Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах Советский патент 1982 года по МПК G11C19/08 G11C11/14 

(54) ЭЛЕМЕНТ СЕЛЕКЦИИ ДЛЯ РЕГИСТРОВ СДВИГА НА ПЛОСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД).

Известен элемент селекции для регистров сдвига на ПМД, содержащий управляющие проводники, каждый из которых охватывает определенную группу регистров 1.

Недостатком этого элемента селекции является ограниченная область применения.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является элемент селекции для регистров сдвига на ПМД, который содержит тонкую магнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения ПМД и расположенные перпендикулярно к ним шины селекции 2.

Недостатками этого элемента селекции являются необходимость двух слоев проводников, громоздкость структуры, что приводит к большой площади, больщое число шин селекции, ,приводящее к значительному числу контактов.

Цель изобрЛения - упрощение известного элемента селе1 ии для регистров сдвига на ПМД.

Указанная цель достигается тем, что элемент селекции дополнительно содержит магнитожесткие аппликации, расположенные на тонкой магнитной пленке под шинами селекции, выполненными в одном слое.

5На фиг. 1 показано схематическое изображение элемента селекции, вид сверху; на фиг. 2 - общий вид элемента селекции; на фиг. 3 - распределение магнитного поля по оси магнитожесткой аппликации для кон)0 кретно применяемых устройств. При расчете учитывались соседние элементы.

Элемент селекции (см. фиг. 1) содержит шины селекции 1-3, под которыми расположены магнитожесткие аппликации 4-6,

15 например, прямоугольной формы с переменной шириной, и низкокоэрцитивные каналы продвижения ПМД 7-9. Сформированные в тонкой магнитной пленке 10 (см. фиг. 2) ряды аппликаций под соседними шинами

2Q сдвинуты относительно друг друга на часть аппликаций, создающей магнитное поле определенной величины.

Элемент селекции работает следующим образом. Магнитожесткая аппликация намагничена таким образом, что создает отрицательное магнитное поле в лежащих под ней областях низкокоэртицивных каналах, препятствующее прохождению домена через эту область. Величина магнитного поля (см. фиг. 3) зависит от щирины полоски (чем уже аппликация, тем больше поле). Для продвижения домена необходимо подать внешнее магнитное поле Н Нпр, где Нлр - поле продвижения ПМД. Наиболее экономным будет случай, когда поле в промежутке между соседними аппликациями под одной шиной селекции и перепады полей за счет различной ширины полосок будут равны Нлр. Рассмотрим элемент селекции, который выделяет один регистр из трех. Например, если нужно пропустить домен по каналу 7, то в шину 1 подается импульс тока, дающий положительное поле Н 4,5. Нпр- При такой амплитуде поле под шиной 1 проходит все три домена по каналам 7-9. В шину 2 подается импульс тока, дающий Н 2,5Нпр. Суммарное поле под шиной будет достаточным только для прохождения домена в канале 7. И для того, чобы этот домен прощал . под шиной 3, необходим импульс тока; создающий Н 3,5Нпр. Подобным же образом можно выбрать каналы 8 и 9. Таким образом, чтобы проселектировать п регистров, проходящих под одной аппликацией, требуется п шин селекции. Если число регистров |sf. то для полной селекции оставшихся -jf регистров необходимо еще - шин. Общее число шин селекции р п + --fl-. Таким образом, при тех же технических характеристиках, что и у известного, предлагаемый элемент селекции значительно проще конструктивно и технологичнее в изготовлении за счет того, что он содержит один слой проводников и слой аппликаций, которые выполняются в одной технологической операции с аппликациями для регистров сдвига. Формула изобретения Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах, содержащий тонкую магнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов и расположенные перпендикулярно к ним шины селекции, отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента селекции, он содержит магнитожесткие аппликации, расположенные на тонкой магнитной пленке под шинами селекции, выполненными в одном слое. Источники информации, пJ)инятыe во внимание при экспертизе Г. IRE Ргос, V. 35, 1976, р. 63. 2. Патент ФРГ № 2438204, кл. 21 а, опублик. 1978 (прототип).

5,0 4,03.0

2,0 i,0

т

300

т