Расчетный образцовый конденсатор Советский патент 1981 года по МПК H01G4/00 H01G4/01 

(54) РАСЧЕТНЫЙ ОБРАЗЦОИЛЙ КОНДЕНСАТОР Изобретение относится к электроизмерительной технике,в частности к образцовым мерам емкости. Известен трехклеммный расчетный образцовый конденсатор на основе дв перекрестных емкостей, образованньк четырьмя одинаковыми электродами, /обращенных друг к другу цилиндричес кими поверхностями L1 Недостатком этого образцового конденсатора является то, что краевые электрические поля по торцам конденсатора не нормируются, не учи тываются и не контролируются, что снижает точность емкости образцовог конденсатора. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является расчётный образцовый конденсатор, содержащий три группы электродов 2 Однако известный конденсатор име ет недостаточно высокую точность и сложность процесса юстировки. Цель изобретения - повышение точ ности и упрощение процесса юстировки. Поставленная цель достигается тем, что в расчетном образцовом ко денсаторе, содержащем три группы электродов, каждый из электродов выполнен в форме шара, причем электроды расположены симметрично один относительно другого, На фиг, 1 представлен предлагаемой расчетный образцовый конденсатор; на фиг, 2- то же, вид сверху. Расчетный образцовый конденсатор представляет собой симметричную систему из шести шаров 1-6 равного диаметра, изолированных друг от друга в точках касания изоляционными прокладками 7 одинаковой толщины. Любые два противолежащих шара являются рабочими электродами, остальные заземлены. Электроды в форме шара при существующей технологии можно выполнить с предельной зГочностью и измерить из диаметры с минимальной погрешностью. В данной конструкции электроды образуют три равных перекрестных емкости. Ввиду полной симметрии взаимного расположения одинаковых шаров в такой конструкции автоматически достигается условие равенства всех трех перекрестных частичных емкостей (частичной емкости С,,,; между шарами 1 и 2 при заземлении шаров 3-6- частичной емкости C,v, 4 Ри заземлении шаров 1, 2 , 5 и 6; частичной емкости С при заземлении шаров 1-4), что оче