Способ определения фоточувствительности носителя записи оптической информации Советский патент 1983 года по МПК G03G13/00 

Изобретение относится к электрофотографии и может быть использовано при определении фоточувствительности таких носителей регистрации информации, как электрофотографических и электрорадиографических слоев, а. Также видиконовых мишеней. Известен способ определения фоточувствительности носителя записи ОПТ ческой информации, заключающийся в зарядке носителя до предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 50%, фиксировании времени полуспада потенциала, измерении спсща потенциала в темноте за время полуспада потенциала при экспонировании и расчет фоточувствительности 1. Недостатком известного способа является неточность определения фото чувствительности носителя записи оптической информации. Целью изобретения является повыше ние точности определения фоточувстви тельности носителя записи оптической информации. Поставленная цель достигается тем что согласно способу определения фот точувствительности носителя записи оптической информации, заключающемся в зарядке носителя до предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 50%, фиксировании времени полуспада потенциала, измерении спада потенциала в темноте за время полуспада потенциала при экспонировании и расчет фоточувствительности, измерение спада потенциала в темноте и при экспонировании осуществляют на разных участках носителя одновременно, при этом получают величину предельного значения потенциала зарядки, величину потенциала в затемненном участке носителя в момент времени полуспада потенциала при экспонировании, время полуспада потенциала при экспонировании, при этом в зависимости от полученных результатов расчитывают фоточувствительность по аналитическим формулам.с учетом кинетики спада по- тенциалов в темноте и при экспониро ании, причем фоточувствительность в случае спгща потенциала в темноте по гиперболе расчитывают по формуле hь(-DT-),)где S - фоточувствительность носи теля, ед. ГОСТа; предельное значение потен циала зарядки, В ; потенциал в затемненном . участке носителя в момент времени полуспада потенци ла при экспонировании, В время полуспада потенциал при экспонировании, с; интенсивность освещенноети, лк; коэффициент, определяющий кинетику фоторазрядки, пр э том р 0,56 - в случае фоторазрядки по параболе р 0,54 - в случае фоторазрядки по экспоненте ,58 - в случае фоторазрядки по прямой р 0,50 - в случае фоторазрядки по гиперболе Кроме того, фоточувствительность в случае спала потенциала в темноте по экспоненте расчитывают по формуле o/f 5 И2я,Еп где с - коэффициент определяющий за кономерности фоторазрядки, при этом С) 0,72 - в случае фоторазрядки по параболе q 0,73 - в случае фоторазрядки 1 по экспоненте q 0,75 - в случае фоторазрядки ; по прямой ; Остальные показатели те же. Физическая сущность-способа закл чается в том, что зная закономернос ти кинетики спада потенциала в темноте и при освещении, можно получит общие выражения величины спада поте циала в темноте за любой промежуток времени, в том числе и за время полуспада потенциала при экспонировании -С учетом зависимости скорости разрядки от величины потенциала. Для того, чтобы определить вклад темновой разрядки в общий спад потенциала за время полуспада потенци ла при экспонировании, необходимо отдельно установить закономерности разрядки носителя в темноте и при. освещении хотя бы до половины его спада. Мгновенное время релаксации кинетики спада потенциала в темноте особенно в«первой его половине спада, таких носителей как селен, трех селенистого мышьяка органических по лупроводников и других, как правило с понижением потенциала монотонно возрастает, такая закономерность ки нетики разрядки наиболее корректно может быть описана гиперболой, пара метры которой находятся из начально стадии кинетики спада потенциала. . Первая половина спада потенциала при экспонировании светом для некоторых носителей с достаточной точност1зю можно описать параболой, проход51щей через точку начального потенциала в начале экспонирования, значение половины начального потенциала при времени полуспада и нулевое его значение при облучении жестким излучением разрядка слоев селена хорошо описывается экспонентой. С учетом указанных закономерностей получено выражение для определения значения темного спада потенциала за время полуспада при экспониро-. вании ди, -р °(),.. когда разряд слоя в темноте происходит по экспоненте (это характерино для некоторых мишений видиконов),то значение темнового спада потенциала за время полуспада при экспонировании., выражается формулой ли qUoln фиг. 1 изображены временные диаграммы: фиг. 1а - график кинетики темновой разрядки слоя в неосвещенной зоне ( интервал времени полуспада потенциала слоя в зоне экспозиции, и - значение потенциала слоя в неосвещенной зоне в момент когда значение потенциала слоя в освещенной зоне равно Uo/2 фиг. 16.график кинетики слоя в зоне экспозиции; на фиг. 2 - блок-схема устройства для осуществления способа; на фиг. 3 - графики последовательностей операций определения фоточувствительности электрографического слоя (UQ- потенциал слоя в момент начала .экспозиции, - значение полуспада потенциала слоя). Устройство для осуществления способа содержит электрофотографический слой 1, проводящую подложку 2, сигнальный электрод 3 неосвещенной области, сигнальный электрод 4 освещенной области, электрометры 5 и б, блок 7 источника экспозиции, пиковый детектор 8, делитель 9 уровня, схема 10 совпадения, прибор 11 регистрирующий время, управляющий блок 12. Устройство работает следующим образом. Предварительно заряженный до определенного поверхностного электрического потенциала электрографический слой 1 с заземленной подложкой 2 помещается под сигнальными электродами 3 и 4, которые соединены со входами измерителей поверхностного потенциала 5, измеряющего изменение потенциала слоя в темноте (темновой спад или саморазрядка) и измеряющего изменение потенциала слоя в освещенной области 6, (схемы измерителей поверхностного электрического потенциала Эфе широко известны). Управлякяций блок 12 выдает синхроимпуль начала измерения,включая блок экспо зиции, дающий полубесконечный импул актиничного излучения, экспонируя поверхность слоя только под электро дом 4, под электродом 3 она остаетс в темноте. Синхроимпульсом с выхода блока 12 запускается прибор 11 регистрщ ующий время, С выхода измерителя б сигнал поступает на вход управляе мого пикового детектора 8, на управ ляющий вход также подается синхроим пульс, фиксируя при этом значение поверхностного электрического потенциала в момент начала измерения. С выхода пикового детектора 8 сигнал поступает .на блок 9 делителя уровня коэффициент деления делителя уровня равен двум. С выхода делителя 9 уров .ня сигнал поступает на вход схемы 10 совпадения, на другой вход схемы совпадения поступает сигнал от измерителя 6 поверхностного потенциала, В момент совпадения схема совпадения выдает импульс, который остановит время-регистрирующее устройство 11, регистрируя тем самым значение времени полуспада потенциала слоя. Применение предложенного способа .позволяет повысить точность определения фоточувствительности ЭФС за счет исключения его темновой разрядки, а также сократить сам процесс определения фоточувствительности, так как при определении основных параметров слоя производится за период, равный времени полуспада потенциала его фоторазрядки. Формула изобретения 1. Способ определения фоточувствительности носителя записи оптической информации, заключающийся в зарядке носителя ДО предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 50%, фиксировании времени полуспада потенциала, измереНИИ спада потенциала в темноте за время полуспада потенциала при экспо нировании и расчет фоточувствительности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения фоточувствительности, изме рение спада, потенциала в темноте и при экспонировании осуществляют на разных участках носителя одновременно, при этом получают величину предельного значения потенциала зарядки, величинуПотенциала в затемненном участке носителя в момент времени полуспада потенциала при экспонировании, время прлуспада потенциала при экспднировании, при этом в зависимости от полученных результатов рассчитывают фоточувствительность по аналитическим формулам с учетом кинетики спада потенциалов в темноте и при экспонировании. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фоточувствительность в случае спада потенциала в темноте по гиперболе расчитывают по формуле 5,-.p(-l)(L., Дб S - фоточувствительность носителя, ед. ГОСТа; Ug - предельное значение потенциала зарядки. В; U-) - потенциал в затемненном участке носителя в момент времени полуспада при экспонировании, В; и„1, время полу спада пот.енциала .при экспонирований, с j интенсивность освещённости, лк; коэффициентг определяющий кинетику фоторазрядки, при этом . 0,56 - в случае фоторазрядки по параболе 0,54 - в случае фоторазрядки по экспоненте 0,58 - в случае фоторазр:ндки по прямой 0,50 - в случае фоторазрядки по гиперболе 3. Способ по п. 1, о т л и ч а юи и с я тем, что фоточувствительость в случае спада потенциала в емноте по экспоненте расчитывают о формуле .-)(L.tU„,2)де q - коэффициент определяющий закономерности фоторазрядки, ри этом q 0,72 - в случае фоторазрядки по параболе g 0,73 - в случае фоторазрядки по экспоненте q t 0,75 - в случае фоторазрядки по прямой, стальные показатели те же. Истючники информации, ринятые, во внимание при экспертизе 1. Гайдялис В.И.(Маркевич Н.Н., онтримас Э.А. Физические процессы электрофотографических слоях ZnO. ильнюс, 1968, с. 78-79.

Фиг. 2