СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА АСИММЕТРИИ ГРАДИЕНТА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИКРИСТАЛЛАХ Российский патент 1999 года по МПК G01N24/00 

Описание патента на изобретение RU2131121C1

Изобретение относится к радиоспектроскопии, в частности к ядерному квадрупольному резонансу (ЯКР) и может быть использовано при анализе структуры и строения химических соединений.

Известен способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в поликристаллах, содержащих квадрупольные ядра со спином 3/2, включающий воздействие двумя радиочастотными импульсами с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, и постоянным магнитным полем, регистрацию модуляции огибающей сигналов спинового эха и анализ формы линии ЯКР, полученной после преобразования Фурье, огибающей спинового эха /1/ - Ю.Е. Сапожников, Я.Б. Ясман./ Влияние асимметрии тензора ГЭП на огибающую квадрупольного спинового эха в магнитном поле. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1978. т. 42. С 2148.

Данный способ имеет недостатки: 1) необходимость использования постоянного магнитного поля, 2) невозможность применения при достаточно широких линиях спектра ЯКР (~102 - 103) кГц, т.е. в случае, когда нельзя использовать эффект Зеемана.

Известен также способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в поликристаллах, содержащих квадрупольные ядра со спином 3/2, включающий воздействие двумя радиочастотными импульсами с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, и постоянным магнитным полем, регистрацию модуляции огибающей сигналов спинового эха и определение асимметрии ГЭП η по характерным параметрам модуляционного эффекта

где Δτ и Δτ - периоды высокочастотного и низкочастотного биений огибающей сигналов эха /2/ - Н.Е. Айнбиндер, А.С. Ажеганов, А.В. Данилов, И. В. Изместьев. / Изучение асимметрии ГЭП в поликристаллах импульсным методом ЯКР. // Радиоспектроскопия, Пермь, 1989, вып. 19. С 96. Он взят нами за прототип.

Данный способ имеет недостатки: 1) необходимость использования постоянного магнитного поля; 2) ограниченный диапазон (0,03 до 0,6) определяемой величины; 3) невозможность применения при достаточно широких линиях спектра ЯКР (~102...103) кГц, т.е. в случае, когда нельзя использовать эффект Зеемана.

Задачей данного изобретения является разработка способа определения параметра асимметрии градиента электрического поля в поликристаллах для широких линий спектра ЯКР.

Эта задача решается с помощью существенных признаков указанных в формуле изобретения: общих с прототипом - способа определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в поликристаллах, содержащих квадрупольные ядра со спином 3/2, включающего воздействие двумя радиочастотными импульсами с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию модуляции огибающей сигналов спинового эха и определение асимметрии ГЭП η по характерным параметрам модуляционного эффекта и отличительных от наиболее близкого аналога существенных признаков - модуляционный эффект наблюдает при изменении длительностей возбуждающих импульсов, при этом частота нутации ωn ядерных спинов равна частоте ЯКР во вращающейся системе координат ωвск, причем изменяют длительности импульсов как в отдельности, так и одновременно при заданном интервале τ между ними.

Ниже раскрывается наличие причинно-следственной связи с совокупностью существенных признаков заявляемого изобретения с достигаемым результатом.

Во-первых, впервые предложен способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля для широких (~102...103) кГц линий спектра ЯКР, когда невозможно непосредственно использовать эффект Зеемана.

Во-вторых, предложенный способ позволяет определять искомую величину без наложения внешнего магнитного поля, что приводит к простоте самого способа и простоте определения необходимого параметра.

В третьих, предложенный способ позволяет определять необходимый параметр тремя вариантами без особых изменений, что в конечном итоге приводит дополнительно к повышению точности определяемой величины.

Анализ всех отличительных признаков предлагаемого изобретения показал, что изобретательский уровень высок, раньше такие приемы не использовались для решения такой задачи.

Способ реализован с помощью устройства, описанного в А. с. СССР N 1163228, МКИ G 01 N 24/08, 1985, Бюл. N 23.

На фиг. 1, 2 и 3 приведены импульсные программы, которые используются при реализации способа, на фиг. 4, 5 - эффект модуляции амплитуды спин эхо ядер 63Cu(J= 3/2) в Y1Ba2Cu3O7-d (местоположения Cu1 и Cu2, зависящие от связи с кислородом), который наблюдается при использовании программы на фиг. 3.

Амплитуда сигнала эхо при двухимпульсном возбуждении зависит от трех независимых временных параметров: длительности первого импульса t1, длительности второго импульса t2, и временного интервала τ между ними. При фиксировании τ можно наблюдать три варианта модуляционного эффекта огибающей сигналов спинового эха.

Первый вариант. Изменяем длительность первого импульса t1 при заданных интервале τ между импульсами и длительности второго импульса t2 = 180o (фиг. 1). Временная зависимость амплитуды эхо определяется в случае поликристалла выражением

Второй варианат. Изменяем длительность второго импульса t2 при заданных интервале τ между импульсами и длительности первого импульса t1 = 90o (фиг. 2). Временная зависимость амплитуды эхо определяется в случае поликристалла выражением

Третий вариант. Изменяем одновременно длительности первого t1 и второго t2 импульсов при заданном интервале τ между ними, при этом выполняем условие: t2 = 2t1.

Амплитуда эхо в этом случае для поликристалла описывается выражением

где ωn = 2πνn - частота нутации ядерных спинов, равная частоте ЯКР во вращающейся системе координат
H1 - амплитуда радиочастотного поля;
θ и ϕ - полярный и азимутальный углы H1 в системе главных осей ГЭП.

Из выражений (1)-(3) видно, что во всех трех вариантах предлагаемого способа модуляция амплитуды происходит с частотой нутации ωn, а форма такая же, как в случае обычных сигналов индукции и эха.

На фиг. 4 и 5 показаны наблюдаемые эффекты модуляции амплитуды эха 63Cu в ВТСП Y1Ba2Cu3O7-d (d > 0) на частотах 22,24 МГц (Cu1) и 31,13 МГц (Cu2). Длительность первого импульса изменяется от 1,4 до 7,6 мкс с шагом 0,2 мкг (длительность второго t2 = 2t1) при интервале между импульсами τ = 22 мкм. Линия ЯКР 63Cu на частоте 31,13 МГц имеет значительную ширину (0,2 МГц), которая становится сравнима, а затем и превышает ширину спектра радиоимпульсов по мере увеличения их длительности. В результаты эксперимента внесена поправка, учитывающая сужение спектра радиоимпульсов. На фиг. 4 и 5 нанесены расчетные зависимости амплитуд эхо от длительности радиоимпульсов для случаев η =0,3 (Cu2) и η = 0,8 (Cu1). Из сопоставления картин модуляционного эффекта видно, что в позиции Cu1 (фиг. 4) параметр асимметрии ГЭП близок к 1, а в позиции Cu2 (фиг. 5) параметр асимметрии ГЭП η = 0,3.

Таким образом, имеется хорошее согласие теоретических расчетов и экспериментальных данных по предлагаемому способу, позволяющему определять величины асимметрии ГЭП для спектров ЯКР с широкими линиями, когда использование эффекта Зеемана невозможно.

Похожие патенты RU2131121C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА АСИММЕТРИИ ГРАДИЕНТА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ 1999
  • Золотарев И.В.
  • Ким А.С.
  • Соковнин И.Л.
RU2151387C1
Способ измерения параметра асимметрии градиента электрического поля в поликристаллах 1989
  • Каджая Игорь Михайлович
  • Фурман Григорий Борисович
SU1735750A1
СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ СИГНАЛОВ ЭХА 1997
  • Ким А.С.
RU2140069C1
СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ СИГНАЛОВ КВАДРУПОЛЬНОГО СПИНОВОГО ЭХА 2000
  • Ким А.С.
RU2184368C1
СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ СИГНАЛОВ КВАДРУПОЛЬНОГО СПИНОВОГО ЭХА 2000
  • Ким А.С.
RU2171981C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ЛОКАЛЬНОГО ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ 2000
  • Ким А.С.
RU2165613C1
СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ СИГНАЛОВ КВАДРУПОЛЬНОГО СПИНОВОГО ЭХА 1999
  • Ким А.С.
RU2151386C1
СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ СИГНАЛОВ КВАДРУПОЛЬНОГО СПИНОВОГО ЭХА 1998
  • Ким А.С.
RU2147743C1
СПОСОБ АНАЛИЗА МОЛЕКУЛЯРНОГО СТРОЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ 1994
  • Кибрик Г.Е.
  • Поляков А.Ю.
RU2076312C1
СПОСОБ НУТАЦИОННОЙ РЕЛАКСОМЕТРИИ 1995
  • Ким А.С.
RU2086967C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 131 121 C1

Реферат патента 1999 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА АСИММЕТРИИ ГРАДИЕНТА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИКРИСТАЛЛАХ

Изобретение может быть использовано при анализе структуры и строения химических соединений. В способе определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в поликристаллах, содержащих квадрупольные ядра со спином 3/2, включающем воздействие двумя радиочастотными импульсами с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию модуляции огибающей сигналов спинового эха и определение асимметрии ГЭП η по характерным параметрам модуляционного эффекта, модуляционный эффект наблюдают при изменении длительностей возбуждающих импульсов, при этом частота нутации ωn ядерных спинов равна частоте ЯКР во вращающейся системе координат ωвск, причем изменяют длительности импульсов как в отдельности, так и одновременно при заданном интервале τ между ними. Изобретение упрощает определение параметра асимметрии ГЭП, дает возможность излучать соединения с широкими спектральными линиями ЯКР и слабо разрешенной мультиплетной структуры спектров. 3 з.п.ф-лы, 5 ил.

Формула изобретения RU 2 131 121 C1

1. Способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля в поликристаллах, содержащих квадрупольные ядра со спином 3/2, включающий воздействие двумя радиочастотными импульсами с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию модуляции огибающей сигналов спинового эха и определение асимметрии градиента электрического поля η по характерным параметрам модуляционного эффекта, отличающийся тем, что модуляционный эффект наблюдается при изменении длительностей возбуждающих импульсов, при этом частота нутации ωп ядерных спинов равна частоте ЯКР во вращающейся системе координат ωвск.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменяют длительность первого импульса t1 при заданных интервале τ между импульсами и длительности второго импульса t2 = 180o.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменяют длительность второго импульса t2 при заданных интервале τ между импульсами и длительности первого импульса t1 = 90o. 4. Способ по п.1,отличающийся тем, что одновременно изменяют длительности первого t1 и второго t2 импульсов при заданном интервале τ между ними, при этом выполняют условие t2 = 2t1.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1999 года RU2131121C1

Айнбиндер Н.Е
и др
Изучение асимметрии ГЭП в поликристаллах импульсным методом ЯКP
Радиоспектроскопия
- Пермь, 1989, вып
Способ изготовления электрических сопротивлений посредством осаждения слоя проводника на поверхности изолятора 1921
  • Андреев Н.Н.
  • Ландсберг Г.С.
SU19A1
Приспособление в пере для письма с целью увеличения на нем запаса чернил и уменьшения скорости их высыхания 1917
  • Латышев И.И.
SU96A1
Способ измерения параметра асимметрии градиента электрического поля в поликристаллах 1989
  • Каджая Игорь Михайлович
  • Фурман Григорий Борисович
SU1735750A1
Приспособление в пере для письма с целью увеличения на нем запаса чернил и уменьшения скорости их высыхания 1917
  • Латышев И.И.
SU96A1
Сапожников Ю.Е
и др
Влияние асимметрии тензора ГЭП на огибающую квадрупольного спинового эха в магнитном поле
Известия АН СССР, Сер
Физика, 1978, т.42, с.2148.

RU 2 131 121 C1

Авторы

Ажеганов А.С.

Золотарев И.В.

Ким А.С.

Даты

1999-05-27Публикация

1998-05-07Подача