Запоминающее устройство Советский патент 1981 года по МПК G03G16/00 G11B9/08 

(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТГОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной тех нике и может быть использовано в устройствах памяти и отображения информации. Известно матричное рельефографическое устройство, содержащее две параллельные стеклянные пластины с двумя группами взаимно ортогональных электродов строк и столбцов, и деформируемый слой, нанесенный на внутреннюю поверхность одной из пластин 1. Недостатком устройства является низкая надежность, связанная с отсутствием запоминания записанной информации. Известно устройство для деформографическото преобразования изображений, содержащее фотополупроводаиковый слой и деформируемый слой с габким зеркальным электродом, разделенные непрозрачные диэлектрическими слоями. Проецирование на фотополупроводниковый слой оптического изображения приводит к деформации зеркального электрода 2. Недостатком устройства также является низкая надежность. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является запоминающее устройство для отображения информации, в котором прозрачная диэлектрическая пластина с электродами строк покрыта фотополупроводниковым слоем и имеется осветитель запиш и стирания с блоком сканирования по фотоголупроводниковому слою изображения столбца (33. Недостатком устройства является его сложность, вызванная налижем блока оптического сканирования, синхронизированного с поступающей информацией, и низкая надежность. . Цель изобретения - повышение надежности запоминающего устройства. Поставленная цель достигается тем, что в поминающем устройстве, содержащем две тараллельно установленные прозрачные диэлект {жческие пластины, группу параллельных прозразных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластшгы н соединенных с первой щиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управления, н фоточувствительньш полупроводниковый слой, введены призма полного внутреннего отражения, изолирующий даэлектрический слои, прозрачный электрод поддерживающего напряжения, оптический растр, выполненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45° к электродам строк, и третья шина управления, а электроды столбцов вьтолнены в виде полос проводящего матертала, ортогональных электродам строк, с выступами в областях между электрода1 1И строк и параллельно им, нанесенных на изоли рующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов столбцов и изолирующий диэлектрический слой нанесенный на прозрачные электроды строк, призма полного внутреннего отражения установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала нанесены на прозрачный электрод поддерживающе го напряжения, фоточувствительный полупровод никовый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, , нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлект рической пластины и подключенный к третьей шине управления, а деформируемый слой оптически связан с фоточувствительным полупровод никовым слоем. На фиг. 1 показана принципиальная схема запоминающего устройства; на фиг. 2 - пластина с электродами строк и столбцов; на фиг. 3 - пластина с оптическим растром и фоточувствительным пол5шроводниковым слоем. Запоминающее устройство содержит призму 1 полного внутреннего отражения, прозрачную диэлектрическую пластину 2, прозрачные электроды 3 строк, прозрачный диэлектрический слой 4, электроды 5 столбцов с выступами 6, деформируемый слой 7. Вторая прозрачная диэлектрическая пластина 8 имеет прозрачный электрод 9, оптический растр 10, выполненный в виде рещетки непрозрачных полос, фоточувствительный полупроводниковый слой 11, который одной стороной обращен к деформируемому слою 7. Над пластиной 8 расположен осветитель 12. Электроды столбцов подклю чены к источникам 13 напряжений развертки. Электроды строк подключены к источникам 14 управляющих напряжений. Между прозрачиым электродом 9 и общей точкой включен источник 15 переменного напряжения поддержки, который отключается ключом 16. Устройство работает следую1Ш м образом. Угол падения считьшающего светового потока 17 на деформируемый слой близок к пр дельному углу полного внутреннего отражения деформируемого слоя и несколько больше его В отсутствие рельефа поверхности деформируeNKiro слоя счить1вающий световой поток отрау)ается от границы раздела деформируемого записываемого столбца, вызывает деформацию , поверхности слоя 7. При этом нарушаются условия полного внутреннего отражения и часть считывающего потока освещает прилежащий участок поверхности фотополупроводникового слоя, увеличивая его проводимость. При этом возрастает действие поля источника переменного напряжения поддержки, что в свою очередь приводит к возрастанию деформаций. Возникшая таким образом электрооптическая положи тельная обратная связь поддерживает записанный рельеф поверхности слоя 7 до момента снятия напряжения с источника 15. Причем, благодаря дополнительной модуляции проводимости фотополупроводникового слоя за счет освещения его с внешней стороны через оптический растр осветителем 12, рельеф деформируемого слоя становится периодическим и ориентирован параллельно оптическому растру. Деформируемый слой может быть вьщолнен из гелеобразного материала и имеет толщину 30-50 мкм. Фотополупроводниковый слой (например, сернисто-кадмиевый) имеет толщину 30-50 мкм. Зазор между деформируемым слоем и фотопроводниковым слоем составляет 20-30 мкм. Управляющие напряже шя и напряжения развертки изменяются в пределах 0-150 В. Переменное напряжение поддерживания составляет 300-400 В. Таким образом в предлагаемом устройстве поступающие входные электрические сигналы запоминаются в виде рельефа деформируемого слоя на любое заданное время, чем существенно повышается надежность устройства. Формула изобретения Запоминающее устройство, содержащее две паралельнр установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных прозрачных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управления, и фоточувствительный полупроводниковый слой, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены призма полного внутреннего отражения, изолирующий диэлектрический слой, прозрачный электрод поддерживающего напряжения, оптический растр, вьщолненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45° к электродам строк, и третья шина управления, а электроды столбцов выполнены в виде полос проводящего материала, ортогональных электродам строк, с выступами в областях между электродами строк и параллельно им, на изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов слоя и обращенная к деформируемому слою поверхность полупроводникового слоя остается неосвещенной. При этом электрическое поле от источника 15 является недостаточным для возникновения рельефа. Запись информации проводится по столбцам. Напряжение раэвертки и электрода записываемого столбца равно О, а на электродах столбцов равно + 2/3 U. Для электродов строк, точки пересечения которых с записываемым столбцом соответствуют светлым участкам изображения, управляющие напря жения равны и. Для остальных строк управляющие напряжения равны 1/3 U. Выбор указанных значений напряжений снижает влияние перекрестных связей. В пределах записываемого элемента электрическое поле, действующее между электродом строки и выступами электродов столбцов и изолирующий диэлектрический слой, нанесенный на прозрачные электроды

Ъ 10 И It I у

Фиг.1 строк, призма полного внутреннего отражения установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала нанесены на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, фоточувствительный полупроводниковый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлектрической пластины и подключенный к третьей щине управления, а деформируемый слой оптически связан с фоточувствительным полупроводниковым слоем. Источники информации, принятые во внимание при экспертизу 1.Авторское свидетельство СССР N 598101, кл. G 06 К 15/18, 1978. 2.Авторское свидетельство СССР N 641384, кл. G 02 F 1/19, 1979. 3. Авторское свидетельство СССР N 627529, кл. G 11 В 11/00, 1978 (прототип).

Вид А

Вид в

.г

Фиг. 3