Способ считывания цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1982 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 G11C11/155 

(54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к способам считывания цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на ЦМД.

Известен способ считывания ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку волн, чувствительных к магнитному полю цилиндрического Магнитного домена и фиксации изменения фазовой скорости волн ij

Недостатком известного способа является невысокая надежность считывания ЦМД вследствие использования для считывания поверхностных акустических волн (ПАВ).

Цель изобретения - повышение надежности считывания цилиндрических магнитных доменов.

Поставленная цель достигается тем, что при осуществлении способа считывания цилиндрических магнитных доме- . нов, основанном на воздействии на доменосодержащую пленку волнами, чувствительными к магнитному полю цилиндрического магнитного домена и фиксации изменения фазовой скорости, воздействие на доменосодержаадую пленку

осуществляют магнитостатическими спиновыми волнами.

На чертеже изображено устройство, реализующее способ считывания ЦМД с

5 помощью МСВ. На чертеже цифрами I , I I ,. . .N схематически указаны положения неосновныхрегистров хранения информации в ЗУ на ЦМД, а кружочками положения доменов в неосновных регист10рах. Кружочками А, В,..., С отмечены положения считываемых доменов.

Устройство состоит из детектора, включающего в сеДя две пленки 1 и 2 железо-иттриевого граната (жиг), вдоль

15 которых распространяются МСВ, и фазового детектора, измеряющего время задержки МСВ, возникающей под действием магнитного поля ЦМД. МСВ возбуждаются в пленках 1 и 2 ЖИГ с помощью микро20полоскового преобразователя 3, считываются с помощью микрополосковых преобразователей 4 и 5. Конфигурация магнитного поля в системе такова, что в пленках 1 и 2 возбуждаются прямые объ25емные МСВ. Пленки высокоомного ЖИГ на- носятся на поверхность кристалла с ЦМД, как указано на чертеже, после нанесения тонкой (1000-2000 Л ) пленки диэлектрика. При считывании МСВ воз-30i буждаются микрополосковьлч преобразователем 3 и распространяются вдоль пле нок 1 и 2 ЖИГ. Если в положении А ре гистра 1 находится то под дейст вием его магнитного поля в пленке 1 локальной области с размерами- 2d бу дут меняться магнитные свойства (вну раннее поле, дисперсия и т.д.). Магнитостатическая волна, распространяю щаяся вдоль пленки 1, будет тормозит ся в указанной локальной области, и ее фазовая скорость изменится. Если бы домена в .положении А не было, то волна распространялась бы от возбуждающего к приемному электроду вдоль пленки 1 в течение времени tQ , где L - расстояние от возбуждающего электрода 3 до приемного. 4, V(p - фазовая скорость МСВ. Так как домен -своим магнитным полем влияет на фазовую скорость МСВ, то волна будет распространяться от преобразователя 3,до преобразователя 4 в течение ; времени t. to+ut, где ut tuv/v ; t - изменение скорости МСВ под действием магнитного поля ЦМД, т.е. задержка времени распространения МСВ будет равна ut. Волна, распространяющаяся вдоль пленки 2, бу- дет приходить к преобразователю 5 без задержки. Сигналы, поступающие на преобразователи 4 и 5, можно срав нивать с помощью стандартной схемы, например фазового детектора. С помощью предлагаемого способа считывания можно осуществлять побитное и побайтное считывание ЦМД. Ниже в качестве примера оценим чувствительность предлагаемого способа считывания ЦМД с помощью МСВ. Магнитное поле ЦМД ДН в локальной о ласти с линейными размерами 2d влия ет на фазовую скорость магнитостати ческой волны v, вызывая ее изм нение 4v, причем 1/2 uv/Vq5, где W - частота МСВ} ди) - изменение частоты МСВ под действием поля ЦМДДН. Из закона дисперсии прямых объемных .МСВ следует, что - л И / / Н(н+4ИМ(,), где Н - внешнее постоянное магнитное поле; М - намагниченность ЖИГ. При типичных значениях параметров 41fMb 0,175T (1750 Гс) , ,2-1,6 кА/м 15-20 Э), ,2 кА/м (40Э), мкм получается, что , или Д1 25-30 не. Так как с помощью фазового детектора можно измерять времена задержки ,l%,. то чувствительность предлагаемого способа считывания ЦМД с помощью МСВ оказывается высокой. Способ считывания цилиндрических магнитных доменов по изобретению позволяет повысить надежность считывания в 3-5 раз. Формула изобретения Способ считывания цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку волнами, чувствительными к магнитному полю цилиндрического магнитного домена, и фиксации изменения фазовой скорости волн, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности считывания, воздействие на доменосодержащую пленку осуществляют магнитостатическими спиновьв 1И волнами. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США 4094003, кл.340-174, опублик.1978. 2.Авторское свидетельство СССР 651411, кл. G 11 С 7/00, 1979 (прототип).