ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ Российский патент 1997 года по МПК H01L29/772 

Описание патента на изобретение RU2093924C1

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полевым транзисторам на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ).

Известен ПТ ГСЛ, состоящий из высокоомной подложки, двух или более чередующихся слоев широкозонного и узкозонного материалов с согласованными (изоморфными) или несогласованными (псевдоморфными) кристаллическими решетками. На наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры расположены исток, сток и затвор. Последний образует с полупроводником барьер Шотки [1] (фиг. 1). Слой узкозонного материала не легирован, слой широкозонного материала легирован сильно (с концентрацией примеси ≈ 1018 см-3) с однородным распределением примеси по толщине слоя. Между сильнолегированным широкозонным и нелегированным узкозонным материалами расположен тонкий ≈ 1,0 5,0 нм слой чистого широкозонного материала (спейсер). Электроны, стремясь занять положение с минимальной потенциальной энергией, переходят с примесных атомов широкозонного полупроводника в узкозонный, образуя у границы гетероперехода потенциальную яму с двумерным электронным газом. Для увеличения крутизны расстояние между затвором и двумерным электронным газом (границей гетероперехода) делают минимальным (не более 40 нм). Такой транзистор обладает низким уровнем шума на сверхвысоких частотах (СВЧ) и широко используется для создания малошумящих усилителей и ряда других СВЧ-устройств [1]
Одним из недостатков ПТ ГСЛ с однородным профилем легирования широкозонного материала является сильная зависимость крутизны (gm) и входной емкости (Cиз) от напряжения смещения на затворе (Uиз) [1] приводящая к зависимости коэффициента усиления от амплитуды СВЧ-сигнала, что ухудшает характеристики (коэффициент усиления, линейность) СВЧ-усилителей и других СВЧ -устройств.

Другим существенным недостатком известных ПТ ГСЛ является высокий уровень низкочастотного (НЧ) шума (на частотах ниже 1 МГц), ограничивающий их применение в СВЧ-генераторах и ряде других устройств, в которых он приводит к высокому уровню модуляционных, в том числе фазовых шумов.

Известен ПТ ГСЛ с неоднородным профилем легирования, принятый нами за прототип [2] В нем для увеличения поверхностной плотности электронов в потенциальной яме узкая часть широкозонного материала толщиной ≈ 1 нм легирована до концентрации ≈ 1019 см-3 (так называемый ПТ ГСЛ с δ- легированием). Однако в прототипе не реализован оптимальный профиль легирования активного слоя, обеспечивающий минимизацию зависимости входной емкости от напряжения Uиз и влияния флуктуаций концентрации и подвижности носителей тока в канале на параметры эквивалентной системы ПТ ГСЛ крутизну, входную и проходную емкость и др.

Техническим результатом от реализации изобретения будет улучшение линейности характеристик устройств на ПТ ГСЛ путем уменьшения входной емкости от напряжения на затворе и снижения модуляционных шумов СВЧ-устройств на ПТ ГСЛ путем уменьшения влияния флуктуаций концентрации и подвижности носителей тока в канале на параметры эквивалентной схемы ПТ ГСЛ.

Эти результаты достигаются тем, что в известной конструкции гетероструктурного полевого транзистора с селективным легированием, содержащей высокоомную подложку и по крайней мере один слой широкозонного и один слой узкозонного полупроводниковых материалов с согласованными и несогласованными кристаллическими решетками, а также исток, затвор и сток, расположенные на наружной поверхности полупроводникового материала, часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси, большей 3•1017 см-3, и поверхностной плотностью этой примеси, большей 1012 см-2 (под поверхностной плотностью подразумевается количество легирующей примеси во всей толщине слоя, приходящееся на единицу поверхности и определяемое выражением: где N(y) зависимость концентрации легирующей примеси от расстояния до поверхности, a, b границы слоя [3]), а средняя концентрация легирующей примеси между упомянутой частью слоя полупроводникового материала и затвором не превышает 3•1017 см-3.

Выполнение слоя полупроводника между узкозонным материалом и затвором с предлагаемым профилем легирования (см. например, фиг.2) при определенных напряжениях на затворе обеспечивает существенное уменьшение зависимости крутизны и входной емкости по сравнению с прототипом, что обеспечивает улучшение линейности устройств на таких ПТ ГСЛ и приводит к снижению в них модуляционных шумов, основным источником которых является нелинейность входной емкости.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1 дано схематическое изображение одного из вариантов выполнения полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием, где показаны высокоомная подложка 1, нелегированный узкозонный материал 2, нелегированный широкозонный материал (спейсер) 3, сильнолегированный широкозонный материал 4, исток 5, затвор 6, сток 7.

На фиг.2 дан один из возможных профилей легирования предлагаемого транзистора, где ND концентрация доноров в активном слое, y -расстояние до поверхности.

На фиг.3 дана расчетная зависимость входной емкости Cиз (____) и крутизны gm (- - - -) от напряжения смещения на затворе Uиз для Al0,3Ga0,7As/GaAs ПТ ГСЛ с оптимизированными согласно перечисленным требованиям профилями легирования с длинами затвора L 0,5 мкм (кривая 1), 2 L 0,3 мкм (кривая 2), и ПТ ГСЛ с однородно легированным широкозонным материалом и длиной затвора L 0,5 мкм (кривая 3).

На фиг. 4 дана расчетная зависимость входной емкости Cиз (____) и крутизны gm (- - - -) от напряжения смещения на затворе Uиз для Al0,2Ga0,8As/In0,15Ga0,85As/GaAs ПТ ГСЛ с оптимизированными, согласно перечисленным требованиям, профилями легирования широкозонного материала при длине затвора L 0,3 мкм.

На фиг. 5 дан пример конкретной структуры ПТ ГСЛ, удовлетворяющей перечисленным выше требованиям. Высокоомная подложка (i-GaAs) 1, нелегированный GaAs 2, нелегированный Al0,3Ga0,7As 3, сильнолегированный слой Al0,3Ga0,7As с концентрацией доноров 1018 см-3 4, слой Al0,3Ga0,7As, легированный до ND 2•1017 см-3 5, исток 6, затвор 7, сток - 8.

Пример. Как пример конкретного исполнения ПТ ГСЛ, согласно перечисленным выше требованиям, можно предложить следующую конструкцию транзистора фиг.5, имеющую параметры гетероструктуры: полуизолирующая подложка из i-GaAs 1, нелегированный GaAs с концентрацией остаточных примесей Np ≅ 1015 см-3 2, нелегированный Al0,3Ga0,7As с концентрацией примеси <1015 см-3 толщиной 3 нм 3, сильнолегированный слой Al0,3Ga0,7As с концентрацией доноров 1018 см-3 толщиной 15 нм 4, слой Al0,3Ga0,7As, легированный до ND 2•1017 см-3 толщиной 50 нм 5, исток 6, затвор 7, сток 8.

Похожие патенты RU2093924C1

название год авторы номер документа
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 1993
  • Богданов Ю.М.
  • Пашковский А.Б.
  • Тагер А.С.
  • Яцюк Ю.А.
  • Петров К.И.
RU2093925C1
МОДУЛИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2013
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Дорофеев Алексей Анатольевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2539754C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2021
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Маковецкая Алена Александровна
  • Богданов Сергей Александрович
  • Терешкин Евгений Валентинович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2781044C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ 2014
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2563319C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ 2014
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2563545C1
ПСЕВДОМОРФНЫЙ ГЕТЕРОСТУКТУРНЫЙ МОДУЛИРОВАНО-ЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2013
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Дорофеев Алексей Анатольевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Курмачев Виктор Алексеевич
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2534447C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА 2014
  • Бажинов Анатолий Николаевич
  • Духновский Михаил Петрович
  • Обручников Александр Евгеньевич
  • Пёхов Юрий Петрович
  • Яцюк Юрий Андреевич
RU2563544C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2015
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Петров Константин Игнатьевич
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2599275C1
СТРУКТУРА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СУБТЕРАГЕРЦОВОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО ЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА 2012
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Гергель Виктор Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Черепенин Владимир Алексеевич
RU2503091C1
Мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия 2021
  • Рогачев Илья Александрович
  • Красник Валерий Анатольевич
  • Курочка Александр Сергеевич
  • Богданов Сергей Александрович
RU2782307C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 093 924 C1

Реферат патента 1997 года ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ

Использование: электронная техника. Сущность изобретения: изобретение обеспечивает улучшение линейности характеристик устройств на гетероструктурных полевых транзисторах и снижение модуляционных шумов этих устройств. В полевом транзисторе на гетероструктуре часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 3•1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси большей 1012 см-2, а слой полупроводникового материала между упомянутой частью и затвором выполнен со средней концентрацией примеси ≅ 3•1017 см-3. 5 ил.

Формула изобретения RU 2 093 924 C1

Полевой транзистор на гетероструктуре, содержащий высокоомную подложку и по крайней мере один слой широкозонного и один слой ускозонного полупроводниковых материалов с согласованными или несогласованными кристаллическими решетками, а также исток, затвор и сток, расположенные на наружной поверхности полупроводникового материала, отличающийся тем, что часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 3 • 1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси большей 1012 см-2, а средняя концентрация легирующей примеси между упомянутой частью слоя полупроводникового материала и затвором не превышает 3 • 1017 см-3.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2093924C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Шур М
Современные приборы на основе арсенида галлия
- М.: Мир, 1991
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Laster J.A
et al
Прибор для промывания газов 1922
  • Блаженнов И.В.
SU20A1
International Microwave Symposium Digest
vol
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Подвижная хлебопекарная печь 1925
  • Бушкевич В.И.
  • Важеевский П.А.
SU433A1

RU 2 093 924 C1

Авторы

Богданов Ю.М.

Пашковский А.Б.

Тагер А.С.

Даты

1997-10-20Публикация

1993-03-10Подача