СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА Российский патент 1994 года по МПК H01L21/335 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в различных типах интегральных схем с высокой степенью интеграции.

Основным элементом большинства БИС с высоким быстродействием являются МОП-транзисторы с мелкозалегающими областями стока и истока. Применение электродов затвора со структурой силицид тугоплавкого металла - поликремний (полицид) и шунтирование областей стока и истока транзистора пленкой силицида тугоплавкого металла с низким удельным сопротивлением позволяют повысить частоту работы транзистора и уменьшить потребляемую им мощность.

Известен способ формирования МОП-транзистора с силицированными областями стока, истока и электродом затвора [1], предусматривающий сораспыление сплава Тi и Si в соотношении 1:1 на поверхность структуры со сформированным по стандартной поликремниевой технологии затвором. Далее структура подвергается силицирующему отжигу. Дисилицид титана при этом формируется на поверхностях областей стока, истока, поликремниевого электрода затвора, на поверхности двуокиси кремния формируются силициды титана, обогащенные металлом. Далее структура окисляется, при этом на поверхности дисилицида титана растет пленка двуокиси кремния, над остальными областями формируются пленки окислов металлов сложного состава. Во время окисления поликремниевые электроды затворов уменьшаются в размерах (из-за расхода кремния при окислении), а пленка дисилицида титана погружается в глубину областей стока и истока, в результате чего электрод затвора оказывается электрически изолированным от стока и истока областью двуокиси кремния.

Недостатками данного способа являются необходимость строгого контроля операции окисления, а кроме того, трудность определения окончания процесса формирования структуры и, как следствие этого, плохая восприимчивость процесса, а также возможность нежелательного перераспределения примеси в областях стока и истока.

Эти недостатки устраняемы при разделении электрода затвора и областей стока и истока пленкой двуокиси кремния, сформированной до операции их силицирования. Известен способ изготовления МОП-транзистора с силицированными областями стока, истока и электрода затвора [2], предусматривающий формирование областей двуокиси кремния, предотвращающих закорачивание областей стока и истока с электродом затвора в процессе силицидообразования путем окисления боковых стенок поликремниевого электрода затвора.

Такой способ требует применения подзатворного диэлектрика со сложной структурой двуокись кремния - нитрид кремния. Недостатком этого метода является наличие дополнительной границы раздела в структуре, что приводит к изменению величины встроенного заряда в подзатворном диэлектрике, ухудшающему воспроизводимость значения порогового напряжения транзистора. Такой способ формирования МОП-транзистора очень критичен к чистоте процесса нанесения пленки нитрида кремния.

В качестве прототипа выбран способ изготовления МОП-транзистора с силицированными областями стока, истока и электродом затвора [3], предусматривающий формирование поликремниевого затвора, последующее нанесение слоя двуокиси кремния и его удаление методом реактивного ионного травления (РИТ). При этом поликремниевый электрод затвора отдаляется от стока и истока областью из двуокиси кремния, предотвращающим закорачивание электрода затвором и областей стока и истока в процессе их силицирования. Далее на поверхность структуры наносят слой титана, производят силицирующий отжиг и удаляют непрореагировавший титан в жидкостном травителе. Затем следуют стандартные операции формирования межслойной изоляции, коммутационной разводки и пассивации.

Ключевой операцией при изготовлении МОП-транзистора по способу-прототипу является РИТ системы двуокись кремния - поликристаллический кремний, недостатками которой являются многообразие образующихся в плазме химически активных частиц, что затрудняет управление их концентрацией и приводит к низкой скорости и малому значению селективности травления структуры двуокись кремния - кремний (повышение значения селективности травления за счет добавления в плазму водорода к образованию в камере паров НF, вызывающих коррозию и сокращение срока службы оборудования) (Ивановский Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио, 1986); формирование радиационных дефектов в МОП-структуре (при облучении ее частицами с энергиями 1-1,5 кэВ, глубина нарушенного слоя составляет до 30 нм), что приводит к возникновению на поверхности заряда, ухудшающего электрические параметры МОП-структуры (Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы. Энергоатомиздат, 1987); высокая стоимость технологического оборудования. Применение РИТ усложняет технологической процесс изготовления МОП-транзистора, понижает процент выхода годных, снижает надежность работы МОП-транзистора, повышает его стоимость.

Целью изобретения является упрощение технологического процесса изготовления МОП-транзистора, повышение процента выхода годных при его производстве, повышение надежности работы МОП-транзистора, снижение его стоимости.

Цель достигается тем, что после формирования локального защитного окисла на поверхность кремниевой подложки со сформированной структурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят слои двуокиси кремния, поликристаллического кремния, нитрида кремния, двуокиси кремния, в которых формируют канавку, соответствующую по форме электроду затвора, а по глубине равную его толщине, поликремниевые стенки канавки термически окисляют, затем со дна канавки удаляют слои нитрида кремния и двуокиси кремния и на их месте формируют подзатворный окисел, после чего наносят слой поликристаллического кремния, равный по толщине электроду затвора, слой поликристаллического кремния планаризуется по уровню верхнего края канавки, поверхность поликристаллического кремния в канавке термически окисляют, затем за пределами электрода затвора последовательно удаляют слои двуокиси кремния, нитрада кремния, поликристаллического кремния, двуокиси кремния, нитрида кремния, двуокиси кремния, производится формирование областей стока и истока методом ионного легирования, удаления слоя двуокиси кремния с поверхности затвора, напыление слоя титана, силицирующий отжиг, удаление непрореагировавшего титана.

Отличиями предложенного способа изготовления МОП-транзистора от известных способов являются изменение последовательности технологических операций после формирования локального защитного окисла, формирование области двуокиси кремния, разделяющей поликремниевый электрод затвора и области стока и истока в процессе их силицирования, до формирования электрода затвора, исключение из последовательности технологических операций РИТ.

Формирование области, разделяющей электрод затвора и области стока и истока в процессе их силицирования, ранее не использовалось для упрощения технологического процесса изготовления МОП-транзистора, повышения процента выхода годных при его производстве, повышения надежности его работы и удешевления. Следовательно, это отличие является существенным.

На фиг.1 - 13 показана последовательность основных технологических операций изготовления МОП-транзистора по заявляемому способу.

На кремниевой подложке выращивают слой 1 двуокиси кремния (фиг.1), на который осаждается слой 2 нитрида кремния (фиг.2), затем методом фотолитографии маскируется область, в которой будет сформирован транзистор. Вне этой области слои нитрида кремния и двуокиси кремния удаляются и выращивается толстый защитный окисел 10 (фиг.3). Далее на поверхность полученной структуры последовательно наносят слои двуокиси кремния 3, поликристаллического кремния 4, нитрида кремния 5, двуокиси кремния 6 (фиг.4). На поверхности полученной структуры методом фотолитографии формируется изображение щели, соответствующее по форме электроду затвора, а затем в структуре вытравливается канавка глубиной, равной толщине электрода затвора (последовательно сравниваются слои двуокиси кремния, нитрида кремния, поликристаллического кремния, двуокиси кремния (фиг.5). Далее полученная структура подвергается термообработке в окислительной среде. При этом окисляются поликремниевые стенки 11 канавки (фиг.6), после этого удаляются слои нитрида кремния 2 и двуокиси кремния 1 и на их месте формируется слой 7 подзатворного окисла (фиг. 7). Затем осаждается слой 8 поликристаллического кремния (фиг.8) и проводится его планаризация до уровня слоя 6 двуокиси кремния (фиг.9). На поверхности поликристаллического кремния формируют слой 9 двуокиси кремния (фиг. 9), затем последовательно удаляются слои двуокиси кремния 6, нитрида кремния 5, поликристаллического кремния 4, двуокиси кремния 3, нитрида кремния 2, двуокиси кремния 1. Таким образом формируется электрод затвора, защищенный со всех сторон слоем двуокиси кремния (фиг.10). После этого методом ионного легирования формируются области 13 истока и стока (фиг.10), производится активация примеси, удаляется слой 9 двуокиси кремния (фиг.11). На поверхность полученной структуры наносится слой 12 тугоплавкого металла (фиг. 12). Производятся силицирующий отжиг и химическое удаление непрореагировавшего металла с поверхности двуокиси кремния (фиг.13). Далее при производстве МОП-транзистора следуют стандартные операции формирования межслойной изоляции, коммутационной разводки и пассивации.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что после формирования по известной технологии изоляции локальным окислом на поверхности подложки формируется многослойная структура двуокись кремния (слой 1) - нитрид кремния (слой 2) - двуокись кремния (слой 3) - поликристаллический кремний (слой 4) - нитрид кремния (слой 5) - двуокись кремния (слой 6), суммарная толщина которой равна толщине электрода затвора. В этой структуре методами фотолитографии, плазмохимического (ПХТ) и жидкостного травления формируется канавка, соответствующая по форме электроду затвора, глубиной, равной его толщине.

При травлении многослойной структуры учитывается высокая селективность процесса ПХТ систем = 80 и = 100 в атмосфере гексафторида серы (Я. Таруи. Основы технологии СБИС. М.: Радио и связь, 1985), а также высокая селективность травления системы = 80 в буферном травителе (HF:NH₄F=1:10) (Нитрид кремния в микроэлектронике. Новосибирск: Наука, 1982).

Предлагаемая структура позволяет формировать область двуокиси кремния на торцах слоя поликристаллического кремния в канавке при термообработке структуры в окислительной среде. Полученная таким образом область впоследствии отделяет затвор от стока и истока в процессе силицирования. Локальность процесса окисления обеспечивается маскированием поверхности подложки на дне канавки и слоя поликремния пленкой нитрида кремния. Пленка двуокиси кремния (слой 6) служит маской при ПХТ нижележащих слоев нитрида кремния (слой 5) и поликристаллического кремния (слой 4). Пленка двуокиси кремния (слой 3) служит стоп-слоем при травлении поликристаллического кремния (слой 4) и нитрида кремния (слой 5). Пленка нитрида кремния (слой 5) обеспечивает маскирование поверхности поликристаллического кремния при локальном окислении стенок канавки. Пленка нитрида кремния (слой 2) предотвращает окисление поверхности подложки на дне канавки. Пленка двуокиси кремния (слой 1) служит стоп-слоем при травлении нитрида кремния (слой 2). После формирования областей двуокиси кремния на боковых стенках канавки производится последовательное удаление пленок двуокиси кремния (слой 3), нитрида кремния (слой 2), двуокиси кремния (слой 1) на дне канавки. Затем на дне канавки формируется пленка двуокиси кремния (слой 7), которая служит подзатворным диэлектриком транзисторной структуры. Далее в канавку осаждается пленка поликристаллического кремния (слой 8) толщиной, равной глубине канавки, производится диффузионное легирование слоя поликристаллического кремния. Поверхность слоя 8 планаризуется по уровню верхнего края канавки, после чего на поверхности поликристаллического кремния (слой 8) в канавке формируется слой двуокиси кремния (слой 9). Таким образом формируется поликремниевый электрод затвора, защищенный со всех сторон пленкой двуокиси кремния. После этого многослойная структура вне электрода затвора последовательно стравливается до поверхности кремниевой подложки, производится формирование областей стока и истока, удаляется пленка двуокиси кремния (слой 9) и пленка двуокиси кремния, образовавшаяся на поверхности областей стока и истока во время термической активации примеси, далее, как и в прототипе, напыляется пленка тугоплавкого металла, производится силицидообразующий отжиг и удаление непрореагировавшего металла.

Для реализации приведенной последовательности технологических операций производства МОП-транзистора важны соотношения толщин слоев. Минимальная толщина слоя 1 двуокиси кремния, обеспечивающего маскирование подложки при ПХТ пленки нитрида кремния (слой 2), определяется значением селективности травления системы в плазме заданного состава. Минимальная толщина слоев 2, 5 нитрида кремния, маскирующих подложку и пленку поликристаллического кремния (слой 4) во время изготовления области, разделяющей сток, исток и затвор в процессе силицирования, должна быть достаточной для предотвращения окисления маскирующих поверхностей. Максимальная толщина слоев 1, 2, 5 определяется равенством суммарной толщины слоев 1, 2, 3, 4, 5, 6 заданной толщине электрода затвора.

Так как слой 6 двуокиси кремния должен сохраняться после удаления слоев 3, 1 со дна канавки и выполнять функцию стоп-слоя при ПХТ слоя 8 поликристаллического кремния, то его толщина должна превосходить суммарную толщину слоев 3, 1 на величину, равную минимальной толщине слоя 1. Слой 9 двуокиси кремния должен сохраняться после удаления слоев 6, 3, 1 двуокиси кремния вне электрода затвора и выполнять после этого функцию маски при формировании областей стока и истока методом ионного легирования, следовательно, его толщина должна превосходить суммарную толщину указанных слоев на величину среднего пробега ионов примеси с энергией, выбранной для формирования областей стока и истока. Так как слой 11 двуокиси кремния подвергается травлению при удалении слоев 9, 6, 3, 1, то его толщина должна превосходить суммарную толщину указанных слоев на величину, необходимую для предотвращения образования пленки дисилицида тугоплавкого металла на поверхности боковых стенок электрода затвора.

П р и м е р 1. В качестве примера конкретного применения заявляемый способ опробован при производстве р-канального МОП-транзистора. Исходной подложкой служила пластина кремния марки КЭФ - 2,5 (100) толщиной 380 мкм, на поверхности которой методом термического окисления выращивалась пленка двуокиси кремния (слой 1) толщиной 70 нм, и на ее поверхности методом осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD) наносилась пленка нитрида кремния (слой 2) толщиной 0,1 мкм. Затем над областями, в которых будут формироваться транзисторы, структура маскировалась фоторезистом, вне этих областей пленка нитрида кремния удалялась ПХТ в SF₆ (селективность травления системы нитрид кремния) (двуокись кремния в такой плазме превышает 100), а пленка двуокиси кремния удалялась жидкостным травлением в смеси NH₄F:HF=10:1. После этого термическим методом формировался локальный защитный окисел толщиной 1 мкм, на поверхность полученной структуры методом пиролитического разложения моносилана наносился слой двуокиси кремния (слой 3) толщиной 0,1 мкм, затем методом LPCVD осаждался слой 4 поликристаллического кремния толщиной 0,4 мкм и слой 5 нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. На поверхность полученной структуры методом пиролитического разложения моносилана наносили слой 6 двуокиси кремния толщиной 0,25 мкм. Затем методом фотолитографии на поверхности структуры формировалось изображение щели, соответствующее по форме электроду затвора. Жидкостным травлением формировалось окно в слое 6 двуокиси кремния, который служит маской при ПХТ системы поликристаллический кремний - нитрид кремния, при этом пленка двуокиси кремния (слой 3) служила стоп-слоем при формировании канавки в структуре поликристаллический кремний - нитрид кремния. Затем химическим травлением пленка двуокиси кремния (слой 3) удалялась со дна канавки, при этом толщина пленки двуокиси кремния (слой 6) уменьшалась до 0,15 мкм. Далее поликремниевые стенки канавки окислялись и формировался слой двуокиси кремния (слой 11) толщиной 0,7 мкм. После этого методом ПХТ на дне канавки удалялся слой 2 нитрида кремния и жидкостно стравливался слой 1 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 6 двуокиси кремния уменьшалась до 0,06 мкм, а толщина слоя 11 - до 0,63 мкм. На дне канавки формировался слой 7 подзатворного окисла толщиной 70 мкм, затем методом LPCVD наносился слой 8 поликристаллического кремния толщиной 0,8 мкм, производилось его диффузионное легирование для обеспечения величины поверхностного сопротивления ρ_s= 40 Ом/□. После этого производилась планаризация поверхности слоя 8 поликристаллического кремния, для чего на его поверхность наносился слой фоторезиста ФП РН-7, который подвергался термообработке и УФ-облучению. После проявления фоторезист оставался в канавке, где из-за растекания во время термообработки он имел большую толщину. Оставшийся в канавке фоторезист служил маской при травлении поликристаллического кремния в плазме гексафторида серы, слой 6 двуокиси кремния служит стоп-слоем в этом процессе. После удаления фоторезиста поверхность слоя поликристаллического кремния окислялась, вследствие чего на ней формировался слой 9 двуокиси кремния толщиной 0,3 мкм. Далее жидкостным травлением удалялся слой 6 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 9 уменьшалась до 0,2 мкм, методом ПХТ удалялись слои нитрида кремния (слой 5) и поликристаллического кремния (слой 4). Стоп-слоями в этом процессе служили пленки двуокиси кремния (слои 11, 3). Жидкостным травлением удалялся слой 3 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 11 уменьшалась до 0,73 мкм, а толщина слоя 9 уменьшается до 0,08 мкм. Далее методом ПХТ удалялся слой 2 нитрида кремния и методом жидкостного травления - слой 1 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 9 уменьшалась до 0 - 0,1 мкм, а толщина слоя 11 - до 0,6 мкм. После этого методом ионного легирования бором при Е=40 кэВ, D= 3x10¹² см^-2формировались области стока и истока МОП-транзистора, производилась термическая активизация примеси при Т=950^оС 40 мин N₂ и жидкостным травлением удалялись пленки двуокиси кремния (слой 9) и образовавшаяся на поверхности областей стока и истока в процессе термической активации примеси, при этом толщина слоя 11 двуокиси кремния уменьшалась до 0,5 мкм. Полученная структура обрабатывалась в смеси КАРО (Н₂О₂:H₂SO₄), и производилось напыление пленки титана толщиной 50 нм. Затем производился вакуумный силицирующий отжиг (700^оС, 15 мин, р= 1x10^-6 мм рт.ст.). После этого непрореагировавший титан удалялся в смеси КАРО и структуры отжигались в вакууме (750^оС, 15 мин, р=1-3х10^-6 мм рт.ст.).

П р и м е р 2. Заявляемый способ опробован при производстве n-канального МОП-транзистора. Исходной подложкой служила кремниевая пластина марки КЭФ-2,5 (100) толщиной 380 мкм, в которой методом ионного легирования бором (Е= 120 кэВ, D= =6,2x10¹² см^-2) формировалась область кармана, затем производилась термическая разгонка примеси при 1000^оС в течение 5 ч в атмосфере азота. Далее на поверхности подложки термическим способом выращивалась пленка двуокиси кремния (слой 1) толщиной 100 нм, на ее поверхность методом LPCVD наносилась пленка нитрида кремния (слой 2) толщиной 0,12 мкм. Затем методами фотолитографии и ПХТ в атмосфере гексафторида серы над областями, в которых будут формироваться транзисторы, изготавливалась двухслойная маска нитрид кремния - двуокись кремния, защищающая область, в которой будет формироваться транзистор во время термического формирования локального защитного окисла. После формирования локального защитного окисла толщиной 1 мкм на поверхность полученной структуры методом пиролитического разложения моносилана наносилась пленка двуокиси кремния (слой 3) толщиной 0,12 мкм, затем методом LPCVD осаждался слой 4 поликристаллического кремния толщиной 0,45 мкм и слой нитрида кремния (слой 5) толщиной 0,15 мкм. На поверхность полученной структуры методом пиролитического разложения моносилана наносили слой 6 двуокиси кремния 0,3 мкм. Затем методом фотолитографии на поверхности формировалось изображение щели, соответствующей по форме электроду затвора. Травлением в буферном травителе (HF:NH₄F=1:10) формировалось окно в слое 6 двуокиси кремния, который служил маской при ПХТ системы поликремний - нитрид кремния (слои 4, 5), пленка двуокиси кремния (слой 3) служила стоп-слоем. Затем жидкостным травлением в буферном травителе пленка двуокиси кремния (слой 3) удалялась со дна канавки, при этом толщина пленки двуокиси кремния (слой 6) уменьшалась до 0,18 мкм. Далее поликремниевые стенки канавки термически окислялись, толщина полученной пленки двуокиси кремния (слой 11) составляла 1 мкм. После этого ПХТ дна канавки удалялся слой 2 нитрида кремния и стравливался в буферном травителе слой 1 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 6 двуокиси кремния уменьшалась до 0,08 мкм, а толщина слоя 11 - до 0,9 мкм. На дне канавки термическим способом формировался слой 7 подзатворного окисла толщиной 70 нм, затем методом LPCVD наносился слой 8 поликристаллического кремния толщиной 0,9 мкм, производилось его диффузионное легирование для обеспечения поверхностного сопротивления 40 Ом/кв. После этого производилась планаризация слоя 8 поликристаллического кремния по уровню верхнего края канавки. Затем после удаления слоя поликристаллического кремния за пределы канавки поверхность поликристаллического кремния, заполнившего канавку, термически окислялась, вследствие чего формировалась пленка двуокиси кремния (слой 9) толщиной 0,32 мкм. Далее в буферном травителе удалялся слой 6 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 9 уменьшалась до 0,24 мкм, ПХТ удалялся слой нитрида кремния 5 и поликристаллического кремния 4 вне канавки. Стоп-слоями при этом служили пленки двуокиси кремния (слои 11, 3). Затем в буферном травителе удалялся слой 3 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 11 уменьшалась до 0,78 мкм, а толщина слоя 9 - до 0,10 мкм. Далее ПХТ удалялся слой 2 нитрида кремния и стравливался слой 1 двуокиси кремния, при этом толщина слоя 9 уменьшалась до нуля, а толщина слоя 11 - до 0,67 мкм. После этого методом ионного легирования фосфором при Е=40 кэВ, D=3x10¹³ см^-2формировались области стока и истока МОП-транзистора, производилась термическая активация примеси при Т=950^оС 40 мин в атмосфере азота. Структура обрабатывалась в смеси Н₂О₂:H₂SO₄ и производилось вакуумное напыление пленки титана толщиной 70 нм. Затем производился вакуумный отжиг (700^оС, 15 мин, р=1,3х10^-6 мм рт.ст.), после чего непрореагировавший титан удалялся в смеси Н₂О₂:H₂SO₄ и структура отжигалась в вакууме (750^оС, 15 мин, р=1,3х10^-6 мм рт.ст.).

Предлагаемый способ практически осуществим, дает положительный эффект и может быть рекомендован для изготовления БИС на МОП-транзисторах с полицидным самосовмещенным затвором.

Технико-экономическая эффективность предложенного способа состоит в следующем: упрощается технологический процесс изготовления МОП-транзистора за счет замены сложного трудновоспроизводимого процесса РИТ строгоконтролируемыми операциями формирования и травления пленок, повышается процент выхода годных транзисторов за счет строгого контроля параметров технологических процессов в 2-2,5 раза, повышается надежность работы транзистора за счет исключения воздействия высокоэнергетических частиц на МОП-структуру во время его изготовления, снижается стоимость транзистора за счет отсутствия необходимости использования дорогостоящей установки реактивного ионного травления примерно на 10%.

Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления полевых транзисторов с высокой степенью интеграции. Сущность изобретения: при изготовлении МОП-транзистора после формирования полевого окисла формируют поликремниевый электрод затвора. Для этого на поверхность кремниевой подложки со сформированной стуктурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят первый слой двуокиси кремния, поликристаллического кремния, нитрида кремния, второй слой двуокиси кремния, в которых формируют канавку, соответствующую по форме электроду затвора, а по глубине равную его толщине, поликремниевые стенки канавки термически окисляют, затем со дна канавки удаляют слои нитрида кремния и двуокиси кремния и на их месте формируют подзатворный окисел, после чего наносят слой поликристаллического кремния, равный по толщине электроду затвора, слой поликристаллического кремния планаризуют по уровню верхнего края канавки, поверхность слоя поликристаллического кремния в канавке термически окисляют, затем последовательно удаляют второй слой двуокиси кремния, слой нитрида кремния, слой поликристаллического кремния, первый слой двуокиси кремния, слои нитрида кремния и двуокиси кремния вне электрода затвора, затем формируют области стока и истока методом ионного легирования, удаляют двуокись кремния с поверхности электрода затвора, напыляют слой титана, проводят силицирующий отжиг и химически удаляют непрореагировавший титан. 13 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА, включающий термическое окисление кремниевой подложки, нанесение слоя нитрида кремния, формирование локального защитного окисла, формирование поликремниевого электрода затвора, формирование областей стока и истока методом ионного легирования, напыление слоя титана, силицирующий отжиг и химическое удаление непрореагировавшего титана, отличающийся тем, что для формирования поликремниевого электрода затвора на поверхность кремниевой подложки со сформированной структурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят слои двуокиси кремния, поликристаллического кремния, нитрида кремния и второй слой двуокиси кремния, в которых формируют канавку, соответствующую по форме электроду затвора, а по глубине равную его толщине, поликремниевые стенки канавки термически окисляют, затем со дна канавки удаляют слои нитрида кремния и двуокиси кремния и на их месте формируют подзатворный окисел, после чего наносят слой поликристаллического кремния, равный по толщине электроду затвора, слой поликристаллического кремния планаризуют по уровню верхнего края канавки, поверхность слоя поликристаллического кремния в канавке термически окисляют, затем последовательно удаляют второй слой двуокиси кремния, слой нитрида кремния, слой поликристаллического кремния, первый слой двуокиси кремния, слой нитрида кремния и двуокиси кремния вне электрода затвора, а после формирования областей истока и стока удаляют двуокись кремния с поверхности электрода затвора.