СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ ЗЕМЛЯНИКИ НА МНОГОЯРУСНОЙ УЗКОСТЕЛЛАЖНОЙ ГИДРОПОННОЙ УСТАНОВКЕ Российский патент 1996 года по МПК A01G31/00 

Изобретение относится к способам выращивания растений методом гидропоники и может быть использовано в сельском хозяйстве.

Известен способ выращивания рассады земляники методом многоярусной узкостеллажной гидропоники, включающий высаживание воздушных усов земляники в растильни гидропонной установки и уход за растениями ("Выращивание земляники в теплицах". Рекомендации Госагропрома СССР. М. ВО "Агропромиздат, 1987, с. 12-13).

В качестве многоярусной узкостеллажной гидропонной установки использована стационарная установка с неподвижно установленными растильнями-лотками. Рассада, выращиваемая в расположенных на разной высоте лотках, освещается неравномерно, что приводит к снижению качества продукции и урожайности.

Была поставлена задача разработать способ выращивания рассады земляники методом гидропоники, обеспечивающий повышение качества продукции и урожайности за счет обеспечения неравномерности облучения растений.

Данная задача решена настоящим изобретением.

В способе выращивания рассады земляники методом многоярусной узкостеллажной гидропоники, включающем высаживание воздушных усов земляники в растильни гидропонной установки и уход за растениями, согласно изобретению, усы земляники в возрасте 10-12 дней высаживают в индивидуальные вегетационные сосуды, которые устанавливают в лотках или в крышках лотков верхнего яруса установки, затем через каждые 4-6 дней крышки каждого из лотков или лотки с сосудами с растениями, кроме нижнего, перемещают на место соседних, расположенных ближе к основанию установки, и с нижнего лотка убирают сосуды с рассадой или крышку с рассадой, или лоток с рассадой.

В предпочтительном варианте выполнения способа в качестве многоярусной узкостеллажной гидропонной установки используют установку с 10-12 расположенными параллельно друг другу и основанию лотками с крышками, имеющими отверстия для размещения вегетационных сосудов для выращивания растений.

Предпочтительно выращивание рассады производят днем при температуре 20-25^oС и интенсивности облучения 0,9-1,0 кВт/м², ночью при температуре 16-18^oC, при этом облучение рассады производят естественным светом и искусственными источниками света, расположенными с внешней стороны гидропонных установок.

Последовательная перестановка сосудов с растениями земляники в течение полного цикла их выращивания, начиная с верхнего яруса установки и заканчивая на нижнем ярусе, позволяет обеспечить равномерность получаемой растениями суммарной дозы облучения, что приведет к улучшению качества рассады, повышению урожайности земляники.

Предложенный способ выращивания рассады земляники многоярусной узкостеллажной гидропоники, включающий высадку воздушных усов земляники в сосуды, отличается от известного, принятого за прототип, тем, что усы земляники в возрасте 10-12 дней высаживают в индивидуальные вегетационные сосуды, которые устанавливают в лотках или крышках лотков верхнего яруса гидропонной установки, затем через 4-6 дней крышки каждого из лотков или лотки с сосудами с растениями, кроме нижнего, перемещают на место соседних, расположенных ближе к основанию установки, а с нижнего лотка убирают сосуды с рассадой или крышку с рассадой, или лоток с рассадой. Таким образом, предложенное решение удовлетворяет критерию патентоспособности изобретения "новизна".

Из патентной и научно-технической литературы специалисту не известна перестановка лотков с сосудами с рассадой и/или крышек лотков с растениями для обеспечения равномерности освещения растений. Таким образом, предложенное решение удовлетворяет критерию патентоспособности изобретения "изобретательский уровень".

Предложенный способ может быть использован в сельском хозяйстве, позволяет обеспечить повышенное качество рассады земляники за счет повышения равномерности облученности растений. Таким образом, предложенный способ удовлетворяет критерию патентоспособности изобретения "промышленная применимость".

Способ поясняется чертежом, на котором схематично изображен поперечный разрез многоярусной гидропонной установки для выращивания рассады земляники.

Гидропонные установки 1 с каркасами из наклонных стоек 2 оборудуют растильнями в виде 10-12 лотков 3 с крышками 4, имеющими отверстия для вегетационных сосудов-горшков 5 для выращивания рассады земляники 6, причем лотки 3 и/или крышки 4 выполнены съемными.

Облучение рассады земляники осуществляют источниками света 7 с отражателями 8, расположенными с внешней стороны гидропонных установок 1.

Способ иллюстрируется следующим примером.

Пример 11. Выращивали рассаду растений земляники сорта "Юбилейный".

Подготовленные в маточниках воздушные усы земляники в возрасте 10-12 дней высаживали в заполненные субстратом горшки 5. Последние устанавливали в отверстиях (гнездах) в крышках 4 ближайших к вершине установки лотков 3. Затем через каждые 4-6 дней крышки 4 каждого из лотков 3 или сами лотки 3, кроме ближайшего к основанию установки 1, перемещали на место соседних, расположенных ближе к основанию, с горшков 5 ближайшего к основанию лотка 3 убирали горшки 5 с выращенной рассадой 6. Применяли также варианты с уборкой крышки 4 с рассадой 6 или лотка 3 с рассадой 6.

Освещение растений осуществляли в комбинации естественного и искусственного света, при этом заданную освещенность корректировали путем автоматического регулирования мощности ламп облучения. Выращивание рассады осуществляли днем при температуре 20-25^oC и интенсивности облучения 0,9-1,0 кВт/м² ФАР, а ночью при 16-18^oC.

Продолжительность цикла составляла 60 суток.

Пример 2. При выращивании рассады земляники по технологии, определяемой прототипом, воздушные усы высаживали во все лотки на постоянное место, без их перестановки в процессе развития.

Анализ выращенной рассады земляники показал, что рассада, полученная по предлагаемому способу, была более высокого качества, чем при выращивании по прототипу.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить качество выращиваемой рассады растений земляники.

Использование: изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности, к способам выращивания растений методом гидропоники. Сущность изобретения: способ выращивания рассады земляники методом многоярусной узкостеллажной гидропоники включает высаживание воздушных усов земляники в растильни установки и уход за растениями. Согласно изобретению, усы земляники в возрасте 10-12 дней высаживают в горшки, которые устанавливают в лотках или крышках лотков верхнего яруса гидропонной установки, затем через каждые 4-6 дней крышки каждого из лотков или лотки с сосудами растений, кроме нижнего, перемещают на место соседних, расположенных ближе к основанию установки, а с нижнего лотка убирают готовую рассаду. При этом в дневное время обеспечивают температуру воздуха 20-25^oC при интенсивности 0,9-1,0 кВт/м², а ночью - температуру 16-18^oC. Источники света размещают с внешней стороны гидропонной установки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

1. Способ выращивания рассады земляники на многоярусной узкостеллажной гидропонной установке, включающий высаживание воздушных усов земляники в растильни гидропонной установки и уход за растениями, отличающийся тем, что усы земляники в возрасте 10 12 дней высаживают в индивидуальные вегетационные сосуды, которые устанавливают в лотках или крышках лотков верхнего яруса гидропонной установки, затем через каждые 4 6 дней крышки каждого из лотков или лотки с сосудами с растениями, кроме нижнего, перемещают на место соседних, расположенных ближе к основанию установки, а с нижнего лотка убирают сосуды с рассадой или крышку с рассадой, или лоток с рассадой. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве многоярусной узкостеллажной гидропонной установки используют установку с 10 12 расположенными параллельно друг другу и основанию лотками с крышками, имеющими отверстия для размещения вегетационных сосудов для выращивания растений. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что выращивание рассады производят днем при 20 25^oС и интенсивности облучения 0,9 1,0 кВт/м², ночью при 16 18^oС. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что облучение рассады производят источниками света, расположенными с внешней стороны гидропонной установки.