Усилитель мощности Советский патент 1982 года по МПК H03F3/20 

источника 2 через диод 5, основной транзистор 1 и нагрузку 6. Напряжение коллектора-эмиттера первого основного транзистора 1 запи рает.диод 4 и первый вспомогательный транзистор 3. Но по мере увеличения входного напряжения напряжение на нагрузке 6 ув,еличивается, а напряжение коллектора-эмиттера первого основного транзистора 1 уменьшается Когда это напряжение станет малым, открывается диод .4 и первый вспомогательный транзистор 3, а значит и второй основной транзистор 1. При этом диод 5 запирается увеличивающим ся напряжением на нагрузке 6 и отключает источник 2 с меньшим напряжением. Резистор 7, подключенный к базе первого основного транзистора за счет падения напряжения на нем создает превышение напряжения на эмиттере первого вспомогательного транзистора 3 над напряжением на ба первого основного транзистора 1. Это превышение компенсирует остаточное напряжение на первом основном транзисторе 1 и диоде 4 и тем предотвращает запаздывание открывания первого вспомогательного транзистора 3 и второго основного транзистора 1. При дальнейшем увеличении входного напряжения все происходит аналогично. При уменьшении входного напряжения процесс протекает в обратном порядке Диоды 4 защищают от пробоя эмиттерные переходы вспомогательных транзис торов 3, а также обеспечивают их ускоренное открывание. Это приводит в сочетании с резисторами 7, к умень шению искажений при переключении основных и вспомогательНЬ1Х транзисто ров 1 и 3. Предлагаемый усилитель позволяет уменьшить искажения при переключений транзисторов и обеспечивает работоспособность без источника смещения. Формула изобретения Усилитель мсяцности, содержащий N источников питания, N основных транч з исторов и (N-1) вспомогательных тран зисторов противоположного типа проводимости, причем коллектор N-ro основного транзистора соединен с N-M источником питания непосредственно, коллектор каждого К-го (где К-1,2,3,.. N-1) основного транзистора соединен с базой К-го вспомогательного транзистора и с К-м источником питания через соответствующие диоды, коллектор каждого К-го вспомогательного транзистора соединен с базой (К+1)го основного транзистора, эмиттеры всех основных транзисторов подключены к одному концу нагрузки, другой конец кбторой соединен с общей шиной источников питания, о т л и ч аю щ и и с-я тем, что, с целью уменьшения искажений при переключении основных транзисторов и упрощения усилителя, вход усилителя мощности соединен с эмиттером {N-l)-ro вспомогательного транзистора, а между .эмиттерами всех соседних вспомогат ельных транзисторов, а также между базой первого- основного и эмиттером первого вспомогательного транзисторов включены соответствующие Е езистосы. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1..Авторское свидетельство СССР 677057, кл. И 03 F 3/20, 1977 (прототип).