Одновибратор Советский патент 1982 года по МПК H03K3/284 

(54) ОДНОВИБРАТОР

1

Изобретение относится к. вычислитель но технике и может быть использовано в различных устройствах автоматики, телемеханики и вычислительной техники в качестве, например, формирователя импульсов, элемента задержки, реле времени и т.д.

Известны оановибраторы, вьшолненные на полупроводниковых элементах с использованием времязадаюшей R С-цепи fl 3 to

.иС23.

Недостаток таких одновибраторов заключается в низком КПД, обусловленном малой амплитудой выходных импульсов, составляющей часть напряжения источника 15 питания.

Наиболее близким к предлагаемо чг техническому решению является одновибратор, ссяержащий времязадаюшую RC цепь и два транзистора разного типа про-ЭО водимости СЗ J .

Недостаток известного устройства низкий КПД, обусловленный малым отношением величины напряжения выходных импульсов к величине напряжения питания.

Цель изобретения - повышение КПД.

Цель достигается за счет того, что в одновибраторе, содержащем подключенную между шиной питания и обшей шиной вре Мязадаюшую Rc-цепь и два транзистора разной проводимости, включенные по схеме эквивалента двухбазового диода, причем эмиттер р-п-р транзистора подсоединен к вьгкоду RС-цепи, а коллектор транзистора, подсоединенного ром к обшей шине, подключен к выходу устройства и через резистор - к шине питания, в качестве р-п-р транзистора использован двухэмиттерный транзистор, подключенный вторым эмиттером через резистор к шине питания и, кроме того, введен стабилитрон, подключенный анодом к коллектору р-п-р транзистора, а катодом - к выходу R с.-цепи,

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора. Оановибратор соде рк иг п-р-п транзиотор 1, база и коллектор которого соедине- ни соответственно с коллектором и базой р-п-р транзистора 2. Эмиттер транзистора 1 соед1фен с общей шиной, первый эмиттер транзистора 2, через конденсатор 3 время задаюшей 1 С-цепи соединен с обшей шиной и через резистор 4 RC-цепи соединен с Шиной 5 питания. Точка соединения коллектора транзистора 1 с базой транзис тора 2 подключена к выходу 6 устройства и через резистор 7 нагрузки - к шине 5 питания. Анод стабилитрона 8 подключе к точке соединения первого эмиттера транзистора 2 с конденсатором 3 и резистором 4, второй эмиттер транзистора 2соединен с входом 9 запуска и через резистор Ю подключен к шине 5 питания Одновибратор работает следующим образом. После подклвэчения питания конденсатор 3разряжен и транзисторы 1 и 2 нахо- дятся в зак1н 1том состоянии. Конденсатор 3 заряжается через резистор 4 от шины 5 питания. Когда напряжение на коНгденсаторе 3 превысит напряжение стабилизации стабилитрона 8, последний откроется. Ток стабилитрона 8 проходит через переход база - эмчттер транзистора 1, что пp feoдит к возникновению тока коллектора транзистора 1, который сместит переход база - второй эмиттер транзистора 2 в направлении и приведет к возникновеншо тока коллектора транзистора 2 и к еше большему открыванию транзистора 1, в результате чего возникнет лавинообразный процесс открывания и насьш1ения обоих транзисторов. Конден« сатор 3 разрядится чераз первый эмиттер транзистора 2 и через насьшхенные тран- зисторы 1 и 2. Данный процесс приведет к исходному состоянию рцновибратора, в котором оба транзистора открыты и удерживаются в насыщенном состоянии током через резис- тор 10, причем на выходе 6 поддеркива ется низкий потенциал. При подаче на вход 9 запуска отрицательного импульса (или закорачивания входа 9 на общую шину) ток второго эмиттера транзистора 2 уменьшается до нуля, а тока, протекающего через резистор 4 и первый эмиттер транзистора 2, недостаточно для удержания транзисторов 1 в 2 в насыщенном состоянии (для это. го велич1ша резистора 4 должна быть дос таточно большой), транзисторы закроются и на выхопе 6 возникнет высокий потенциал. Конденсатор 3 начнет заряж&ться через резистор 4 от шины 5 питания, через некоторое время, определяемое величиной резистора 4 и конденсатора 3, напряжение на конденсаторе 3 превысит напряжение стабилизации стабилитрона 8, и ток, возникший через стабилитрси, приведет к лавинообразному процессу включения транзисторов 1 и 2, в результате чего на выходе 6 исчезнет высокий потенциал, закончится формирование выходп ного импульса, Таким образом, стабилитрон определяет порог включения эквивалента двух- базового диода, делает его независимым от напряжения питания устройства, и благодаря отсутствию резисторного делителя для задания порога достигается увеличение амплитуды выходных импульсов до напряжения питания и повышается КПД устройства. Формула изобретения , Одновибратор, содержащий подключенную между шиной питания и общей шиной времязад ющую Rc-Mienb и два транзист:р ра разной проводимости, включенные по схеме эквивалента двухбазового диода, причем эмиттер р-п-р транзистора подсоединен к выходу RC-цепи, а коллектор п-р-п транзистора, подсоединенного эмит те ром к общей шине, подключен к выходу .устройства Е через резистор - к шине питания, отличающийся тем, что, с целью повьщ1ения КПД, в качестве транзистора использован двухэмит- те pHbrif транзистор, подключенный вторым эмиттером через резистор к. шине питания и, кроме того, введен стабилитрон, подключенный анодом к коллектору транзистора, а катодом - к выходу RC-. цепи. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 39612О7, кл. Н ОЗ К 3/284, опублик. 1967, 2.Авторское свидетельство СССР № 832710, р. Н 03 К 3/284, 1979. 3.Авторское свидетельство СССР Ьй 739715, кл, И 03 К 3/017. 1976 (прототип).

А

izfs

х