Одновибратор Советский патент 1982 года по МПК H03K3/284 

(54) ОЦНОВИБРАТОР

1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в системах автоматики в качестве реле времени, работающего в условиях повышенных электрических помех.

Известен одновибратор, содержащий дояевой и биполярный транаисторы, вре- мязадающую КС-цепь Ul.

Недостатком такого одновибратсра является низкая помехозащищенность.,о

Наиболее близким к изобретению является одновибратор, содержащий полевой и &1Полярный транзисторы, времязадающкй конденсатор 2}.

Недостатком этого устройства явля- is ется низкая помехоустойчивость.

Цель изобретения - улучшение помехозащищенности одновибратора после генерирования сигнала в течение определенного интервала времени. 20

Поставленная цель достигается тем, что в одновибратор, содержащий полевой и биполярный транзисторы, времязадакяций конденсатор, включенный между затвором

полевого и коллектором биполярного транзисторов, вновь вводится два резистора, два формирующих диода и второй конденсатор, причем коллектор биполярного транзистора через первый резистор соединен с катодом первого формирующего тода и вторым конденсаторЪм, который связан с параллельно соединенным вторым формирующим диодом и вторым резистором, а анод первого формирующего диода подключен к стоку полевого и базе биполярного транзисторов.

На чертеже изображена схема одновибратора.

Одновибратор состоит из полевого транзистора 1 и биполярного транзистора 2, времязадающего конденсатора 3, зарядного резистора 4 нагрузочного резистора 5, а также содержит первый формирующий диод 6, дополнительный конденсатор 7, второй формирующий диод 8, конденсатор связи 9, первый резистор Ю, второй решстор 11. Конденсатор 7, ре жсторы Ю и 11 совместно с оиоцом 8 образуют цепь, iie обходимую для созцания запиракщего напряжения для диода 6, что оелаот невозможным прохождв-J ние импульсов запуска в течение заданного времени после генерирования сигнала, Однош{братор работает следующим образом. В исхооном состоянии до прихода запускающего импульса на вход транзисторы I и 2 открыты. Конденсатор 3 заряжен до напряжения близкого к напряженно питания. После прихода отрицательного запускающего импульса на вход транзистор- 2 закрывается и из цепт коллектора через конденсатор 3 на аатвср транзистора поступает положительный скачок напряжения. Транзистор 1 закрывается, а конденсатор 3 начинает перезаряжаться через резистор 4 до момента времени, пс«а полевой транзистор I не начинает проводить. Происходит регенеративный процесс, открывающий оба т.ранзистора. В момент закрывания транзистора 2 конденсатор 7 через резистор 10 и диод 8 начинает заряжаться до напряжения близкого кнапряжению питания при равных постоянных времени одновибратора и цепи peaicTopa Ю, конден сатора 7. Напряжение на конденсаторе 7 запирает диод 6, что делает невозможны прохождение запускающих импульсcte. С момента окончания регенеративного про- цесса, открывающего оба транзистора, времязадающий кшденсатор 3 начинает разряжаться через резистор 10, транзистор 2 и резистор 11 и в момент открывания диода 6 становится возможным повторный запуск одновибратора. Время, в течение которого невозможен запуск одновибратора, определяется постоянной времени цепи разряда конденсатора 9 и Использование изофетения позволяет применять оцновибратор в системах автоматики, по сигналу которого осуществляется включение устройства системы, создающих в переходном режиме электрические помехи, и где повторный запуск одновибратора от них недопустим. Применение изобретению в этом сдучае позволяет отказаться от специальных мер помехозащиты, бьюающих затруднитель- ными или требующих значительных аппа ратурных затрат. Формула изобретения . Одновибратор, содержащий полевой и биполярный транзисторы, времязадающий конденсатор, включенный меж1 затвором полевого и коллектфом биполярного транзисторов, отличающийся тем. что, с целью улучщения помехрзашищенности, в него введены два резистора, два формирующих диода и второй конденсатор, причем коллектор биполярного транзистора через первый резистор соединен с катодом первого формирующего диода и вторым конденсатором, который соединен с пфаллельно соединенными вторым формирующим диодом и вторым резистором, анод первого формирующего диода подклк чен к стоку полевого и базе биполярного транзисторов. Источники: информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Гольдейберг Л. М. Импульсные и вяфровые устройства, М., Связь , 1973. 2.Гоалинг В. Применение полевых транзисторов. М., Энергия, 197О, с. iO4.°