода 19,. равен потенциалу базы .транзистора 2. Потенциал другой обкладки конденсатора 10 равен сумме падений напряжений на диоде 7 и насЕзпценном транзисторе 2. Разность потенциалов на конденсаторе 10 равна Що I-T l Э2 J6Э2-U)cЭ2TaK как через переход база-эмиттер транзистора 2 и диод 7 протекаю приблизительно равные токи, а транзисторы 15 и 16 повторителя - разного типа проводимости, то и темпера турный дрейф равен температурном дрейфу напряжения который на. два порядка меньше, чем температурныр дрейф обычного р-п-перехода. Пусковой импульс, подаваемый на 6as транзистора 1, запирает его и запускает мультивибратор. Начинается регенеративный процесс - транзисторы 1 и 2 запираются. При этом потенциал на выходе повторителя мгновенно принимает величину, равную потенциалу эмиттера разрядного транзистора. Времязадающий конденсатор 1 начинает заряжаться от источника тока через низкое выходное сопротивление повторителя до величины опорного напряжения, задаваемого стабилитр ном 8 (квазиустойчивое состояние. Надежное запирание транзисторов 1 и I 2 обеспечивается резисторами 3 и 6. В момент начала проводимости стабилитрона 8 при достижении напряжения ни конденсаторе 10 величины, равной напряжению пробоя, вступает в действие петля обратной связи, включающей цепь: база транзистора 2, эмиттер транзистора 15, обкладка конденсатора 10. Изменение потенциала на базе транзистора 15 вызывает точно такое же изменение потенциала обклад ки конденсатора 10. Лавинообразное увеличение тока через стабилитрон 8 заканчивается открытием транзисторов 1 и 2 . Времязадающий конденсатор 10 разряжается через диоды 7 и 19, переход коллектор-эмиттер открытого разрядного транзистора 2. Присутствие второго диода 19 в разрядной цепи незначительно увеличивает время восстановления схемы ввиду малой величины его импульсного сопротивления, в то же время ток разряда ограничивается до допустимых пределов. Так как стабилитрон 8 и конденсатор 10 имеют гарантированный температурный дрейф, подобранный с разными знаками, а начальное напряжение на конденсаторе 10 практически не зависит от температуры, то температурная стабильность формируемого импульса получается очень высокой. Формула изобретения 1. Хдущий мультивибратор, содержащий Времязадающий конденсатор, разрядный и выходной транзисторы разных типов проводимости и источник тока, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности, в него введен дополнительный диод, повторитель, одна из обкладок времязадающего конденсатора соединена с анодом дополнительного диода и с выходом повторителя, вход повторителя соединен с базой разрядного транзистора, а катод дополнительного диода объединен с эми.ттером разрядного транзистора и подключен к шине питания. 2.Мультивибратор по п. 1, отличающийся тем, что в нем повторитель выполнен по схеме компенсированного эмиттерного повторителя на двух транзисторах разного типа проводимости. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 454671, кл. Н 03 К 3/281, 14.10.73 (прототип).

flf-lft-