(54) ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Устройство задержки СВЧ-сигнала | 1989 |
|
SU1706010A1 |
| УПРАВЛЯЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБМЕННЫХ СПИНОВЫХ ВОЛНАХ | 2022 |
|
RU2786486C1 |
| АВТОГЕНЕРАТОР ХАОТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ | 2023 |
|
RU2804927C1 |
| УПРАВЛЯЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБМЕННЫХ СПИНОВЫХ ВОЛНАХ | 2023 |
|
RU2820109C1 |
| Устройство для детектирования сверхвысокочастотных сигналов | 1986 |
|
SU1364995A1 |
| Управляемый ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах | 2018 |
|
RU2686584C1 |
| ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ | 2017 |
|
RU2666968C1 |
| ПРОСТРАНСТВЕННО-ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ | 2023 |
|
RU2822613C1 |
| ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 1991 |
|
RU2045814C1 |
| ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МИКРОВОЛНОВОДОВ | 2023 |
|
RU2815014C1 |
1
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах обработки сверхвысокочастотного сигнала в аналоговой форме.
Известна линия задержки, содержащая ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны 1.
Однако известная линия задержки характеризуется сравнительно высокими потерями.
Цель изобретения - уменьшение потерь сверхвысокочастотного сигнала.
Для достижения поставленной цели линии задержки входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.
При этом входная и выходная антенны, а также омические контакты расположены на одной поверхности полупроводникового слоя, или входная и выходная антеннь и омические контакты расположены на противоположных поверхностях полупроводникового слоя.
На фиг. 1 представлена предлагаемая линия, общий вид, поперечное сечение (при
расположении входной и выходной системы антенны и омических контактов на одной поверхности полупроводникового слоя); на фиг. 2 - то же, при расположении входной и выходной антенны и омических контактов на противоположных поверхностях полупроводникового слоя.
Линия задержки содержит ферритовый 1 и полупроводниковый 2 слой, омические контакты 3, входную 4 и выходную 5 антенны. На фиг. 1 и 2 показаны также диэлектрическая подложка 6 и металлическое основание 7.
Предлагаемая линия задержки работает следующим образом.
Слоистая структура из ферритового 1 и
15 полупроводникового 2 слоев, у краев которой имеются входная 4 и выходная 5 антенны, намагничивается системой подмагничивания (не показана) в плоскости структуры перпендикулярно направлению распространения волны. На входную антенну 4 подается сверхвысокочастотный (СВЧ) сигнал, который возбуждает в ферритовом слое 1 спиновую волну. Синхронно с СВЧ-сигналом на омические контакты 3 подается импульс тока, который отдает свою энергию спиновой
волне при соблюдении взаимодействия электронов полупроводникового слоя 2 с спиновой волной. Потери, претерпеваемые волной при распространении, таким образом, частично компенсируются. В силу меньшей скорости распространения волны в ферритовом слое 1, чем в вакууме, на выходной антенне 5 регистрируется задержанный СВЧ-сигнал с соответствуюндей амплитудой.
Предлагаемая линия задержки позволяет уменьшить потери сигнала и увеличить эффективность работы примерно в 10 раз.
Формула изобретения
/
У///Л
тенны, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потерь сверхвысокочастотного сигнала, входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Szustakowski М., Wegki В. Ргос.
of wibration Problems 1973,. v. 14, № 2,
p. 155-162 (прототип).
/////.
