Регулируемый фазовращатель на поверхностных акустических волнах Советский патент 1981 года по МПК H03H9/72 

(54) РЕГУЛИРУЕМЫЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ НА ПбВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в акустоэпектронных устройствах обработки сигналов. Известны устройства на поверхностны акустических волнах (ПАВ), содержащие пьезоэлектрическую пластину с расположенными на ее рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразователями и фотошаблон, выполненный с возможностью перемещения вдоль пластины 1 . Недостатком этих устройств является сложность регулирования электрических параметров. Известен также регулируемый фазовращатель на ПАВ, содержащий пьезоэлектррческую пластину с расположенными на ее рабочей поверхности входным и выход- . ным встречно-штыревыми преобразователями и два плоских управляюишх электрода, расположенные параллельно пластине с обеих ее сторон и подключенные к источнику ре гулирующего напряжения 2. ВОЛНАХ Недостатками этого фазовращателя являются необходимость использования регулирующих источников с повышенными напряжениями (до сотен и тысяч вольт), а также небольшие пределы изменения фазы сигнала. Целью изобретения является уменьшение величины регулирующего напряжения и расширение пределов регулирования фазы. Это достигается тем, что в регулируемом фазовращателе на ПАВ на рабочей поверхности пластины между преобразователями под управляющим электродом размещен слой жидкого кристалла, имеющего планарную ориентацию. На чертеже показана конструкция предложенного фазовращателя. Он содержит пьезоэлектрическую пластину 1, входной 2 и выходной 3 встречно-4птыревые преобразователи, управляющие электроды 4 и 5, подключенные к источнику 6 регулирующего напряжения, и слой жидкого кристалла 7. Слой жидкого

кристалла 7 имеет пленарную ориентацию и расположен в электрическом поле, соэдаваемом электродами 4 и 5, и может быть выполнен на основе метоксй ензилиден-бутиланилина.

При изменении величины регулирующего напряжения происходит переориентация молекул в слое жидкого кристалла, что приводит к изменению скорости распространения ПАВ, а следовательно, и к изменению фазы. Для Переориентации молекул жидкого кристалла достаточно воздействия слабых электрических полей. За счет высокой анизотропии скорости распространения ПАВ в жидком кристалле обеспечиваются широкие пределы регулирования фазы.

Предложенный фазовращатель позволяет использовать источники напряжения с келыми величинами напряжений - не выш десятков вольт. Он обеспечивает широкие пределы регулировки фазы.

Формула изобретения Регулируемый фазовращатель на поверхностных акустических волнах, содержащий пьезоэлектрическую пластину с расположенными иа |ре рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразователями и два плоских управляющих электрода, расположенные параллельно пластине-с обеих ее сторон и подключенные к источнику регулирующего напряжения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины регулирующего напряжения и расширения пределов регулирования фазы, иа рабочей поверхности пластины между преобразователями под управляющим электродом размещен слой жидкого кристалла, имеющего планарную ориентацию.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Патент OUA.hfe 3516027, кл. ЗЗЗ-ЗО, опублик. 1970.

2.Патент США № 4О05376,

кл. ЗЗЗ-ЗО, опублик. 1977 (прототип).