Фоторезистор Советский патент 1981 года по МПК H01L31/08 

-Изобретение относится к электрони ке и может быть использовано для изготовления фсторезисторов, а также для изготовления приемного элемента в спектроскопии и оптоэлектронных системах автоматики. Известны фоторезисторы, содержащие диэлектрическую подложку, на которой расположены проводящий и фоторезистивный слой и растровые электро ды 1 . . Недостатками таких фоторезисторов являются большое световое сопротивление и низкая .чувствительность. Наибскпее близок к предлагаемому фоторезистор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой последовательно размещены проводящий и фото резистивный слой и растровые электро ды . Недостатком такого фоторезистора является низкая чувствительность. Цель изобретения - повышение чувствительности . Указанная цепь достигается тем, что фоторезисторг содержащий диэлектрическую подложку, на которой после довательно размещены проводящий и фо торезистивные слои и растровые злектроды, снабжен слоем полупроводников го материала, размещенным между фоторезистивным слоем- и проводящим слоем, который электрически соединен с одним из растровых электродов, причем тип проводимости полупроводникового материала противоположен типу проводимости фоторезистивного слоя. Дополнительный .слой полупроводникового материала создает вентильный р-п переход вобласти контакта слоя пол-упроводникового материала и фоторезистивного слоя, имеющий резко выраженную зависимость от освещенности светового потока. На чертеже схематически изображен преда1агаемый фоторезистор. Фоторезистор.содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены проводящий слой 2, слой 3 полупроводникового материала, фоторезистивный слой 4 и растровые электроды 5, один из KOTOjMx электрически соединен с проводящим choeM 2. Фоторезистор работает следующим образом. Световой поток, падая на поверхность фоторезистивного слоя, вызыва ет увеличение его электропроводности. Часть светового потока проходит через полупрозрачный фоторезистивный слой 4и действует на вентильный р-п переход, образованный между фоторезистивным слоем 4 и слоем 3 полупроводникового материала. Световое сопротивление фоторезистора в зависимости от интенсивности светового потока снижается за счет совместного воздействия двух причин: в продольном I направлении цепь замыкается между растровыми электродами 5вдоль фоторезис ианого слоя 4, а в поперечном направлении цепь замыкаетс между проводящим слоем 2 и одним из электродов 5, не имеющим электрического контакта с мим. Наличие вентильного р-п перехода приводит к повышению чувствительности фоторёзистора ,а полупроводникового слоя между проводящим слоем 2 и фоторезистивным сло§м 4 и электрического контакта между проводящим слоем и одним из электродов приводят к снижению светового сопротивления фоторезистора Формула изобретения Фоторезистор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой последовательно размещены проводящий и фоторезистивный слои и растровые электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, он снабжен слоем полупроводникового материала, размещенным между фоторезистивным слоем и проводящим слоем, который электрически соединен с одним из растровых электродов, причем тип проводимости полупроводникового материала противоположен типу проводимости фоторезистивного слоя. Источники информации, принятые во внимание1при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 365736, кл. Н 01 С 7/00, 1970. 2.Патент Англии 1079065,кл. кл. Н 1 К, 1967 (прототип).