Многоустойчивый двухпараметровый элемент Советский патент 1981 года по МПК H03K25/02 

(54) МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ДВУХПАРАМЕТЮВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

I

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах автоматики и счетно-вычислительной техники.

Известны многоустойчивые двухиараметровые элементы, вьшолнешше на ос1юве резне-. . тавногр моста, подключенного ошюй диагональю к источнику постоянного напряжения, с накопительным конденсатором в ррутт диагонали, причем каждый вывод конде1юато{)а через ключевой каскад связан с соответствукнцим ксточником входных сигналов И} и 2.

Общий недостаток двухпараметровых элементов - значительная погреишость амплитуды выходного напряжения каждого из устойчивых состояний, обусловленная нелинейностью заряда накопительного конденсатора.

Наиболее близким техническим решешем к изобретению является многоустойчивый даухпараметровый элемент, который, как и элемент, выполнен на основе резистивного моста, подключенного одной диагональю к источник/ постоянного напряжения, содержащий накопительный конденсатор, подключенный к другой диагонали моста, причем каждый из

Бьтодов ншсопительного конденсатора подсоединен через ключевые каскады к общей огане питшшя .

Недостатком указанного элемента является ограниченный динамический диапазон устс чивых состояний, что связаио с погрешностями, вносимыми ключевыми каскадами.

Цель изобретения - расширение динамического диапазона «шсла устойчивых состояний.

Цель достигается тем, что в мостовом двухtoпараметровом элементе каждый из выводся накопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора токостабилизирующего каскада, эмиттер которого-через дозирующий конденсатор подсоединен к выходу

15 источника входного сигнала, при этом ключевые каскады вьшолнены в виде транзисторного зквивалента двухбазового диода на транзисторах разного типа проводимости, охваченных колпекторно-базовыми связями, причем нако20пительный конденсатор подключен к диагонали моста через базово-эмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов, токостабилизирующие каскады вьшолнены m многозмиттерных транзисторах, эмиттеры ко торых через дозирующие конденсаторы подсоединены к соответствующим источникам входных сигналов. На чертеже представлена принципиальная злектрическая схема многоустойчивого двухпараметрового элемента. Многоустойчивый двухпараметровь1й элемент содержит накопительный конденсатор 1, выводы которого через ключевые каскады 3 и 4 подсоединены к общей шине питания, а также соединены с коллекторами дополнителыштх тран зисторов 2 и 5, вьшолкяющих роль токостабилизирующих каскадов, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы 6 и 7 соответственно подсоединены к источникам входных сигналов, при этом ключевые каскады 3 и 4 выполнены в виде транзисторных эквивалентов двухбаэового диода на транзисторах разного типа проводимости, охваченных коллекторнобазовыми связями, а токостабилизирующие каскады 2 и 5. выполнены на многозмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы 6 и 7 подсоединены к соответствующим источникам входных сигналов, причем все эмиттеры транэисторов 2 и 5 через прямо включенные диоды 8 и 9 соединены с. щиной источника питания. Многоустойчивый двухпараметровый элемент работает следующим образом. В исходном состоянии все транзисторы схемы закрыты. При поступлении каждого счетного импульса на левый вход схемы (см. рис. заряженный за предыдущий пзикл работы накопительный конденсатор 1 перезаряжается через левый токостабилизирующий транзисторный каскад 2 и открытые транзисторы правого клю чевого каскада 4. Как только под воздействием п-го счетного импульса напряжение на накопительном конденсаторе достигает величины порогового напряжения срабатывания левого ключевого каскада 3, последний срабатьшает, транзисторы ключа закрьтаются, так как к эмиттеру транзистора,р-п-р-типа проводимости прикладывается скачок отрицательного напряжения накопительного конденсатора 1. В таком состоянии схема не реагирует на импульсы, действующие по левому входу, а конденсатор перезаряжается в обратном направлении лищь от воздействия импульсов по входу правого токостабилизирующего каскада 5. Процесс перезаряда накопительного конденсатора 1 в зтом направлении продолжается до момента баланса схемы, когда напряжение на накопительном конденсаторе 1 становится равным напряжению q)aбaтьmaння ключевого каскада 4.

эмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

приортитет 1972 (прототип). Использование многоэмиттерных транзисторов позволяет расишрить логические свойства элемента. Высокая линейность выходного напряжения достигается за счет использования токостабилизирующих каскадов, поэтому динамический диапазон может достигать максимального размаха, т.е. от -Е до +Е, где Е - напряжение источника питания. Конденсаторы 6 и 7 являются ускоряющими, диоды 8 и 9 - разделительными, их присутствие не всегда необходамо. Формула изобретения 1.Многоустойчивый двухпараметровый элемент, выполненный на основе резистивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного напряжения, содержащий накопительный конденсатор в другой диагонали моста, причем каждый из выводов накопительного конденсатора подсоединен через ключевые каскады к общей ишне питания, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона, каждый из выводов накопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора токостабилизирующего каскада, эмиттер которого через дозирующий конденсатор подсоединен к выходу источника входного сигнала. . 2.Устройство по п. I, о т л и ч, а ю щ ее с я тем, что ключевые каскады выполнены в виде транзисторного эквивалента двухбазового диода на транзисторах разного типа прово...- димости, охваченных коллекторно-базовыми: связями, при зтом накопительный конденсатор подключен к диагонали моста через базово