Способ формирования амплитудно-частотной характеристики устройств на поверхностных акустических волнах Советский патент 1982 года по МПК H03H9/64 

Изобретение относится к рааиотехн5ь ке и радиоэлектронике и может быть использовано оля экспериментальной о&работки формы амплитуано-частотной характеристики (АЧХ) устройств с ИСПОЛ зованием поверхностных акустических волн (ПАВ). Известен способ формирования ампли- туано-час .отной характеристики устройст на ПАВ, заключающийся в изменении величины перекрытия соседних пар электро дов (апертуры) по цлине преобразователя по определенному закону ij . Недостаток этого способа - сложност определения точной формы аподкз1фующей кривой расчетным путем, так как для этого необходимо учитывать явление дифракции поверхностной акустической волны в анизотропш.1х средах, конечную npoBoaviMocTb электродов, отражение и рассеяние энергии волны в местах рассогласования акустического импеданса и т. д. Экспериментальное же определение наилучшей формы аподизаиин преобразователя требует для кансдой новой форм111 аподизирующей кривой изготовления нового преобразователя (фотошаблона) , что делает отработку формы амплитудно-частотной характеристики устройств на ПАВ трудоемкой и длительной. Цель изобретения - упрощение экспериментальной оптимизации формы амили- туано-частотной характеристшси устройств на ПАВ. Поставленная цель достигается тек ., что в способе формирования амплитудночастотной характеристики устройств на ПАВ путем изменения величины перекры тия соседних пар электродов по олине преобразователя по заданному закону со стороны электродов параллельно им на расстоянии, меньшем апины ПАВ, рас полагают электропроводящую пленку с отверстием, форма которого соответствует расчетному закойу перекрытия электродов по длине преобразователя, и изменяют контур отверстия до получения требуемой амплитуцно-частотной характеристики. 39 На фкг. 1 изображено устройсгво, реализу ащее данный способ яа фкг. 2 формл отверстия в электропроводящей imetiKe; на фиг. 3 - распределение элек рического поля между электродами преобразсветеля. Диэлектрическая пластина 1 с много элемент№ ми встречно-штыревыми преоб разователями 2 наложена на пьезоэлект рический звукопровоа 3, отделенный от Пластины 1 воздушным зазором, велич на которого определяется толщиной разделительной пле1жи 4, нанесенной по краям рабочей плоскости пласткны-звуко провода 3. Величина воздушного зазора меньше длины акустической волны в звукопроводе 3. Преобразователи 2 покрыты защитной диэлектрической пленкой 5. Злектропроводяшая пленка (металлический экран) 6 с отверстием 7, контур.ы которого т-1Меют форму кривой апоцизацн 1, расположена параллельно П1эеобразователим2 на расстоянии от 1ШХ, меньшем длины ПАВ. Для уменьгшения статической емкости между элект родами преобразователя и металлическим экраном 6 последний выполне в виде сетки с размерами ячеек, меньшг1ми длины акустической волны в звукопрово- де. При подведении электрического сиг- нала к встречно-штыревому преобразова телю 2 между электродами возшжает электрическое поле (фиг. 3). Часть сшювых ЛИНИ} поля проникает в пьезо- электрическ1Я1 звукопровод, вызывая в нем упругие пеформапии с пространствен ным периодом, равным периоду размещения электродов на пластине 1. Энергия упругих деформаций распространяется в Виде поверхностной акустической волны в направлениях, указанш 1х стрел™ камк не фет-. 3. Наличие экрана G приводит к тому, чго электр1Гнеские поля гтроникают в звукопровол 3 только в области, расположенной непосредственно под отверстием- 7, поэтому зона Еозбуткденгия ПАВ ограничивается контуром отверстия 7. Таким образом, влияние клектропрс- водящей пленки (экрана) с отверстием гчэиводит к тому же arJifjcKTy, к которо-14му приводит изменение перекрытия соседних электродов преобразователя. Изменяя размеры и конфшурацию апоаизирующего отверстия 7, можно управлять величиной активной апертуры электродов и, тем самым, производить взвешивание, аналогичное тому, которое достигается подрезанием электродов при обычном способе аподизации. Поскольку изменение геометрии отверстия в электропроводящей пленке может производиться независимо от гфеобразователя, возникает возможность проведения оптимизации АЧХ устройств на ПАВ, не изменяя геометрот встречноштьфевого преобразователя, изготовление которого является наиболее трудоемким пронессом при изготовлении устройств на ПАВ. Предлагаемое изобретение позволяет значительно упростить экспериментальную отработку формы аподизирующей кривой и, следовательно, формы АЧХ устройств, а упростить технологию изготовления аподизированных преобразователей. Формула изобретения Способ формирования амплитудно-частотной характеристики устройств на поверхностных акустических волнах, заключающийся в изменении величины перекрытия соседних пар электродов по длине преобразователя по заданному закону, отлича ющийся тем, что, с целью упрощения экспериментальной оптимизации формы, со стороны электродов параллельно им на расстоянии, меньшем anvma поверхностной акустической волны, располагают электропроводящую пленку с отверстием, форма которого соответствует расчетному закону перекрытия электродов по алине преобразователя, и изменяют контур отверстия до получе 1ия требуемой амплитудко-частотной характеристики. И ст 04 МИКИ у, н4 рмаци.и прижттые во втаматее при экспаргизе 1. Патент (. № 2040881, кл. И 03 И 9/00, опубл ос. 1971 (прототип) .

Фаг. г