Микротрон Советский патент 1982 года по МПК H05H7/08 

S) МИКРОТРОН

1

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при создании как исследовательских, так и технологических микротронов.

Известен микротрон,содержащий резонатор 1 .

В этом устройстве катодинжектора расположен в области действия переменного ускоряющего поля резонатора, и эмиссия с катода значительна в широком диапазоне фаз ускоряющего поля, что с одной стороны приводит к перенапряженному режиму работы инжектора, а с другой к большой паразитной нагрузке резонатора нерезонансными электронами.

Наиболее близким к предлагаемому является микротрон, содержащий магнит и резонатор с общей медианной плоскостью и отверстием для инжекции в резонаторе, а также расположенный вне резонатора инжектор-группирователь 12.

Наличие расположенного вне резонатора инжектора-группирователя делает нагрузку на его катод более равномерной и обеспечивает экономичное использование всего электронного тока. Однако это требует осуществления инжекции пучка в резонаторе через антимагнитный канал. Кроме того, для известного микротрона характерен узкий диапазон режимов работы, что обусловлено сложностью перестройки при наличии антимагнитного канала.

Целью изобретения является расширение диапазона режимов работы

10 микротрона.

Поставленная цель достигается тем, что в микротроне, содержащем магнит и резонатор с общей медиан15ной плоскостью и отверстием для инжекции в резонаторе, а также расположенный вне резонатора инжекторгруппирователь, ось инжектора-группирователя ориентирована перпенди20кулярно медианной плоскости микротрона, а микротрон снабжен парой отклоняющих электродов,расположенных в месте пересечения указанных оси и плоскости напротив отверстия для

25 инжекции в резонаторе, при этом средняя плоскостьотклоняющих электродов совмещена со взаимно перпендикулярными осями инжектора-группирователя и отверстием для инжекции

30 в резонаторе.

на фиг.1 изображен резонагср кшк.;)трона. ггмя со стороны расположе- ..,;., :.,,:.;;.-.L ..,.,.::, иа. фиг. 2 - микротрон, L.,..,:,U;. .1 ,..,::....i.uHOfl ПЛОСКОСТИ.

..,...::.,.,,,.р.;сит резонатор 1,

: ,.-.,.: . . ;.. : . ;,:. ;:.тель 2, например,

.и;,,,.-.. . :,.;.,.. :1 систему. откло;: ;;.л. i;u.;;. ..: .;:;-... .л

.-СИ К Оор Г;::. ,/.; ,г. / j.io/iCciT В :.1с:ДЬ

агыой плоскости, ось перпендикуляра ей, направлена навстречу магниткоку полю в и параллельна направлению .щзижания электродоь инжекторе 2 Последний со.цержит ./.;о:1Очник постоянного напряжами;: ;; г,;., Vo и переклейного с аыпли-1-у с -1 . К .„..;СLiiviiv электродам 3 ..;а--1с ijiccTOKH напряжение VQ , о5еспечк:;Бс1;Ои1еь rfc: пряженность поля в iasope .ду Hiiми EQ , которое пог Елено в.цоль оси X,

Устройстве работает следующим образом.

Под дейстБ:.--...( Г;сс-гоянного ускоряlOLiero напряжек 1Я V.., ;u ннхсектора злек;. уСКОрн101-С; ДО СКОРОСТИ V/t И Да1J..V.C. г-руппируются в сгустки и под действием скрещенных полей В и EQ дрейфуют Б направлзккх осн У, вводятся в ieiiOHai-op } i 3ix. -.сг ЬсЮтся в процессе резонансногс: ускорения

Варьируя вьл-::ч-;::-;3 -;- Vy , V,, V,;

i-o ПО)-.; , ...-...,,.:..... IM;.J: у; .,;.JaHHOM рас- , положении ин/кектора г1..)11ч:,А|: ователн оказывает полезное Ф..;ь., .,.:и;.,...::.... действие на электр--|1Я---.-.; .j.;.:;i lu-i. Указанные особенно ., j-.i ....аооты данного микротрона обес 1ечИ1,:,;.1 возможность :-лспользой;,;и.: .:. v., . ...;- роком диапазо:Микротрон, coдepжa ц rй Мс.гкит и резонатор .:; общей ы едианной плоскостью к .:.гг:г;рс|Н.;.; ..;;Vi инжекции в

/- :: к т о i; j С1 .Сру 11 niipO -jci4 V .. -: yj - 1 Ь с

Y5 на перпендикулярно ме;с1. .1нной ллоскости ыикротрона, а ui -;-;.; ;,;г: инабжен парой о-гклон;;1 ;Нй г /ч;- .,,

отверстия для ин хекци г. в г.езонаторе, при этом средняя плоскость отклоняющих электродов совмещала со взаимно

:1с::рТ йНДИК у jT .1Л j.. L: ХОра ГруППИрОа. .: r. l/л .;л.;:,., .::-. .-J.-..: жекиии -:-J .-Г-- .