Устройство для сверхвысокочастотной сушки мелкодисперсных полупроводящих материалов Советский патент 1982 года по МПК H05B6/64 

Изобретение относится к сверхвысокочастотной сушке и может исполь. зоваться для сушки мелкодисперсных полупроводящих материалов, в частности железорудных концентраторов, в горнорудной, металлургической, угольной, химической и других отраслях народного хозяйства.

Известно устройство для свёрхвысокочастотной сушки, содержащее генератор, подключенный через волновод к облучателю, установленному над конвейером 1.

Однако известное устройство для сверхвысокочастотной сушки имеет низкий коэффициент полезного действия (КПД) при сушке полупроводящих материалов .

Цель изобретения - увеличение КПД.

Для достижения цели в устройстве для сверхвысокочастотной сушки, содержащем генератор, подключенный через волновод к облучателю, установленному над конвейером, облучатель .выполнен П-образной формы и на его верхней стенке перпендикулярно к ней и симметрично относительно боковых стенок установлена металлическая пластина, а в нижней части бокорых стенок облучателя размещен козырек, внутри которого по всему периметру выполнен четвертьволновый паз, при этом волнойоД подключен симметрично,облучателю.

Кроме того, металлическая пластина выполнена высотой, кратной четверти длины волны в облучателе, а четвертьволновый паз заполнен диэлектриком .

10

Причем к волноводу подключен источник сжатого воздуха.

На фиг. 1 представлена конструкция устройства,- на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.

15

Устройство содержит генератор 1, волновод 2, облучатель 3, конвейер 4, металлическую пластину 5, козырек 6, четвертьволновый паз 7, канал 8, коротко замыкающие настраивёио20щие поршни 9.

Устройство работает следующим образом.

Вырабатываемая генератором 1 энергия по волноводу 2 поступает в облучатель 3. Облучатель П-образной

формы, одной стенкой которого является обрабатываемой мелкодисперсный полупроводящий материал, размещенный на конвейере 4, представляет собой , 30 линию с потерями. За счет того, что вдоль облучателя 3 размещена металлическая пластина 5, кбторая совмес но с боковыми стенками облучателя 3 выполняет функции-направляюсчей системы, вдоль облучателя 3 распростра няется бегущая электромагнитная вол на. При этом вследствие поглощения сверхвысокочастотной энергии полупроводящим материалом амплитуда бег щей волны, по мере распространения вдоль облучателя 3, экспоненциально уменыиается. Таким образом, практически вся вводимая в облучатель 3 энергия поглощается полупроводящим материалом, чем достигается высокий КПД. Высота металлической пластины 5 в облучателе 3 кратна четверти дли-ны волны в облучателе 3. Это обеспе чивает работу облучателя 3 в режиме бегущей волны, а также хорошее оогласование облучателя 3 с высушивае мым материалом. В процессе работы устройства часть электромагнитной энергии всле ствие дифракции может теряться на излучение в открытое пространство. Для предотвращения этого в нижней части боковых стенок облучателя 3 .размещен козырек б, по всему периМетру которого выполнен четвертьвол новый паз 7. Слой обрабатываемого полупроводящего материала, расположенного на конвейере 4, и козырек б с четвертьволновым пазом 7 образуют систему, работающую в режиме короткого замыкания. Благодаря этому излучение электромагнитной энергии в открытое пространство отсутствует Четвертьволновый паз 7 заполне диэлектриком с малыми потерями, что приводит к повышению надежности и эффективности работы вследствие отсутствия его загрязнения. Волново 2 подключен симметрично облучателю 3, что приводит к тому, что подводимая электромагнитная энергия дели ся на две равные части и волны распространяются в противоположньрс направлениях : В устройстве предусмотрен канал 8, по которому к волноводу 2, а затем к облучателю 3 поступает сжатый воздух. В облучателе 3 создают избыточное давление воздуха, что приводит к увеличению электрической прочности из-за отсутствия в нем пара, который уходит через зазоры между козырьком 6 и конвейером 4 с обрабатываемым материалом. .Использование предлагаемого устройства по сравнению с известным позволяет увеличить КПД при сушке мелкодисперсных полупроводящих материалов . Формула изобретения 1.Устройство для сверхвысокочастотной сушки мелкодисперсных полупроводящих материалов, содержащее генератор, подключенный через волновод к.облучателю, установленному над конвейером, отличающеес я тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного действия, облучатель выполнен П-образной формы и на его верхней стенке перпендикулярно к ней и симметрично относительно боковых стенок установлена металлическая пластина, а в нижней части боковых стенок облучателя размещен козырек, внутри которого по всему периметру выполнен четвертьволновый паз, при этом волновод подЬ лючен симметрично облучателю. 2.Устройство по П.1, от л и чающееся тем,; что металлическая пластина выполнена высотой, кратной четверти длины волны в облучателе. 3.Устройство по П.1, о т л и -. чающееся тем, что четвертьволновый паз заполнен диэлектриком. 4.Устройство по П.1, отлиающееся тем, что к волноводу подключен источник сжатого воздуха. 7 ., Источники информации, ринятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР №414819, кл. Н 05 В 6/64, 1971 (проотип).