Устройство для защиты трехфазной электроустановки от размыкания фазы,реверса чередования фаз и от нарушения симметрии чередования фаз Советский патент 1981 года по МПК H02H7/08 

J8 жительным полюсом источника напряжения, с эмиттером первого фототранзистора и конденсаторами, один из транзисто ров соединен базой через стабилитрон, резистор и диод с противоположной обклад кой одного из вышеупомянутых конденсаторов, причем коллектор этого транзистора соединен с противоположной обкладкой другого конденсатора, а через резистор с источником напряжения и катодом диода, подключенного анодом к катоду одного из динисторов, и соединенного через диод с исполнительным органом и катодом другого динистора, эмиттер второго фо- Тотранзистора соединен через диод с базой второго транзистора, коллектор этого транзистора подключен к исполнительному органу, а коллекторы фототранзисто ров соединены между собой и с конденсатором, и черезрезистор - с отрицатель ным полюсом источника напряжения. На чертеже представлена принципиаль- ная схема устройства. Устройство для защиты трехфазной электроустановки от размыкания фазы, ре верса чередования фаз и от нарушения симметрии чередования фаз содерх ит оптронные пары светодиоды 1 и 2 и фототранзисторы 3, 4, резисторы 5, 6, 7, 8 9, диоды - 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, транзисторы 19, 2О, конденсаторы 21, 22, динисторы 23, 24, стабилитрон 25,исполнительный орган 26, Работа устройства осуществпяется следующим образом; при работе у стройства на сеть, имеющую все три фазы, заданное чередование фаз ABC и отсутствие перекоса фаз светодиода 1, включенный между фазами А и В, входит в состав оптронной пары с фототранзистором 3, светодиод 2, включенный между фазами В и С. - с фототранзистором 4. Каждый из светодиодов 1 и 2 проводит ток в те чении 18О° электрических градусов, при чем зоны их проводимости сдвинуты отно ситепьно друг друга на 12О электрических градусов. Каждый период имеет место зона,когда отсутствует ток через оба светодиода 1 и 2 одновременно, рав ная 60 эпектричес1сим градусам. С начала этой зоны фототранзисторы 3-4 закрыты, конденсатор 21 начинает заряжат ся через резистор 7, конденсатор 22 че рез резистор 8. Через заданное время, соответствующее углу, меньщек-гу 60 электрических градусов, конденсатор 21 заряжается до напряжения, при котором происходит пробой стабилитрона 25, пос ле чего транзистор 20 открывается и 2 ерез него происходит разряд ко1гденсатоа 22. Конденсатор 21 продогакает заряаться до момента, когда начинает проводить ток светодиод 1, включенный мел у фазами А и В, после чего через отрывшийся фототранзистор 3 конденсатор 21 разряжается. С открытием фототранистора 4 начинает протекать ток по конуру; (+) источника напряжения - диод 12 - фототранзистор 4 - резистор 7 (-) источника напряжения. Через переход эмиттер-база транзистора 19 ток протекать не будет, так как к последовательной цепи дИод 13 - переход эмиттер база транзистора 19 - диод 18 прикладывается только напряжение прямого падения напряжения диода 12. В случае реверса фаз первым после зоны отсутствия тока через светодиоды 1 и 2 от- кроется фототранзистор 4, током разряда конденсатора 21 через переход эмиттер-база транзистора 19, диод 18 и фоторезистор 4 открывается транзистор 19 и через него срабатывает исполнительный орган 26, В случае обрыва фазы А срабатывание защиты происходит аналогично. При обрыве фаз В ток будет протекать через оба светодиода 1 и 2 одновремен- . но в течении 180 электрических градусов, время зарядки конденсатора 21 увеличится до 180° электрических градусов напряже 1ие заряда уже через заданный угол, больший 60 электрических гра-дусо1в, превысит напряжение пробоя дини- стора 23, через открывающий динистор срабатывает исполнительный орган 26. При обрыве фазы С время заряда конденсатора 21 также возрастает до 18О ° электрических градусов, исполнительный орган 2 6 сработает по той же цепи, что и в случае обрыва фазы. В. При нарушении симметрии чередования фаз будут иметь место два случая - время заряда конденсатора 21 уменьшается, напряжение конденсатора 21 не поднимается до уровня пробоя стабилитрона 25, и время заряда конденсатора 21 больше 60 электрических градусов, напряжение поднимается свыше уровня пробоя динистора 23, через динистор 23 срабатывает исполнительный орган 26. В первом случае конденсатор 22 не разряжается через транзистор 2О, заряжается до уровня пробоя динистора 24, через динистор 24 срабатывает исполнительный орган 26. Использование новых элементов - оптронных пар светодиод - фототранзистор выгодно отличает предлаг аемое устройстю от известных устройств тем, что упрощается схема зашиты, появляется возможность сочетать в одной схеме, имею шей сравнительно небольшое количество элементов три вида зашит: от размыкания фазы, реверса чередования фаз и от нарушения симметрии чередования фаз.

Формула изобретения

Устройство для зашиты трехфазной электроустановки от размыкания фазы, реверса чередования фаз и от нарушения симметрии чередования фаз, содержашее преобразователи, включенные между фазами, реагируюшие элементы - транзисторы и исполнительный орган, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей - зашиты от нарушения симметрии чередования фаз, в качестве вьш1еупомянутых преобразователей используются оптронные пары светодиод - фототранзистор, причем светодиоды подключены между фазами контролируемой цепи через резисторы так, что катод одного из светодиода соединен с фазой, к которой подключен через резистор анод другого светодиода, кроме того, дополнительно введены дини-

сторы, соединенные анодами через диод с положительным полюсом источника напряжения, с эмиттером первого фототранзистора и конденсаторами, один из транзисторов соединен базой через стабилитрон, резистор и диод с противоположной обкладкой одного из вышеупомянутых конденсаторов, причем коллектор этого транзистора соединен с противоположной

обкладкой другого конденсатора, а через резистор с источником напряжения и катодом диода, подключенного анодом к катоду одного из динисторов, н соединенную через диод с исполнительным органом и катодом другого диниотора, эми1 тер второго фототранзистора соединен через диод с базой второго транзистора, коллектор этого транзистора подключен к исполнительному органу, а коллекторы

фототранзисторов соединены между собой и с конденсатором, н через резистор - с отрицательным полюсом источника напряжения.

Источники информации,

принятые во внимание npi экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 611269, кл. Н 02 Н 7/О8. 1976.

2.Патент Великобритании № 1450419, кл. Н 02 Н 3/00, 1972.

Ч