СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ &&& Российский патент 1994 года по МПК H01L21/477 

Описание патента на изобретение RU2022402C1

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемников дальнего инфракрасного диапазона с большой обнаружительной способностью.

Известен способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHg1-xTe методом молекулярно-лучевой эпитаксий [1].

Способ позволяет получать варизонные структуры с положительным и отрицательным градиентом ширины запрещенной зоны. Однако до настоящего времени не существует отработанной технологии получения варизонных структур с заданным градиентом ширины запрещенной зоны. Это обусловлено тем, что метод требует применения больших потоков ртутьсодержащих компонентов (на 3-4 порядка выше потоков компонентов, содержащих Cd или Te) из-за малого коэффициента прилипания атомов Hg. Такое несоответствие требуемых величин потоков является принципиальной трудностью при выращивании варизонных структур с управляемой величиной градиента ширины запрещенной зоны, и поэтому этот метод до настоящего времени используется для выращивания эпитаксиальных структур определенного состава.

Наиболее близким техническим решением является способ создания пленок твердых растворов Cdx Hg1-x Te с варизонной структурой, включающий нанесение на подложку из CdTe эпитаксиального слоя HgTe и отжиг системы в парах Hg [2]. Однако данный способ позволяет создавать пленки лишь с убывающей к поверхности шириной запрещенной зоны ( ▿ Eg > 0).

Целью изобретения является осуществление возможности создания варизонной структуры с плавно возрастающей шириной запрещенной зоны к поверхности полупроводника.

Цель достигается тем, что на пластину из Cdx Hg1-x Te наносят эпитаксиальный слой CdTe толщиной 100-50000 , затем на обе cтороны плаcтины c эпитакcиальным cлоем наноcят капсулирующий диэлектрический слой, в котором отсутствует диффузия ртути кадмия и теллура, и проводят отжиг при температуре 100-600оС.

Чтобы получить структуру с улучшенными фотоэлектрическими свойствами, проводят дополнительный отжиг при температуре 100-250оС, если температура основного отжига находится в интервале 350-600оС, и удаляют поверхностный слой полупроводниковой пластины до достижения рабочей области варизонной структуры.

В качестве диэлектрического слоя для улучшения капсулирования предлагается использовать слой диоксида кремния, нитрида кремния или сочетание этих слоев.

Взаимная диффузия на границе раздела CdTe - CdxHg1-x Te приводит к "расплыванию" резкой границы, создавая варизонную структуру с плавно меняющейся шириной запрещенной зоны. Взаимная диффузия имеет активационный характер: чем больше температура, тем больше и коэффициент взаимной диффузии. Поэтому для создания варизонной структуры определенной толщины, а, следовательно, и значения ▿ Eg, необходимо тем дольше проводить отжиг, чем меньше температура отжига. В силу сильной зависимости D от T и X получение заданного изменения величины X (или градиента ширины запрещенной зоны) в варизонной области возможно путем ступенчатых отжигов при разной температуре. Определить необходимую зависимость температуры отжига от времени можно либо численным решением диффузионного уравнения, либо эмпирическим способом. В последнем случае, определяя на спутниковых образцах величину X (по положению пиков интенсивности в спектрах отражения) при послойном стравливании, строят зависимость X = f (Z), находят соответствующие значения ширины запрещенной зоны и проводят необходимую коррекцию для последующего отжига.

Толщина варизонного слоя определяется из известного выражения для длины диффузии. Зависимость коэффициента самодиффузии D (X, T) от состава X и температуры T для Cdx Hg1-x Te приведена в таблице.

Введение дополнительного отжига обусловлено необходимостью устранения дефектов, появляющихся во время основного отжига при температурах более 350оС.

Пример реализации.

На полупроводниковую пластину из Cd0,2 Hg0,8 Te при температуре 120оС в вакууме не хуже 5 ˙ 10-8 Па методом молекулярно-лучевой эпитаксии нанесен слой CdTe толщиной 2,1 мкм. Затем с двух сторон был нанесен капсулирующий слой пиролитического SiO2 толщиной 2000 при температуре ≈ 100оС и произведен отжиг при 350оС в течение 10 ч и дополнительный отжиг при 200оС в течение 1 ч.

Похожие патенты RU2022402C1

название год авторы номер документа
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА 2008
  • Сидоров Юрий Георгиевич
  • Дворецкий Сергей Алексеевич
  • Варавин Василий Семёнович
  • Михайлов Николай Николаевич
RU2373606C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ 2008
  • Варавин Василий Семенович
  • Предеин Александр Владиленович
  • Ремесник Владимир Григорьевич
  • Сабинина Ирина Викторовна
  • Сидоров Георгий Юрьевич
  • Сидоров Юрий Георгиевич
RU2373609C1
ДВУХЦВЕТНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК С ЭЛЕКТРОННЫМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ ДИАПАЗОНОВ 1991
  • Мищенко А.М.
  • Мищенко Т.М.
SU1823722A1
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ИНФРАКРАСНОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2021
  • Войцеховский Александр Васильевич
  • Горн Дмитрий Игоревич
  • Несмелов Сергей Николаевич
  • Дзядух Станислав Михайлович
  • Михайлов Николай Николаевич
  • Дворецкий Сергей Алексеевич
  • Сидоров Георгий Юрьевич
RU2769232C1
ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ CdHgTe (ВАРИАНТЫ) 2003
  • Гусаров А.В.
  • Ларцев И.Ю.
  • Смолин О.В.
  • Сусов Е.В.
RU2244366C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК ТИПА АВ 1984
  • Алехин Анатолий Павлович
  • Васенков Александр Анатольевич
  • Емельянов Аркадий Владимирович
  • Чегнов Владимир Петрович
  • Чегнова Ольга Ивановна
SU1840208A1
Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути 2015
  • Головин Сергей Вадимович
  • Кашуба Алексей Сергеевич
RU2611211C1
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО 2003
  • Гусаров А.В.
  • Володин Е.Б.
  • Ларцев И.Ю.
  • Смолин О.В.
  • Сусов Е.В.
RU2244365C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ N - P-ПЕРЕХОДОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CDHGTE 1992
  • Кремаренко А.А.
  • Ловягин Р.Н.
  • Овсюк В.Н.
RU2062527C1
ФОТОДИОДНЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2006
  • Васильев Владимир Васильевич
  • Варавин Василий Семенович
  • Дворецкий Сергей Алексеевич
  • Михайлов Николай Николаевич
  • Сусляков Александр Олегович
  • Сидоров Юрий Георгиевич
  • Асеев Александр Леонидович
RU2310949C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 022 402 C1

Реферат патента 1994 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ &&&

Использование: изобретение может быть использовано при создании фотоприемников дальнего инфракрасного диапазона с большой обнаружительной способностью. Сущность изобретения: на пластину из CdxHg1-x наносят эпитаксиальный слой CdTe, затем на обе стороны пластины наносят капсулирующий диэлектрический слой, проводят отжиг и удаляют диэлектрический слой. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Формула изобретения RU 2 022 402 C1

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ CdxHg1-xTe , включающий нанесение слоя, содержащего Te, на пластину, содержашую Cd и Te, и проведение отжига, отличающийся тем, что, с целью осуществления возможности создания варизонной структуры с плавно возврастающей шириной запрещенной зоны к поверхности полупроводника, используют пластину из Cdx Hg1-x Te, наносят на нее эпитаксиальный слой Cd Te толщиной 100 - 50000 , затем на обе стороны пластины с эпитаксиальным слоем наносят капсилирующий диэлектрический слой, в котором отсутствует диффузия ртути, кадмия и теллура, и проводят отжиг при 100 - 600oС. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучщения фотоэлектрических свойств структуры, проводят дополнительный отжиг при 100 - 250oС, если температура основного отжига находится в интервале 350 - 600oС, и удаляют поверхностный слой полупроводниковой пластины до достижения рабочей области варизонной структуры. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрического слоя используют слой диоксида кремния, нитрида кремния или сочетание этих слоев.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1994 года RU2022402C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Физика соединений А "В"
Под ред
Георгобиани А.Н., Шейнкмана М.К., М.: Наука, 1986, с.320.

RU 2 022 402 C1

Авторы

Ремесник В.Г.

Михайлов Н.Н.

Мищенко А.М.

Даты

1994-10-30Публикация

1990-08-29Подача