СВЧ-ДИОД С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ Российский патент 1996 года по МПК H01L29/86 

Описание патента на изобретение RU2061980C1

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к приборам с балочными и объемными выводами и может быть использовано при создании смесительных, детекторных и др. СВЧ-диодов прежде всего миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн.

Известно, что для повышения рабочей частоты преобразовательных и др. диодов необходимо уменьшать их паразитные параметры, одним из которых является конструктивная емкость. Известным способом уменьшения конструктивной емкости диодов с балочными выводами является воздушная изоляция анодного вывода от подложки. Так в [1] анодный вывод диода к выпрямляющему контакту с барьером Шоттки изолируется от подложки воздушным каналом, вытравливаемым в полупроводнике под узкой частью вывода на глубину до полуизолирующей подложки. В [2] предлагается уменьшать конструктивную емкость диода путем полного удаления полупроводникового материала под анодным выводом, а возникающую при этом проблему механической прочности конструкции решать нанесением на диод со стороны балочных выводов слоя эластичного диэлектрика с малым Σд и хорошей адгезией к материалу выводов. Однако при этом, поскольку у известных диэлектриков, используемых в полупроводниковой технологии, Σд заметно больше, чем у воздуха, то область диода между анодным и катодным выводами оказывается заполненной диэлектриком с Σд>1 что, в свою очередь, создает конструктивную емкость, снижающую рабочую частоту.

Технический результат настоящего изобретения является уменьшение упомянутой выше конструктивной емкости.

Достигается этот результат тем, что в нанесенном на диод упрочняющем слое диэлектрика над областью диода между анодным и катодным выводами выполнено окно.

Сущность изобретения поясняется ниже со ссылками на чертежи. Фиг. 1 - СВЧ-диод с балочными выводами предлагаемой конструкции в разрезе по плоскости, обозначенной на фиг. 2. Фиг. 2 СВЧ- диод с балочными выводами предлагаемой конструкции, вид сверху.

На фиг. 1 виден кристалл диода, состоящий из подложки 1, n+- слоя 2 и n-слоя 3. Поверхность n-слоя покрыта слоем диэлектрика 4. В окне в слое диэлектрика и n-слое сформирован омический контакт к n+-слою 5, являющийся катодным контактом диода. В окне в слое диэлектрика к n-слою сформирован выпрямляющий контакт 6, являющийся анодом диода. К катодному и анодному контактам сформированы балочные выводы катодный 7 и анодный 8. Анодный вывод имеет узкую часть 9, прилегающую к анодному контакту, и расширенную часть 10 (фиг. 2). Сверху на выводах расположен имеющий хорошую адгезию к материалу выводов слой эластичного диэлектрика 11, с окном над областью диода между катодным и анодным выводами.

Изготовленный такой диод может быть описан в [3] с добавлением операций нанесения слоя эластичного диэлектрика, например полиимида, и травления в нем окна над областью диода между катодным и анодным выводами.

Похожие патенты RU2061980C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА С ВИСКЕРОМ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА 2016
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2635853C2
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 1992
  • Божков В.Г.
  • Геннеберг В.А.
  • Романовская В.Н.
RU2076393C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ 1994
  • Малаховский О.Ю.
  • Божков В.Г.
  • Мисевичус Г.Н.
  • Кораблева Т.В.
RU2105385C1
УСТРОЙСТВО СВЧ 1990
  • Божков В.Г.
  • Куркан К.И.
  • Геннеберг В.А.
RU2081479C1
ВОЛНОВОДНЫЙ ДЕТЕКТОРНЫЙ МОДУЛЬ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН 2008
  • Божков Владимир Григорьевич
  • Геннеберг Владимир Александрович
  • Петров Игорь Владимирович
  • Золотов Сергей Владимирович
RU2345450C1
ДИОД ГАННА 1992
  • Воторопин С.Д.
  • Юрченко В.И.
  • Кожемякин А.М.
RU2064718C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ 1991
  • Баранов Б.А.
RU2031481C1
Способ изготовления планарного диода с анодным вискером и воздушным выводом по технологии "Меза-Меза" 2022
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2797136C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 1992
  • Айзенштат Г.И.
  • Содатенко К.В.
  • Шамова Г.И.
RU2031483C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВОЛНОВОДНОГО СВЧ МОДУЛЯ 2007
  • Божков Владимир Григорьевич
  • Геннеберг Владимир Александрович
  • Петров Игорь Владимирович
RU2366034C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 061 980 C1

Реферат патента 1996 года СВЧ-ДИОД С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ

Использование: в полупроводниковой электронике, в частности, в приборах с балочными и объемными выводами при создании смесительных, детекторных и других СВЧ-диодов и диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения: в слое эластичного диэлектрика, расположенного под анодными и катодными выводами и являющимся несущей основой диода, убирается его центральная часть, покрывающая анод и прилегающие к нему области анодного и катодного выводов. Слой диэлектрика принимает форму рамки, опирающейся на балочные выводы и скрепленной с ними, за счет чего сохраняется прочность конструкции. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 061 980 C1

СВЧ-диод с балочными выводами, содержащий последовательно расположенные друг над другом подложку, n+- слой, n-слой и слой диэлектрика, катодный контакт к n+-слою, анодный контакт к n-слою, балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный над катодными и анодным балочными выводами, отличающийся тем, что в слое эластичного диэлектрика над всей областью диода между анодным и катодным выводами выполнено окно.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года RU2061980C1

W.L
Bishop, K.Mokinney, R.Z
Mattauch, T.W
Growe, G.Green
A novel whiskerless Shottky diode for millimeters and submillimeter wove application, JEEE MTT-S, 1987, V2, р
ШПАЛОРЕЗНЫЙ СТАНОК 1922
  • Гаврилов И.А.
  • Пальм В.М.
SU607A1
Павельев Д.Г
Диоды с расширенными выводами для гибридно- -интегральных схем миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, Кн
Прибор для промывания газов 1922
  • Блаженнов И.В.
SU20A1
Способ изготовления фанеры-переклейки 1921
  • Писарев С.Е.
SU1993A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
с
Пожарный двухцилиндровый насос 0
  • Александров И.Я.
SU90A1
Отчет по НИР "Ключ", "Разработка лабораторного технологического процесса изготовления планарных арсенидо-галлиевых диодов с предельными частотами более 3000 Ггц для преобразователей и детекторов с рабочим диапазоном длин волн 4-0,5 мм", ИПФ АН СССР, г
Горький, 1988.

RU 2 061 980 C1

Авторы

Божков В.Г.

Геннеберг В.А.

Романовская В.Н.

Даты

1996-06-10Публикация

1992-08-14Подача