Амплитудный селектор Советский патент 1982 года по МПК H03K5/153 H04N5/08 

(54) АМПЛИТУДНЫЙ СЕЛЕКТОР

1

Изобретение относится к импульсной технике и телевидению, в частности к устройствам отделения синхронизирующих импульсов от видеосигнала , и предназначено для использования в телевизионных системах различного. назначения.

Известны е1мплитудные селекторам, в которые для исключения влияний разбросов элементов схемы на уровень отсечки селектора, вводятся цепи, обеспечивающие отдельное выделение нужного уровня отсечки, и затем сравнивающие с ним входной сигнал I .

Однако эти цепи требуют управления синхронными сигналами, что ухудшает такие парамет1 л схекы как время вхождения в синхронизм, устой|чивость к воздействию помех. Кроме того, схема содержит значительное количество конденсаторов, что затрудняет ее выполнение в виде интегральной микросхемы.

Наиболее близким к предлагаемому является селектор, которялй содержит транзистор отделения синхроимпульсов. База транзистора подключена к генератору тока и через переходной конденсатор связана с входной шиной 2.

В этой схеме ток базы транзистора во время синхроимпульса, заряжающий переходной конденсатор, является величиной постоянной, так как ток разряда этого конденсатора между импульсами- стабилизирован генератором тока, и тем самым устраняется влияние разброса параметров входной (базовой) цепи на стабильность работы селектора.

Недостатком известного устро1йства

10 является зависимость качества селектирования от параметров коллекторной цепи и усиления транзистора, разброс которах влияет на величину тока базы (Ig), при которой происходит

15 отсечка части синхроимпульса за счет насыщения в коллекторной цепи, т.е. влияет на уровень отделения (отсечки) синхроимпульсов в селекторе

20 а в режиме насьпцения V Е. Отсюда

Е I -- , где Е - напряжение пиD 0ТС Ллг |Ь

тания, R - сопротивление коллекторной нагрузки; - напряжение на

25 К коэффициент усиления транзистора по току; 1к.АаС Б-ОТС ° коллектора в режиме насыщения.

В кристалле интегральной cxevsa с высокой точностью выдерживается

30 соотношение сопротивлений и равенство коэффициентов усиления транзисторов одинакового типа проводимоти, но от кристалла к кристаллу эти параметры меняются с разбросом до ±50%. Поэтому в известном селекторе .величина уровень отделения синхроимпульсов могут изменяться в значительных пределах.

Цель изобретения - повышение стабильности селектора и, следрва-. тельно, качества синхронизации, за счет исключения влияния разбросов параметров элементов на уровень отделения синхроимпульсов.

Поставленная цель достигается те что в амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и через переходной конденсатор соединена с входной шиной, введены второй транзистор, к базе которого под ключей второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к вы ходной шине, причем первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип прводимости.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит первый транзистор 1, первый генератор 2 тока, переходной конденсатор 3, второй транзистор 4, второй генератор 5 то ка, коллекторные резисто лл б и 7 первого и второго транзисторов, третий транзистор 8 с коллекторным резистором 9.

Устройство работает следующим . образом.

При воздействии cинxpoи пyльcoв на коллекторном резисторе б первого транзистора 1 возникает напряжение Ч IF, 6 тае Ig - ток базы транзистора 1; jb, - коэффициент усиления транзистора 1; R сопротивление коллекторного резистора 6.

Этот потенциал подается на баЗУ транзистора 8, при этом на его эмиттер заведено запирающее; напряжение, создаваемое током транзистора 4 на резисторе 7 V7 1 R, где 1 генератора 5 тока; коэффициент усиления транзистора 4; R- -сопротивление коллекторного резистора 7.

При равенстве потенциалов на резисторах б и 7 транзистор 8 откроется, и на его выходе появится сигнал Условие появления выходного напряжения (независимо от параметров транзистора 8) имеет вид (, или

IEOTC (Ь,- Нб 1б Р4 7 Iae Ipore значение тока базы транзистора 1,

соответствующее появлению импульса на выходе схемы. Отсюда

J Ig j , RT

-Е-ОТС

6

,6

.Так как внутри кристалла коэффициенты усиления одинакового типа проводимости транзисторов равны, а соотношения номиналов резисторов выдерживаются с высокой точностью, то

R

%отс

5- Rg

R7

IP и постоянные величины.

н

Отсюда IP отс const.

Следовательно, уровень отсечки . не зависит от разбросов элементов схемы и определяется только постоянными величинами - соотношением номиналов коллекторных резисторов б и 7 и величиной тока генератора 5 тока.

Таким образом, введение второго транзистора, к базе которого подключен второй генератор тока, и третьего транзистора, база и эмиттер которого связаны с коллекторами первого и второго транзисторов, а коллектор связан с выходом устройства, при этом первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости, отличает предлагаекый амплитудный селектор от прототипа тем что стабилизация уровня отсечки происходит не только за счет исключени влияния на него разброса параметров входной цепи, но и за счет исключения влияния на него разброса параметров транзисторов и элементов выходной цепи.

Достигаемая при этом стабилизаци уровня отсечки синхроимпульсов позволяет повысить качество селектирования и синхронизации при упрощении требований к технологии изготовления схем, повысить процент выхода годных микросхем, а также исключить необходимость установки внешних устройств селектирования.

Применение предлагаемого устройсва повышает стабильность уровня отсечки.

Формула изобретения

Амплитудный селектор, содержащий первый транзистор, база которого подключена к генератору тока и через переходной конденсатогэ соединена с входной шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности, в него введены второй транзистор, к базе которого подсоединен второй генератор тока, и третий транзистор, база и эмиттер которого соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, а коллектор подключен к выходной шине, причем первый и второй транзисторы имеют одинаковый тип проводимости.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент ФРГ 2726493, кл. Н 04 N 5/16, 1977.

2.Патент Франции 2179130, кл. Н 04 N 5/08, 1973.