ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ СТРУКТУРОСКОП Российский патент 1998 года по МПК G01N27/90 

Описание патента на изобретение RU2116648C1

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества и параметров покрытий электромагнитным методом и может быть использовано для производства и контроля покрытий.

Известно устройство, использующее вихретоковый преобразователь (ВТП) для оценки содержания углерода в отожженных стальных заготовках [1]. Работа устройства основана на измерении параметров калиброванных заготовок. Для изделий с необработанной поверхностью и сложной формой устройство неприменимо из-за большой погрешности измерения.

Известно устройство для измерения электропроводности цилиндрических неферромагнитных изделий переменного диаметра, в котором погрешность из-за изменения диаметра компенсируется путем учета коэффициента заполнения вихретокового преобразователя (ВТП) [2] . Устройство применимо только для цилиндрических изделий и проходных преобразователей.

Известно устройство для измерения удельной электрической проводимости, в котором для уменьшения влияния зазора вычисляют поправку к измеряемой фазе напряжения ВТП [3].

Известно устройство измерения удельной электрической проводимости, основанное на том, что ВТП устанавливают в двух положениях: на поверхность и на расстоянии от поверхности. Измеряют сигнал в первом положении, во втором положении изменяют частоту питания до тех пор, пока напряжение на ВТП не станет равным предыдущему. Полученное отклонение частоты дает значение удельной электрической проводимости и не зависит от зазора [4].

Известно вихретоковое устройство для разбраковки изделий и материалов по физико-механическим свойствам, основанное на измерении удельной электрической проводимости [5] . Влияние зазора на сигнал ВТП в этом устройстве исключается за счет вычисления σ как отношения логарифма натурального от амплитудной составляющей сигнала.

Известно устройство измерения параметров нефферомагнитного проводящего слоя, основанное на том, что измеряют частоту ωo сигнала ВТП при максимальной разнице сигналов на смежных частотах и по частоте ωo вычисляют σ [6] .

Недостатком данных устройств является низкая точность контроля изделий сложной формы и с необработанной поверхностью, так как при изменении кривизны и при наличии шероховатостей изменяется эффективный объем проводника в поле ВТП за счет изменения площади поверхности в активной зоне ВТП.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является электромагнитный структуроскоп [7], МКИ G 01 N 27/90, содержащий последовательно соединенные, генератор, вихретоковый преобразователь, селективный усилитель третьей гармоники генератора и фазовый детектор, соединенный своим опорным входом через блок формирования опорного напряжения с выходом генератора и сигнальным входом с выводом селективного усилителя, сумматор, соединенный своими входами с соответствующими выходами фазовых детекторов, а своим выходом с регистратором. Недостатком этого устройства является невозможность контроля нефферромагнитных материалов и большая погрешность при контроле изделий сложной формы за счет изменения площади поверхности в активной зоне ВТП.

Цель настоящего изобретения - повышение точности контроля физико-механических свойств проводящего нефферромагнитного покрытия на изделиях переменной кривизны с необработанной поверхностью.

Указанная цель достигается тем, что электромагнитный структуроскоп, содержащий вихретоковый параметрический преобразователь, генератор, блок детектирования и обработки информации, дополнительно снабжен индуктивным датчиком и блоком регулирования амплитуды генератора, причем выход генератора соединен со входом преобразователя, выход индуктивного датчика соединен со входом блока регулирования амплитуды генератора, выход которого соединен с управляющим входом генератора, а выход преобразователя соединен со входом схемы детектирования и обработки информации.

На фиг. 1а изображена схема расположения ВТП и индуктивного датчика на контролируемой поверхности; на фиг. 1б изображена зависимость индуктивности датчика от глубины шероховатости поверхности изделия; на фиг.1в изображены зависимости амплитуды напряжения на контура ВТП от глубины шероховатости поверхности без коррекции (кривая 1) и с коррекцией (кривая 2).

Электромагнитный структуроскоп (фиг.2) содержит управляемый генератор 1, вихретоковый параметрический преобразователь 2, индуктивный датчик 3, блок регулирования амплитуды генератора 4, блок детектирования и обработки информации 5, причем выход индуктивного датчика 3 соединен со входом блока регулирования амплитуды генератора 4, выход которого соединен с управляющим входом генератора 1, а выход преобразователя 2 соединен со входом блока детектирования и обработки информации 5.

Структуроскоп работает следующим образом.

Генератор 1 возбуждает в колебательном контуре преобразователя 2 вынужденные колебания. Амплитуда переменного напряжения на контуре Um определяется его добротностью Q, которая зависит от объема проводника, находящегося в поле ВТП и от удельного электрического сопротивления материала изделия. Если изделие имеет плоскую и гладкую поверхность (линия P фиг. 1а), то Um будет зависеть только от удельного электрического сопротивления материала покрытия.

При наличии шероховатости глубиной "δ", величина которой сравнима с толщиной покрытия и с шагом "b" (линия N на фиг. 1а), площадь поверхности в b-активной зоне преобразователя увеличивается в раз, где b - шаг неровностей. Во столько же раз увеличивается объем вносимого в активную зону ВТП проводника. Следовательно добротность Qm - уменьшается по сравнению с Qпл. Так при b = 1 мм и δ = 0,5 шероховатость вызовет изменение добротности Q на 40%. Аналогичное явление будет иметь место и при установке ВТП на криволинейную поверхность (линия M на фиг. 1а). Эффективный объем металла при этом увеличивается по сравнению с плоской поверхностью b:

раз, где
R - радиус кривизны поверхности изделия; d - диаметр активной зоны ВТП.

При диаметре активной зоны ВТП d = 10 мм и радиусе кривизны R = 50 мм изменение добротности составит 1,7%.

Следовательно, изменение радиуса кривизны и шероховатость поверхности вызывают отклонения Um, не связанные с удельной электропроводностью материала покрытия.

Индуктивный датчик 3 представляет собой катушку индуктивности, активное поле которой совпадает с активным полем ВТП. В активное поле индуктивного датчика вносится проводящий материал покрытия. При этом индуктивность L такой катушки будет изменяться и будет тем меньше, чем больший объем проводящего материала оказывается в ее активной зоне (фиг. 1б), т.е. чем больше высота шероховатости δ.

В известных устройствах выходное напряжение генератора 1 не связано с площадью поверхности измеряемого покрытия в активной зоне ВТП, поэтому при увеличении шероховатости (δ) амплитуда напряжения будет уменьшаться в соответствии с кривой 1 фиг. 1в.

В предлагаемом структуроскопе информация о величине индуктивности L поступает в блок регулирования выходного напряжения генератора 4. Выходное напряжение генератора 1 увеличивается таким образом, что амплитуда напряжения Um на контуре ВТП остается постоянной (линия 2 на фиг. 1в) и не зависящей от степени шероховатости и кривизны поверхности изделия. Результат измерения зависит только от электропроводности покрытия.

Результирующая погрешность измерения удельной электропроводности покрытия определяется погрешностью измерения величины индуктивности индуктивного датчика 3 и не превышает 0,5% [8].

Переменное напряжение с ВТП 2 поступает в блок детектирования и обработки информации 5, где происходит выделение значения Um и перевод измеренного значения удельной электрической проводимости в численное значение измеряемого физического параметра, например, содержание в покрытии углерода.

Таким образом, данный структуроскоп позволяет уменьшить погрешность измерения удельной электрической проводимости нефферромагнитного покрытия на изделиях сложной формы и с шероховатой поверхностью за счет введения в активную зону ВТП индуктивного датчика и изменении выходного напряжения генератора в соответствии с величиной индуктивности этого датчика.

Погрешность измерения удельной электрической проводимости предлагаемым структуроскопом не превышает 0,5% по сравнению с 2-40% по прототипу.

Источники информации.

1. Неразрушающий контроль материалов и изделий. Справочник под ред. Г.С. Самойловича. М.: Машиностроение. 1976 г.

2. А.с. N 1237963, G 01 N 27/90.

3. А.с. N 1223128, G 01 N 27/90.

4. А.с. N 1216716, G 01 N 27/90.

5. А.с. N 1224705, G 01 N 27/90.

6. А.с. N 1211648, G 01 N 27/90.

7. А.с. N 894545, G 01 N 27/90.

8. Т. Д. Фрумкин. Расчет и конструирование радиоэлектронной аппаратуры. Высшая школа, М.: 1985., 287 стр.

Похожие патенты RU2116648C1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПРОВОДЯЩЕГО ПОКРЫТИЯ С НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ОТСЧЕТОМ 1995
  • Капранов Б.И.
  • Маклашевский В.Я.
RU2128818C1
Способ измерения удельной электрической проводимости немагнитных металлов 1980
  • Дерун Евгений Николаевич
SU885872A1
Способ измерения удельной электрической проводимости 1980
  • Дерун Евгений Николаевич
SU879437A1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ГАЗОНАСЫЩЕННЫХ СЛОЕВ НА ТИТАНОВЫХ СПЛАВАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1993
  • Митюрин Владимир Сергеевич
RU2115115C1
УСТРОЙСТВО РЕГИСТРАЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ 1997
  • Лопатин В.В.
  • Сватков А.В.
RU2134890C1
ПРИБОР ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ МЕТАЛЛОВ 1993
  • Алексеев В.П.
  • Лоханин М.В.
  • Почекуев А.В.
  • Ярмоленко В.И.
RU2082159C1
Электромагнитное устройство для из-МЕРЕНия РАССТОяНия дО элЕКТРОпРОВО-дящЕй пОВЕРХНОСТи 1979
  • Бакунов Александр Сергеевич
  • Беликов Евгений Готтович
  • Володин Сергей Павлович
  • Герасимов Виктор Григорьевич
  • Клюев Владимир Владимирович
  • Костров Дмитрий Сергеевич
  • Останин Юрий Яковлевич
SU847002A1
Способ вихретокового измерения параметров электропроводящих изделий 1989
  • Шишкин Алексей Рудольфович
  • Куликовский Константин Лонгинович
  • Самарин Олег Михайлович
SU1689753A1
СПОСОБ ВИХРЕТОКОВОГО КОНТРОЛЯ МЕДНОЙ КАТАНКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2014
  • Романов Сергей Иванович
  • Смолянов Владимир Михайлович
  • Журавлёв Алексей Викторович
  • Новосельцев Дмитрий Вячеславович
  • Будков Алексей Ремович
  • Серебренников Андрей Николаевич
  • Мальцев Алексей Борисович
RU2542624C1
Устройство для вихретокового контроля электропроводящих материалов 1983
  • Редько Владимир Иванович
  • Серебренников Сергей Валентинович
  • Хандецкий Владимир Сергеевич
SU1099269A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 116 648 C1

Реферат патента 1998 года ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ СТРУКТУРОСКОП

Электромагнитный структуроскоп может быть использован для неразрушающего контроля качества и параметров покрытий электромагнитным методом при производстве и контроле качества покрытий. Повышена точность контроля физико-механических свойств проводящего неферромагнитного покрытия на изделиях переменной кривизны с необработанной поверхностью. Электромагнитный структуроскоп содержит вихретоковый параметрический преобразователь, генератор, блок детектирования и обработки информации, индуктивный датчик и блок регулирования амплитуды генератора. Выход генератора соединен со входом преобразователя, выход индуктивного датчика соединен со входом блока регулирования амплитуды генератора, выход которого соединен с управляющим входом генератора, а выход преобразователя соединен со входом блока детектирования и обработки информации. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 116 648 C1

Электромагнитный структуроскоп, содержащий вихретоковый параметрический преобразователь, генератор и блок детектирования и обработки информации, вход которого соединен с выходом вихретокового преобразователя, вход последнего соединен с выходом генератора, отличающийся тем, что дополнительно снабжен индуктивным датчиком, активное поле которого совпадает с активным полем вихретокового параметрического преобразователя, и блоком регулирования выходной амплитуды генератора, причем выход индуктивного датчика соединен с входом блока регулирования амплитуды генератора, выход которого соединен с управляющим входом генератора для обеспечения постоянной амплитуды напряжения на контуре вихретокового параметрического преобразователя.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2116648C1

SU, 894545 A, 30.12.81
SU, 1490635 A1, 30.06.89
SU, 1583828 A1, 01.08.9 0.

RU 2 116 648 C1

Авторы

Толмачев И.И.

Маклашевский В.Я.

Даты

1998-07-27Публикация

1994-11-30Подача