,го конденсатора 6 через открытый канал первая база - вторая база включенного пентода 1, сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 12 и ограничительный резистор 10 на отрицательную шину источника питания. Начальная ступень выходного, напряжения образуется за счет прохождения управляющего тока через открытый канал первая база - вторая база и переход первая база - первый эмиттер пенгода 1, обеспечивающего заряд накопительного конденсатора 2 через от, открытый коллекторный переход пентода 1 до амплитуды,определяемой напряжением на втором эмиттере пентода 1. При равных потенциалах на дозирующем и- накопительном конденсаторах пентод 1 переходит в закрытое состояние. Процесс перезаряда дозирующего конденсатора б продолжается до максималь ного напряжения на дозирующем и на-, копительном конденсаторах, равного пороговому напряжению, ключевого элемента. После разряда накопительного конденсатора через ключевой элемент схема возвращается в исходное состояние и начинается процесс формирования начальной ступеньки напряжения.
Сопротивление каналов сток-исток полевых транзисторов с затворами, птипа увеличивается с ростом выходного напряжения. Постоянная времени заряда дозирующего конденсатора 6 до напряжения включения пентода 1 по второй базе также возрастает, что увеличивает стабильность .длительности формируемых ступеней в закрытом состоянии пентода 1.
При открытом состоянии полупроводникового пентода 1 увеличение выход;ного напряжения на накопительном
конденсаторе приводит к возрастанию коллекторного напряжения пентода 1. Сопротивление открытого канала первая база - вторая база пентода 1 при этом увеличивается, что ведет к уменьшению управляющего тока канала Стабильность управляющего тока через переход первая база - первый эмиттер пентода 1 повышается за счет увеличения сопротивления канала сток-исток второго полевого транзистора 12 в цепи разряда дозирующего конденсатора б. Тем самым повышается стабильность амплитуды формируемых ступеней
Изменением потенциала на втором эмиттере пентода 1 осуществляется регулирование.- длительности, амплитуды и количества ступеней выходного напряжения. Например, с увеличением потенциала на втором эмиттере пентод 1 увеличивается длительность и количество формируемых ступеней и уменьшается их амплитуда.
Формула изобретения
Генератор ступенчатого напряжения По авт.св. № 475725, -отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы, в него введены два полевых транзистора, затворы которых соединены и подключены к первому эмиттеру полупроводникового пентода, сток первого полевого транзистора подключен к второму выводу резистора смещения, исток - к второй базе полупроводникового пентода, сток второго полевого транзистора соединен с первой базой полупроводникового пентода, а исток - с вторым выводом второго ограничительного резистора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР 475725, кл. И 03 К 4/02, 02.01.74.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Генератор ступенчатых напряжений | 1974 |
|
SU475725A1 |
Преобразователь тока в частоту | 1973 |
|
SU517154A1 |
Устройство для управления мощным полевым транзистором | 1990 |
|
SU1725333A1 |
КЛЮЧЕВОЙ КАСКАД | 1991 |
|
RU2007858C1 |
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием | 2018 |
|
RU2713559C2 |
Устройство выборки и хранения | 1980 |
|
SU921087A1 |
Тензопреобразователь | 1979 |
|
SU842396A1 |
Генератор линейно изменяющегося напряжения | 1985 |
|
SU1307542A1 |
ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ С ЭМИТТЕРНОЙ КОММУТАЦИЕЙ | 2003 |
|
RU2236745C1 |
Формирователь пилообразного напряжения | 1980 |
|
SU919069A1 |
Авторы
Даты
1983-02-07—Публикация
1981-05-21—Подача