Двухсторонняя мозаика для электронно-лучевых приборов Советский патент 1953 года по МПК H01J29/10 H01J31/36 

Заяилсло 21 ноября 1950 г. за Лд 1/3/438625 в Гостсхнику СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений 3 за 1953 г.

И.чобретепие относится к области тслеимзиопиой те.хпики и имеет целью созд;1пие высокочувствительной передающей телевизиогиюй трубки.

В и;11-1более чувеимггельных иереДс1юии1х трубках тьчуа суперортикои видеосигиа.. имеет отрицательную полярност ., что ирн1;однт к невыIoдi o i раенределе ипо шумов на те.мчых н свет.тых участках изображения.

/IiiyxcTOjjcHHJisi мсзаш-са создает видеоеигна, но.тожнтельиой иоляриостн и, с.тедовательио, дает выгодное раснреде.теине 1иу.мов.

Для ос ществлен 1я утой цели мозаика вынол.чяетея в виде мелкоструктурной мета.тлической жалюзиобразиой сетки, одиа сторона которой покрыта слоем диэлектрика ил 11 по,туи|к)вод1 .

Па фиг. 1 нзображеиа мозаика, выно.чнениая сог.пасио изобретети1ю; иа фиг 2.--Т(.тев11зионг1ая трубка е мозаикой.

Мозаика выиолнеиа в виде сиетеД1Ы плястинок, образуюн.1,их жалюзиобраз1|ую сетку. Длина каждой плаетннки жалюз1г равна длине строки раз.чожеьия, а 1наг сетки равен ширине одной строкн. 4iKVTO пластинок равно чис.ту строк разлоя ения. Сетка такой конструкцнн может быть изготовлена, иаири.мер, методом, аналогичным тому, какой применяется д.тя изготовления мелкоструктурных сеток сунерортикона. Слой / диэлектрика может быт, нанесен на одну сторону пластинок, например, Д етодом иаиы.теиия в в;1ку .ме или методом ката(1юреза. Другая, метал.тнческая, сторона 2 всех плаетшюк жа.тюзи обрабатывается так. чтобы коэффициент вторичной эмнесни н.ме.ч но возможности бо.пыиое значение.

Передаюн ая те. евнз110ниая трхбка с дв}-хсторонней жалюзиобразной мозаикой может быть построена, например, как это изображено иа фиг. 2, схематически. Здесь /- СПЛОП1ИОЙ иолупрозрач и 1Й фотокатод, 2-мета.тлнческая стороиа двухсторо.чней }калюзиобр;1зной .мозаики, имеющая относительно фотокатода болы1 ой положительный потенциал. По другую сторону двухсторонней мозаики расположен электронный прожектор 3 и умножитель 4. Пучок быстрых электронов, сканирующий ;Ui 5,КлГ|)И11Ч К) cKipiii.y ll, ;;;;i)i жа.Позп, ii)iiiii),u;T ci 11(1 44ii;.;j;i;i к 110Т1Ч1Цпа, iviopui;) (;;ui прокок Oi4M i. металлпкчкоп )p() .iic). Ilc iKiMtMiioiia nnvTp;i длинной кшлмикп ( иа чгр i-c noiwKiaiia), MaFiiiiTiioo И);к KOiop iii (i6oe;iL-i H3; :T как (boKycrpOiiKy ъ.к-к1р м(Г() liiiuopa/KCiuiSi, iK-jiiiiociiri) L ;|)от()|-:а1ола на дн:1а;;л1:ЧС1 у1С) cl Dpony, так li {|)) |)оплого п Л|ча, скалируи)111СГ() л,(Лчтппчсскую сторс ну ли хсГ()|)();:1011 жал10зпобра: 11(п 1 лЮлглглН. Фо1():Лектро11|11, прохсляшпо г ;li;:ГО атс)ла на еторолх- 2 л,(1:х нных te умасгко игсрнчиьС злскми)1Л11, колп-юспк) ;;T(i -ib;x в 1ча клпн )Ч)чкл нр()Н())н,и)11ал1.Н() ;с1илл ;:1иостн 1Ч)(/тве СП5 -1{)Н1, -ча.-1К(1И изопр;ь-ксння. ;1вн кенис вторнчных -j. eKrp;xi()i$ уекоря.етея но нагнргл леНИК) нрогН15о,ежал1ему участку .Ur-J-ieKTiMHiecKoii н оверхн.лслчк они ;1:;:/к,:Н; |.ч- Koioiiu: ;;. ii;: -н-. ,, -:)1()раи и .i,)ii :;;Ч Д- () гея iip;;ji())i:;:.-: MIOI; uriK-iiii :;:;in; v: . ,,4;;; i)i i;;i;iu.- ;u), ;;;;:Ч) Y,I;-;:;}.I опразом i;o:4 ii i,;i;:. ne.ii,v4l)a p()ii:iii();uiro i i;iv;:;.:.-Kj: iii i pi ixii io с loii разнмщИ, мо r:()i)irijibK; :),1октр.), Aurjaiuv; иамрп л погся па ivroiiiHiiio-j. к x rp()::i;,n .:i:i}:-K iii :ii, г iHvxo/uiOio ь;;;ск:;да b;(iioporo ciMi iaiiC5i ,i,. 11 р (/л м ; i I ( г с с i: i; я 1. ..HyxcT()i) :(i,ai:;-;a л. ;|.(1111()-л npHoupoii. о тп()( :л1Л1ос;:; ала юложнTc.ibnoii iioisipiiocTii. она 15ьл1с;.1:;::на и л10лк{)сгрук-: )11(); мсчал/шчсгкоп хал1;)зн()пр;::лк)л (члкн, на олпу ст(,)р() v)T()pOH нанесен e/ioii лиэлектрика или но. унроволни а. 2. 11р 1менен;че мозанкн но п. 1 в те,:1свн,;|(1лиоц нерелн1инлен т)убкс.