(Б) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ТРАНЗИСТОРА
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРО- И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ | 1993 |
|
RU2117380C1 |
Устройство для защиты переключающего транзистора | 1989 |
|
SU1723622A1 |
Импульсный стабилизатор постоянного напряжения | 1984 |
|
SU1182499A1 |
Устройство для защиты транзисторов от перенапряжений | 1988 |
|
SU1582264A1 |
Устройство для защиты маломощной трехфазной цепи от перегрузки по току | 1988 |
|
SU1598023A1 |
Импульсный стабилизатор постоянного напряжения | 1983 |
|
SU1101800A1 |
Устройство для защиты стабилизатора напряжения | 1983 |
|
SU1108418A2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ ПО ТОКУ | 1999 |
|
RU2179775C2 |
УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ГОЛОВНОГО АККУМУЛЯТОРНОГО СВЕТИЛЬНИКА | 1999 |
|
RU2158875C2 |
Силовой транзисторный ключ | 1983 |
|
SU1128233A1 |
1
Изобретение относится к защите преобразователей и их элементов.
Известно устройство для, защиты пе реключающего транзистора, содержащее датчик тока в эмиттерной цепи защищаемого транзистора и вспомогательный транзистор fl }.
Недостатком этого устройства является низкая надежность.
Наиболее близким к предлагаемому является устройство для защиты переключающего транзистора, содержащее датчик тока в цепи эмиттера защищаемого транзистора и вспомогательный . транзистор, база которого через резистор соединена с датчиком тока, а через второй резистор и диодный ключ - с коллектором защищаемого транзистора, причем эмиттер-коллектор вспомогательного транзистора включен параллельно эмиттер-базе защищаемого транзистора L Недостатками известного устройства являются потери мощности в дат2
чике тока и нестабильность порога срабатывания вспомогательного транзистора при изменениях температуры.
Цель изобретения - уменьшение потерь в датчике тока и обеспечение стабильности порога срабатывания защиты при изменениях тeмпepatypы.
Поставленная цель достигается тем, что устройство снабжено дополнительным резистором, включенным между ба10зами защищаемого и вспомогательного транзисторов.
На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.
Устройство содержит датчик 1 то15ка, включенный в эмиттерную цепь защищаемого транзистора 2 (штриховая линия показывает, что это может быть как одиночный транзистор, так и составной транзистор или транзисторный
20 ключ с токовой положительной обратной связью и т.п.), вспомогательный транзистор 3, база которого соединена с резистором датчика 1 тока через реэистор ч, а с коллектором защищаемого транзистора - через резистор 5, и иодный ключ 6. Для уменьшения потерь и обеспечения температурной стаильности введен дополнительный ре- s зистор 7.
Напряжение база-эмиттер силового транзистора складывается из двух составляющих: падения напряжения на внутренних активных сопротивлениях Ю (в основном, это выравнивающие сопротивления в эмиттерах транзисторной структуры) и диффузионной составляющ ей, описываемой уравнением вольтамперной характеристики перехода. 15 Соединение базы вспомогательного транзистора с базой защищаемого транзистора через резистор 7 позволяет скомпенсировать дрейф порога отпирания транзистора 3,поскольку он в .20 этом случае фактически получает температурно зависимое смещение, пропорциональное диффузионной составляющей напряжения база-эмиттер транзистора 2 и изменяющееся с ростом 25 температуры по тому же закону, что и порог отпирания транзистора 3. По этой же причине при данном пороге срабатывания защиты можно уменьшить величину сопротивления датчи- зо ка 1 тока. Способствует уменьшению сопротивления датчика тока также тот факт, что в напряжении база-эмиттер защищаемого транзистора
присутствует резистивная составляющая (для современных силовых транзисторов эквивалентное активное сопротивление эмиттера составляет величину порядка 10-30 МОм), что дает возможность уменьшить сопротивление датчика до 20 МОм, а потери в нем до 1-2 Вт.
Формула изобретения
Устройство для защиты переключающего транзистора, содержащее датчик тока в цепи эмиттера защищаемого транзистора и вспомогательный транзистор, база которого через резистор соединена с датчиком тока, а через второй резистор и диодный ключ - с коллектором защищаемого транзистора, причем эмиттер-коллектор вспомогательного транзистора включен параллельно эмиттер-базе защищаемого транзистора, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потерь в датчике и . обеспечения температурной стабильности порога срабатывания защиты, оно снабжено дополнительным резистором, включенным между базами защищаемого и вспомогательного транзисторов.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе . 1, Авторское свидетельство СССР № 675525, кл. Н 02 Н 7/10, 1976. 2. Электроника. 1975, № 12, с. 3.
Авторы
Даты
1981-11-30—Публикация
1980-03-31—Подача