Штыревая линия задержки Советский патент 1981 года по МПК H01J23/24 

(54) ШТЫРЕВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕИККИ

I

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот, в частности к пиниям задержки и предназначено для применения в качестве инвариантного к изменению дизлектрн юской проницаемости средас злемента задержки, напртмер первичного измерительного преобразователя магщггной проницаемости или перемещений.

Известна замедляющая система, выполненная в внде спирали круглого поперечного сечения с постоянным шагом намотки {1 .

Несмотря на то, что поле спирали сосредоточено в основном внутри ее витков, ее характеристики сильно зависят от параметров внешней среды.,

Наиболее близкой к изобретению является щтыревая линия задержки, содержащая грёбен ку, вьоюлненную в виде штырей, укрепленных на основании. Эта лштя помещена в замкнутый зкран 2.

Недостатком известной линии задержки является зависимость коэффигшента замедле}П1Я от дизлектрической про1шцаемости среды, что приводат на практике к связанной с изменением параметров среды погрешности в значении :3адержки сигнала, например погрешности измерительного преобразования перемещений.

Цель изобретения - исключение в шяния дизлектрической проницаемости среды на коэффициент замедления.

Указанная цель достигается тем, что в штыревую линию задержки, содержащую гребенку, выполненную в виде штырей, укрепленных на основании, введены вторая щтыревая гребенка, идентичная первой и ряд параллельных прово10дящих пластин, число которых соотаетствует числу штырей гребенок, причем обе гребенки размешены в одной плоскости штырями навстречу друг другу, а пластины расположены в плоскости, параллельной плоскости пггырей па15раллельно штырям гребенок напротив них на расстоянии, равном или меньшем ишрины плырей. При этом все электрическое поле оказывается сосредоточениым внутри линии.

П

На фиг. и 2 приведена конструкция линии; на фиг. 3 - зкспериментальная зависимость коэффициента замедления от расстояния (в мм) до металлической и дизлектрической пластин, располагаемых со стороны штыревых гребенок параллельно им. Линия содержит выполненные на диэлектрической. подложке 1 печатные проводники в вида штыревых гребенок 2, расположенных штырями друг против друга, с однЫ( стороны, и в виде пластин 3, установленных против штырей гребенок 2 параллельно им на рассто янии, рав1юм или меньшем ши{Я1ны штырей, с другой. Блоки с гребешсамн 2 и пластинами 3 для наглядности пространственно разнесены., Образование емкости между каждой пластине 3 и установленными против нее штырями гребенок 2 пртшодит к тому, что практически все электрическое поле волны оказывается сосредоточенным внутри замедляющей системы, междог пластинами 3 и штырями гребенок 2, а магнитное поле остается снаружи. В результате на коэффициент замедления системы оказывают В1Шяние только факторы, способные изме нять магшпгное поле волны, например металлическая пластина, располагаемая со стороны гребенок 2 параллельно им (кривая 4). Диэлектрическая же пластина (относительная диэлектрическая проницаемость - 10, толщина - 2 мм не изменяет магнитное поле волны и не оказы вает влияния на коэффициент замедления (кри вая 5).. Таким образом, коэффициент замедления пр лагаемой замедляющей системы не зависит от диэлект}жческой проницаемости среды.

Фиг.1 Применение изобретения в качестве элемента задержки в сверхвысокочастотнь1х npi6opax, например для пертичного измерительиого преобразования неэлектрических величин, способных изменять магнитное поле волны (магийтиой проницаемости, перемещений), позволит исклкь чить связанную с изменением диэлектрической проницаемости составляющую погрешнос1И значения за; ержки, например погрешности первичного измерительного преобразования. Формулаизобретепьия Штыревая линия задержки, содержащая гребенку, выполненную в виде штырей, укрепленных на основании, отличающаяся тем, что, с целью исключения влияния диэлектрической проницаемости среды на коэффициент замедления, в ли1шю введены вторая штыревая гребенка, идентичная первой, и ряд проводящих пластин, число которых соответствует чпсяу ипырей гребенок, при этом обе гребенки размещены в одной-плоскости штырями навстре jjfiyr щ}угу, а пластины расположены в плоосости, параллельн(ж плоскости штырей таралпеяыю штырям гребенок напротив них на расстоянии, равном или меньшем ширины штырей. Источники инфо1пиации, принятые во внимание П1Н экспертизе 1.Силин Р. А. и Сазонов В. П Замедляющие системы. М., Советское радио , 1966, с. 104-107, 2.Там же, с. 324-334 (прототип).