Способ разработки траншей п-образного профиля Советский патент 1981 года по МПК E02F5/30 

Формула изобретения Способ разработки траншей П-образного профиля, включающий предварительное рыхление грунта и последующую его выемку, отличающийс я тем, что, с целью снижения энергоемкости процесса, при предваритель-; ном рыхлении сначала взрьишяют центральную призму грунта трапецеидального сечения, затем подрезают боковые стенки и после этого подрезают дно с одновременным разрыхлением подрезаемых элементов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 2703044, КЛ..172698, опублик. 1949.