Гиперзвуковой излучатель Советский патент 1981 года по МПК H04R17/00 

(54) ГИПЕРЗВУКОВОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ

I

Изобретение относится к акустическому приборостроению и может быть использовано для преобразования электромагнитных аолн в гинерзвуковое изотропное излучение большой мощности, например при гиперзвуковой диагностике.

Известен преобразователь электромагнитных волн в гйперзвуковые волны, содержащий пьезоэлектрический элемент и рефлектор, в фокусе которого разметен электромагнитный облучатель, соединенный посредством волноводного фидера, например коаксиального с генератором (I).

Однако известный преобразователь при смене пьезоэлектрического элемента требует настройки и, кроме того, не предназначен для получения значительных мощностей излучения.

Наиболее близким по технической сущ-, ности и достигаемому результату к изобретению является гиперзвуковой излучатель, содержащий сферический пьезоэлектрический элемент и электромагнитный облучатель, подключенные соответственно ко входу и выходу широкополосного усилите ря, и устройство для рециркуляции сигнала через петлю обратной связи |2).

Однако для работы данного излучателя преобразователя .необходим внещний генератор электромагнитных волн, наличие которого требует точной настройки как самого генератора, так и пьезоэлектрического элемента на рабочую частоту излучения. При несовпадении собственной частоты пьезоэлектрического элемента с рабочей частотой генератора резко падает энергетическая эффективность устройства в целом.

Цель изобретения - изотропное излучеIQ ние акустических колебаний.

Цель достигается тем, что устройство для рециркуляции выполнено в виде двухфокусного рефлектора, в одном фокусе которого размещен электромагнитный облучатель, а в другом - сферический пьезоэлектрический элемент.

На чертеже изображен предлагаемый излучатель.

Излучатель содержит двухфокусный рефлектор I, сферический пьезоэлектрический элемент 2, фокус 3 рефлектора,электроW магнитный облучатель 4, другой фокус 5 рефлектора, наружная поверхность 6 пьезоэлектрического элемента, внутренняя поверхность 7 пьезоэлектрического элемента.