УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦОВ ИЗЛУЧЕНИЕМ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 110-180 НМ Российский патент 1995 года по МПК H01J37/00 

Описание патента на изобретение RU2031471C1

Основным элементом предложенного устройства является источник излучения, который относится к источникам, испускающим излучение в области ВУФ (вакуумного УФ излучения) в диапазоне 110-189 нм, и позволяет получить излучение большого сечения. Такие устройства необходимы для облучения образцов больших размеров в электронике, технологии нанесения покрытий, медицине и др.

В известных источниках ВУФ излучение исходит из объема плазмы внутри источника. Спектр излучения определяется составом и давлением газа, наполняющего источник. Например, He/Kr смесь при давлении менее 1 мм рт.ст. испускает в области ВУФ излучение только на двух линиях λ = 115 и 123,6 нм, водород дает линии 121,6 и 161,7 нм при давлении несколько миллиметров ртутного столба.

В технологии интегральных микросхем (ИС) должны обрабатываться плоские пластины диаметром 100-200 нм. Для промышленного использования ВУФ-источников выходной луч должен иметь в сечении размеры не менее указанных. При этом достигается эффективность и простота конструкции устройства ВУФ обработки. Как минимум один из размеров сечения луча должен быть не менее указанных выше размеров.

Для промышленного использования необходимо, чтобы источник излучения имел длительный период работы. Известно, что время жизни такого источника определяется временем жизни газового наполнения и загрязнением выходного окна, прозрачного в ВУФ-области.

Вышедший из строя источник может быть восстановлен путем замены газа и окна, однако, если не предусмотрено конструкцией источника, то потребует больших затрат времени. Если окно изготовлено из дорогостоящего материала, то должно быть предусмотрено восстановление его пропускания.

Известно несколько типов ВУФ-источников.

Один из них предлагается изготавливать с широким выходным лучом без выходного окна [1]. При этом камера обработки образцов и излучающий объем не отделены один от другого. Однако это приводит к чрезвычайному ограничению возможностей обработки образцов в какой-либо газовой среде и неэффективному преобразованию энергии в излучающей области.

Ближайшим к данному изобретению техническим решением является устройство КрР-2-1, излучающее на длине волны 123,6 и состоящее из корпуса, в котором поддерживается газовый разряд, и выходного окна из фтористого магния [2]. Диаметр сечения выходного окна 18 мм, продолжительность работы 500 ч. Очевидно, что такой источник трудно применять для обработки образцов размерами 100-200 мм и более из-за малого размера окна и небольшой продолжительности работы.

С целью увеличения сечения выходного луча для обеспечения эффективной обработки плоских образцов размерами до 200 мм и более и продления срока его работы предлагается устройство, содержащее источник излучения диапазона ВУФ, имеющий корпус, наполненный газом, необходимым для получения излучения нужного спектрального диапазона, наибольший размер которого равен или более максимального размера сечения однородного выходного луча и выходного окна, максимальный размер которого ориентирован вдоль максимального размера объема плазмы внутри источника. Максимальный размер окна не менее размера необходимого однородного сечения луча, определяемого размером образца. Минимальный размер окна определяется необходимой механической прочностью окна при известном перепаде давлений на окне источника, толщина которого определяет оптическое пропускание в используемом спектральном диапазоне. Один источник может иметь несколько окон, включая расположенные в одной плоскости. В последнем случае однородное облучение поверхности образца достигается, если зазор окно-образец не менее, чем зазор между двумя соседними окнами.

В соответствии с данным изобретением время жизни источника ВУФ излучения, возбуждаемого ВЧ-или СВЧ-энергией, увеличивается за счет минимизации распыления стенок внутри источника при локализации плазмы на расстоянии от стенок и/или при повышении давления выше 3 мм рт.ст. В данной конструкции предусмотрена простая замена выходного окна. Снятое окно (Mg F2, LiF, CaF2 и др.) можно восстанавливать многократно переполировкой поверхности.

На фиг. 1 приведена общая схема источника излучения; на фиг.2 - нижняя часть источника, содержащая окно для вывода излучения; на фиг.3 - распределение интенсивности излучения в случае секционной конструкции окна; на фиг.4 - расположение постоянного магнита или катушки с постоянным током для ограничения объема плазмы и улучшения возбуждения свечения; на фиг.5 и 6 - различные конструкции съемного окна, вид сбоку.

В соответствии с изобретением максимальный размер плазменного объема 3 Lpi создаваемого внутри корпуса 1 источника с выходным окном 2 не менее размера образца 4 Ls. Ls может быть 100-200 мм и более.

Размер Lb сечения однородного выходного луча определяется тем же размером Ls. Максимальный размер окна Lw соответствует Lb.

Минимальный размер окна Lmin (см. фиг.2) определяется разностью давлений Δр, которую должно выдерживать окно, и толщиной окна dw. Например, для прямоугольного окна
σmax = 0,5 Δp(Lmin)2dw-1, где σmax - допустимое механическое напряжение для материала окна;
dw - выбирается, исходя из оптического пропускания окна (например, на длине волны 123,6 км окно из MgF2 толщиной 1 мм пропускает около 80% излучения).

На фиг. 3 показано расположение нескольких окон на одной из сторон источника. В этом случае для однородного облучения образца ширина зазора Gsw окно 1 - образец 2 не должна быть менее расстояния между соседними окнами. При использовании окна такой конструкции возможно одновременное облучение плоского образца диаметром до 200 мм и более.

На фиг. 4 показан источник ВУФ-излучения, в котором плазма в круглой трубе 2 возбуждается за счет энергии, подводимой от ВЧ-индуктора 1. Радиальный размер объема плазмы может быть ограничен за счет магнитного поля, создаваемого дополнительной катушкой 3, по которой течет постоянный ток. Тот же эффект может быть получен при использовании постоянных магнитов. Использование постоянных магнитов в некоторых случаях позволяет существенно повысить интенсивность излучения.

Минимального распыления стенок при работе источника можно добиться также при повышении давления выше 3 мм рт.ст., при этом энергия ионов в плазме становится очень низкой.

На фиг. 5 и 6 показаны конструкции окон источника, которые предусматривают возможность его быстрой замены. В случае, изображенном на фиг.6, окна приклеиваются на дополнительный фланец.

Одна из возможных конструкций - окно с большим сечением выходного луча. В этом случае оно изготавливается вакуумным напылением прозрачного в области ВУФ материала на прочную поддерживающую, например металлическую, сетку с последующим стравливанием промежуточного слоя.

Похожие патенты RU2031471C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ 1992
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Душенков Сергей Дмитриевич
RU2025823C1
Способ формирования рельефных изображений 1984
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Душенков Сергей Дмитриевич
  • Леонтьева Ольга Васильевна
  • Махмутов Рим Хакимович
  • Прохоров Александр Михайлович
SU1196796A1
Способ изготовления тонкопленочных фильтров 1983
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Душенков Сергей Дмитриевич
  • Леонтьева Ольга Васильевна
  • Митрофанов Александр Викторович
  • Прохоров Александр Михайлович
  • Сидорук Сергей Николаевич
SU1084711A1
Способ определения влияния диффузии газов на скорость растворения полимерных материалов 1985
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Дорофеев Юрий Иванович
  • Леонтьева Ольга Васильевна
  • Сидорук Сергей Николаевич
  • Скурат Владимир Евгеньевич
  • Тальрозе Виктор Львович
SU1283627A1
Дифракционная решетка и способ ее изготовления 1985
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Леонтьева Ольга Васильевна
  • Махмутов Рим Хакимович
  • Якименко Александр Николаевич
SU1287086A1
Зонная пластинка и способ ее изготовления 1985
  • Валиев Камиль Ахметович
  • Великов Леонид Васильевич
  • Леонтьева Ольга Васильевна
  • Махмутов Рим Хакимович
  • Якименко Александр Николаевич
SU1277042A1
ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА С ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКОЙ 2021
  • Абраменко Дмитрий Борисович
  • Гаязов Роберт Рафилевич
  • Кривцун Владимир Михайлович
  • Кирюхин Юрий Борисович
  • Лаш Александр Андреевич
  • Глушков Денис Александрович
RU2780202C1
ВАКУУМНЫЙ ЭМИССИОННЫЙ ПРИЕМНИК ИЗОБРАЖЕНИЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА 2020
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Петрухин Георгий Николаевич
  • Рычков Геннадий Сергеевич
  • Теверовская Екатерина Григорьевна
  • Золотухин Павел Анатольевич
  • Куклев Сергей Владимирович
  • Медведев Александр Владимирович
  • Соколов Дмитрий Сергеевич
  • Чистякова Наталья Юрьевна
  • Якушов Сергей Станиславович
RU2738767C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЛАМПА 1996
  • Гусев В.Ю.
  • Пирогов В.Г.
  • Рахимов А.Т.
  • Рой Н.Н.
  • Рулев Г.Б.
  • Саенко В.Б.
RU2120152C1
ВНЕРОУЛАНДОВСКИЙ СПЕКТРОМЕТР ДЛЯ МЯГКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО И ВУФ ДИАПАЗОНА 2015
  • Анциферов Павел Станиславович
  • Дорохин Леонид Александрович
  • Крайнов Павел Витальевич
RU2599923C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 031 471 C1

Реферат патента 1995 года УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦОВ ИЗЛУЧЕНИЕМ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 110-180 НМ

Сущность: корпус источника излучения выполнен с несколькими окнами прямоугольной щелевой формы, выполненными каждое в виде одной или нескольких пластин, прозрачных в спектральном диапазоне источника излучения. Расстояние между окнами и поверхностью образца выбрано не меньшим, чем расстояние между соседними окнами, расположенными в одной плоскости. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Формула изобретения RU 2 031 471 C1

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦОВ ИЗЛУЧЕНИЕМ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 110-180 НМ, содержащее источник излучения, состоящий из газонаполненного корпуса, предназначенного для поддержания в его полости газового разряда и выполненного с окном для вывода излучения, выполненным в виде одной или нескольких пластин, прозрачных в спектральном диапазоне источника излучения, и обрабатываемый образец, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки плоских образцов больших размеров, корпус выполнен с дополнительными окнами, все окна выполнены прямоугольной формы, максимальный размер каждого окна выбран большим или равным минимальному размеру обрабатываемых образцов, минимальный размер окна выбран из условия обеспечения необходимой механической прочности окна при заданной величине его оптического пропускания, а величина зазора между окнами и поверхностью образца выбрана не меньшей, чем расстояние между соседними окнами, расположенными в одной плоскости, окна выполнены сменными, причем вокруг корпуса установлены постоянные магниты или электромагниты и/или давление внутри корпуса установлено большим 3 Торр. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что окно выполнено методом вакуумного напыления на опорную сетку материала, прозрачного в спектральном диапазоне источника излучения.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2031471C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Шишацкая Л.П
Непрерывные ВУФ-источники
Оптико-механическая промышленность, N 9, 1984, с.54-59.

RU 2 031 471 C1

Авторы

Валиев Камиль Ахметович

Великов Леонид Васильевич

Душенков Сергей Дмитриевич

Даты

1995-03-20Публикация

1991-12-04Подача