Способ измерения углов поворота в диапазоне от 0 до 90 @ Советский патент 1982 года по МПК G01B7/30 

Изобретение относится к измерител ной технике и может быть использовано при измерениях углов поворота объектов. Известен способ измерения угла по ворота объекта, заключающийся в том, что переводят нагревом жидкий крис-талл в нематическую фазу, воздействуют на него внешними электрическими и магнитными полями, охлаждают жидкий кристалл до смектической фазы выключаю.т внешние поля и -по изменению скорости ультразвука в жидком крис- талле судят об угле поворота 13. Недостатком этого способа является длительная подготовка к измерениям, обусловленная переводом жидкого кристалла из смектической фазы в нематическую и обратно. На.иболее близким по технической сущности к изобретению является способ измерения углов поворота в диапазоне от О до 90, заключаЮ1цийся в том, что располагают жидкий кристалл/ в электрическом или магнитном поле и, измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, в качестве которого используют скорость распространения ультразвука в жидком кристалле 2. Недостатками этого способа являются низкая точность и сложность процесса измерения, обусловленные малой величиной анизотропии скорости распространения ультразвука, и большое количество операций. Цель изобретения - повышение точности и упрощение процесса измерений. Эта цель достигается тем, что согласно способу измерения углов поворота в диапазоне от О до 90°,заключающемуся в том, что располагают жидкий кристалл в электрическом или магнитном поле и измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, в качестве последнего используют диэлектрическую проницае3мость жидкого кристалла в направлении, перпендикулярном к оси поворота и образующем в плоскости вращени угол 45° с направлением электрического или магнитного поля. На чертеже изображена принципиал ная схема устройства, реализующего способ измерения углов поворота. Уст рействр содержит камеру 1, заполненную жидким кристаллом 2, ма нит 3, между полюсами которого расположена камера t, конденсатор i, расположенный е камере 1 под углом 5 к направлению магнитного поля 4aгнитa 3 соединенные последова-г;ельно с конденсатором Ц измеритель 5.емкости .и регистрирующий блок 6. Способ измерения углов поворота в диапазоне от О до 90° заключается в том, что располагают камеру 1с жидким кристаллом 2, например , в магнитное поле магнита 3, что приводит -к пространственной ориентации директора. Ввиду того, что при повороте камеры 1 кристалл 2, в силу малой вязкости, остается в п кое, меняется и направление измерения диэлектрической проницаемости, что приводит к изменению ее величин пропорциональному углу поворота. Та КИМ образом, при повороте камеры 1 меняется емкость конденсатора k, из меряем я измерителем 5 емкости и регистрируемая регистрирующим блоком 6. 7 Предлагаемый способ измерения углов поворота позволяет повысить точность измерения в силу того, что анизотропия диэлектрической проницаемости имеет большую величину по сравнению с анизотропией скорости ультразвука, а малое число операций упрощает процесс измерения.. Формула изобретения Способ измерения углов поворота в диапазоне от О до 50°, заключающийся в том, что располагают жидкий кристалл в электрическом или магнитном поле и измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, в качестве анизотропного параметра используют диэлектрическую проницаемость жидкого кристалла в направлении, перпендикулярном к оси поворота и образующем в плоскости вра- . щения угол «5° с направлением электрического или магнитного поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР по заявке № 2 43 62/23, кл. G 02 F 1/13, 1977. 2.Авторское свидетельство СССР по заявке № 2896866/23, кл. G 01 В 17/00, 1980 (прототип).