Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1982 года по МПК G11C11/00 

(5) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении носителей информации на цилиндрических магнитных доменах.

Известен способ изготовления носителей информации с использованием взрывной фотолитографии, при котором в слое фоторезиста формируют требуемую топологию схемы, после чего о производят металлизацию и удаление слоя фоторезиста с нанесенным на него металлом t1.

Недостатком известного способа является сложность изготовления но- 15 сителя.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ, согласно которому на поверхность эпитаксиальной феррит- 0 гранатовой пленки наносят диэлектрик, магниторезистивный слой, слой резиста или электронорезиста, формируют в слое р€ зиста негативный рисунок элементов схемы, кроме датчика, осаждают трехслойную пленку - сначала половину необходимой толщины магнитного слоя, затем слой проводящего материала, далее вторую половину магнитного слоя с превышением толщины на величину, равную толщине магниторезистивного датчика, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста методом взрыва, (|юрмируют в оставшемся слое резиста позитивный рисунок магниторезистивного датчика и ионным травлением формируют магниторезистивный датчик 2.

Недостатком известного способа является низкая надежность изготовления носителя из-за необходимости формировать на различных этапах изготовления в одном и том же слое резиста как негативное, так и позитивное изображение рисунка схемы.

Цель изобретения - повышение наде ности изготовления носителя имформа395ции на цилиндрических магнитных доменах. Поставленная цель достигается тем что в способе изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах, основанном на нанесении на пластину с доменосодержащим слоем слоя диэлектрика, нанесении слоя резистивного материала,нанесении сяоя резис та, формировании в слое резиста скво ных каналов трапецеидального попереч ного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя магни ного материала, слоя проводящего мат риала, второго слоя магнитного мате;риала с последующим их удалением с п6 верхности резиста и удалении части ре зиста в области между смежными сквозными каналами, нанесение слоя резистивного материала осуществляют непосредственно -на Слой диэлектрика, а нанесение резиста осуществляют на слой резистивного материала, последовательное нанесение первого слоя магнитного материала, слоя проводящего материала и второго слоя магнитного материала осуществляют на слой резиста и слой резистивного материала в сквозных каналах резиста, последующее их удаление с поверхности резиста осуществляют приклеиванием эластичного листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнитного слоя от поверхности резиста, а после удаления части резиста в области между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезистивного материала на слой резиста, слой второго магнитного материала и слой резистивного материала в области между смежными сквозными каналами и последующее удаление резис та со всей поверхности слоя резистивного материала. На чертеже изображены этапы изготовления носителя информации. Носитель информации содержит подложку 1 из немагнитного граната с эпитаксиальной феррит-гранатовой плен кой 2, на поверхности которой расположен слой 3 диэлектрика, слой k резистивного материала, слой резиста 5. слой 6 магнитного материала, слой 7 проводящего материала, слой 8 магниторезистивного материала, слой 9 защитного диэлектрика. Способ реализуется следующим образом. На подложку 1 с эпитаксиальной пленкой 2 наносят слой 3 двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм, слой толщиной 5-8 мкм, слой резиста или электронорезиста и формируют в нем негативное изображение схемы, кроме датчика, наносят половину требуемой толщины пермаллоя 200-300 нм и слой золота или меди толщиной 100-200 нм, вторую половину требуемой толщины пермаллоя 200-300 нм, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста механическим путем, например, используя кистевую мойку или наносят толстый слой лака толщиной 20 мкм, после затвердевания пленку лака механически отслаивают, формируют в оставшемся резисте негативное изображение магниторезистивного датчика, наносят слой магниторезистивного датчика толщиной 30-70 нм, удаляют магниторезистивный, слой с поверхности резиста механичесКИМ путем и удаляют резист в ацетоне или плазме кислорода в зависимости от типа резиста, наносят защитный слой 5102 толщиной 1 мкм и производят вскрытие контактных площадок. Предлагаемое изобретение позволяет изготовить МИС с толстопленочным датчиком, и существенно повысить надежность изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах. Формула изобретения Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах, основанный на нанесении на пластину с доменосодержащим слоем слоя диэлектрика, нанесении слоя резистивного материала, нанесении слоя резиста, формировании в слое резиста сквозных каналов трапецеидального поперечного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя магнитного материала, слоя проводящего материала, второго слоя магнитного материала с последующим их удалением с поверхности резиста и удалении части реЗиста в области между смежными сквозными каналами, отличающ и и с я тем, что, с целью повышения надех ности изготовления носителя, нанесение слоя резистивного материала .осуществляют непосредственно на слой диэлектрика, а нанесение резиста (Осуществляют на слой резистианого

материала, последовательное нанесение первого слоя магнитного материала, слоя проводящего материала и второго слоя магнитного материала осуществляют на слой резиста и слой резистивного материала в сквозных каналах резиста, последующее их удаление с поверхности резиста осуществляют приклеиванием эластичного листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнитного слоя от поверхности резиста, а после удаления части резиста в области между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезистивного материала на слой резиста, слой второго магнитного материала и слой резистивного материала в области между смежными сквозными каналами ипоследующее удаление резиста со всей поверхности слоя резистивного материала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе,

2.IBM Technical Disclose Bulettin, N 20, M 1, June, 1977 (прототип).