СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ КАПУСТЫ НА ГИДРОПОНИКЕ Российский патент 1997 года по МПК A01G31/00 

Изобретение относится к сельскому хозяйству, конкретно, к способам выращивания рассады капусты в теплицах на гидропонике.

Известен способ выращивания рассады капусты в гидропонных теплицах, заключающийся в пикировке сеянцев, культивации рассады при искусственном облучении и уходе за растениями (А.А. Аутко, "Рассада овощных культур", Минск, Ураджай, 1992 г. с. 68 87).

В качестве гидропонной установки использованы стеллажи с неподвижными, неснимаемыми растениями. При использовании такой установки облучение рассады, находящейся на различных стеллажах растильнях, будет неравномерным по степени облученности, что ухудшает качество рассады и снижает урожайность капусты.

Была поставлена задача разработать способ выращивания рассады методом многоярусной узкостеллажной гидропоники, обеспечивающей повышение качества рассады и урожайность капусты за счет равномерности облучения и увеличения густоты посадки рассады на единицу посадочной площади.

Поставленная задача решена настоящим изобретением. В способе выращивания рассады капусты на гидропонике, включающем пикировку сеянцев, культивацию рассады при искусственном облучении и уход за растениями, согласно изобретению, используют сеянцы в возрасте 18 22 дня, а способ осуществляют на многоярусных узкостеллажных гидропонных установках с горшками с растениями, размещенными ярусами при этом пикировку сеянцев производят в горшки верхнего яруса, и периодически, через равные промежутки времени перемещают горшки каждого из ярусов, кроме ближнего к основанию и снимают рассаду с горшков, расположенных на ярусе, ближнем к основанию.

Периодическая перестановка горшков с рассадой в течение всего цикла ее выращивания с верхнего яруса гидропонной установки с более высокой интенсивностью облучения на нижние ярусы с меньшей освещенностью приводит к повышению равномерности получаемой всеми растениями суммарной дозы облучения.

Выращивание рассады капусты на многоярусной узкостеллажной гидропонной установке значительно повысит густоту посадки на единицу посадочной площади в теплице, что увеличит ее продуктивность.

Способ поясняется чертежом, на котором схематично изображен поперечный разрез гидропонной установки для выращивания рассады капусты.

Многоярусная узкостеллажная гидропонная установка 1 содержит каркас из наклонных ригелей 2 и оснащена растильнями в виде лотков 3 с крышками 4, в отверстиях которых размещены горшки 5 с рассадой 6. Рассаду 6 облучают источниками света 7, расположенными с внешней стороны гидропонных установок 1 и источниками облучения 8, установленными внутри каркасов установок 1. Лампы облучения 7 и 8 оснащены отражателями света 9.

Способ осуществляют следующим образом. Для выращивания используют сеянцы капусты в возрасте 18 22 дня, пикируют в горшки 5 верхнего яруса многоярусной узкостеллажной гидропонной установки 1 и периодически через равные промежутки времени перемещают горшки с рассадой 6 каждого из ярусов, кроме ближнего к основанию, и затем снимают рассаду с горшков, размещенных на ярусе, ближнем к основанию. Культивирование рассады капусты осуществляют в температурно-влажностном, световом и газовом режиме, при котором параметры температуры и облучения уменьшаются от вершины к основанию установки соответственно в 1,1 1,2 и 1,5 2,0 раза, а параметры влажности и концентрации углекислого газа возрастают от вершины к основанию гидропонной установки соответственно в 1,1 1,2 и 1,2 1,3 раза.

Пример выполнения способа.

Выращивали рассаду ранней цветной капусты Скороспелки, Снежинки, Ленинградской 123, ранней Грибовской 1355.

Сеянцы в возрасте 20 дней высаживали в горшки, установленные в лотках на верхнем ярусе шестиярусной гидропонной установки, затем в горшки соседнего с ним яруса и т.д. до основания установки. Через равные промежутки времени 4 5 дней, лотки с горшками всех ярусов, кроме нижнего, перемещали на место соседних ближе у основанию установки.

В процессе культивации рассады обеспечивали температурно-влажностный, световой и газовый режимы: в нижнем ярусе установки 16 18^oC днем и 8 - 10^oC ночью, в верхнем ярусе соответственно 17-19^oC и 9 11^oC, интенсивность облучения днем в нижнем ярусе 15 17 Вт/м² ФАР, а в верхнем ярусе 18 20 Вт/м² ФАР, влажность воздуха внизу составляла 45 55% вверху 40 50% а концентрация углекислого газа соответственно составляла 0,07% и 0,06% Обеспечение заданных режимов выращивания позволило значительно улучшить качество рассады капусты и при продолжительности культурооборота 95 100 дней повысить урожайность по сравнению с контрольной посадкой по прототипу в 2 3 яруса.

Таким образом, предложенный способ позволяет повысить качество рассады и урожайность рассады и урожайность капусты в 2 3 раза.

Использование: cельское хозяйство, в частности в защищенном грунте. Сущность изобретения: при выращивании рассады капусты пикируют 18-22-х дневные сеянцы в горшки, размещенные на верхнем ярусе многоярусной узкостеллажной гидропонной установки и периодически через равные промежутки времени перемещают горшки сверху вниз, а с нижнего яруса снимают готовую рассаду. 1 ил.

1 Способ выращивания рассады капусты на гидропонике, включающий пикировку сеянцев, культивирование рассады при искусственном облучении и уход за растениями, отличающийся тем, что используют сеянцы в возрасте 18 22 дня, а способ осуществляют на многоярусных узкостеллажных гидропонных установках с горшками с растениями, размещенными ярусами, при этом пикировку сеянцев производят в горшки верхнего яруса и периодически через равные промежутки времени перемещают горшки каждого из ярусов, кроме ближнего к основанию, и снимают рассадку с горшков, расположенных на ярусе, ближнем к основанию.