Область техники. Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока и в частности в изделиях с ограниченным аппаратурным объемом.
Известен германиевый транзистор (Электронные компоненты, N 2, 1998, с. 49), содержащий в поперечном сечении линию внешней границы корпуса в виде окружности.
Под термином "поперечное сечение" следует понимать сечение плоскостью, перпендикулярной продольной оси транзистора.
Термин "поперечное сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания, включая формулу изобретения.
Под термином "продольная ось транзистора" следует понимать характерную ось, проходящую, например:
через центр масс транзистора или корпуса транзистора и параллельную оси одного из выводов транзистора;
по касательной к образующей обечайки (боковой стенке) транзистора;
через геометрические центры (или центры масс) противоположных днищ (стенок).
Термин "продольная ось транзистора" используется в данном контексте на протяжении всего описания.
Недостатками аналога являются:
во-первых, отсутствие конструктивно заложенного изменения линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса, что не позволяет обеспечить максимальную компоновку транзистора в составе изделия с ограниченным объемом;
во-вторых, при утилизации транзистора, в том числе в составе изделия, требуется большая работа по деформации корпуса транзистора в поперечном направлении в связи с большим значением момента сопротивления сечения корпуса сжатию (деформации, разрушению [1]).
Под термином "линейный размер" следует понимать характерное расстояние, например, между:
противоположными точками пересечения отрезка прямой, проходящей через центр масс сечения транзистора или корпуса транзистора с линией внешней границы корпуса; противоположными точками на внешних границах противоположных сторон в сечении корпуса.
Термин "линейный размер" используется в данном контексте на протяжении всего описания, включая формулу изобретения.
Наиболее близким по технической сущности прототипом к предлагаемому устройству является транзистор, содержащий линию внешней границы поперечного сечения корпуса (SU 1424656 А1, 10.01.97).
Недостатками прототипа являются:
во-первых, отсутствие конструктивно заложенного изменения линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса, что не позволяет обеспечить максимальную компоновку транзистора в составе изделия с ограниченным объемом;
во-вторых, при утилизации транзистора, в том числе в составе изделия, требуется большая работа по деформации корпуса транзистора в поперечном направлении в связи с большим значением момента сопротивления сечения корпуса сжатию (деформации, разрушению).
В процессе утилизации могут происходить операции разделения корпуса транзистора на элементы, в связи с чем форма корпуса прототипа не оптимальна с точки зрения уменьшения работы по утилизации транзистора.
Задачей изобретения является создание транзистора с конструктивно заложенным изменением линейного размера внешней границы в поперечном сечении корпуса, улучшенными монтажными и утилизационными свойствами.
Под термином "утилизационные свойства" следует понимать конструктивную приспособленность транзистора, например корпуса к разрушению в процессе утилизации.
Термин "утилизационные свойства" используется в данном контексте на протяжении всего описания изобретения.
Под термином "монтажные свойства" следует понимать безошибочность расположения, надежность крепления и повышение, при необходимости плотности компоновки транзистора в схеме совместно с другими деталями.
Термин "монтажные свойства" используется в данном контексте на протяжении всего описания изобретения.
Указанный технический результат изобретения достигается тем, что транзистор содержит линию внешней границы поперечного сечения корпуса, и по крайней мере в одном из поперечных сечений по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов косого конического сечения прямого кругового конуса.
Под термином "косое коническое сечение" следует понимать линию, которую образует поверхность прямого кругового конуса и секущая плоскость, не проходящая через его вершину при условии, что угол между секущей плоскостью и осью прямого кругового конуса отличен от прямого угла [2]. Термин "косое коническое сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения.
При этом обеспечивается конструктивно заложенное изменение линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении транзистора в изделии обеспечивается более плотная компоновка и повышенная надежность крепления деталей в ограниченном объеме, безошибочный монтаж транзистора в схеме относительно других деталей. В процессе утилизации транзистора производится гораздо меньшая работа по разрушению корпуса при сжатии.
Транзистор может быть выполнен в поперечном сечении с переменным линейным размером, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме.
Транзистор может быть выполнен с линейным размером в поперечном сечении многократно возрастающим, убывающим, изменяющимся периодически, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме.
Транзистор может быть выполнен с вогнутой или выпуклой частью линии границы поперечного сечения корпуса относительно центра масс сечения, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме.
Под термином "центр масс сечения" следует понимать точку в плоскости сечения, относительно которой элементарные массы сечения взаимно уравновешены, т.е. выполняется условие уравнения
где S - площадь поперечного сечения;
Xi - расстояние от i-той элементарной массы до центра масс сечения;
ρi плотность материала i-той элементарной массы;
1•ds - элементарный объем i-той массы.
Термин "центр масс сечения" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения.
Транзистор может быть выполнен со ступенчатой частью длины линии границы поперечного сечения корпуса, причем ступени могут быть выполнены как с увеличением линейного размера сечения при переходе от одной ступени к другой, так и с уменьшением, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме.
Транзистор может быть выполнен по крайней мере с одной выемкой и/или одним выступом на границе поперечного сечения корпуса, что позволит повысить безошибочность монтажа в составе изделия.
Транзистор может быть выполнен с частью длины границы поперечного сечения в виде фрагментов и/или комбинаций фрагментов: многоугольника, конического сечения прямого кругового конуса, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме.
Под термином "коническое сечение" следует понимать линию, которую образует поверхность прямого кругового конуса и секущая плоскость, не проходящая через его вершину при условии, что угол между секущей плоскостью и осью прямого кругового конуса прямой [2].
Термин "коническое сечение" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения.
Транзистор может быть выполнен с разрывом толщины в поперечном сечении корпуса, причем разрыв может быть многократным и периодическим, что позволит повысить компоновочные свойства и безошибочность монтажа в электрической схеме за счет расположения токовыводов в требуемом месте на корпусе.
Транзистор может быть выполнен с многослойным корпусом, причем корпус или любой из его слоев имеет в сечении переменную толщину, которая многократно возрастает и убывает, а также меняется периодически, что позволит улучшить утилизационные свойства транзистора.
Корпус транзистора или любой из его слоев может быть выполнен из металла с пределом прочности от 80 МПа до 2050 МПа, или из композиционного материала (волокнистых материалов, слоистых композиций, дисперсно-упрочненных материалов) с пределом прочности от 10 МПа до 1800 МПа, или из пластмассы, керамики, металлокерамики, стекла, резины с пределом прочности от 0,1 МПа до 2000 МПа, что позволит применять его в различных климатических условиях, а также в агрессивных средах при повышенных (пониженных) температурах.
Транзистор может быть выполнен по крайней мере с одним слоем изолятора, расположенным между корпусом и внешней границей рабочей секции, причем в качестве изолятора применяется вакуум, газ, жидкость, твердое вещество или резина, при этом электрическая прочность изолятора лежит в пределах от 1 кВ/м до 300 МВ/м, что обеспечит работоспособность транзистора в широком диапазоне рабочих напряжений (от единиц до сотен тысяч вольт) и условий эксплуатации.
Под термином "рабочая секция" следует понимать объем, в котором находится рабочий элемент транзистора.
Термин "рабочая секция" используется в данном контексте на протяжении всего описания и в формуле изобретения.
Транзистор может быть выполнен с изолятором, толщина которого в поперечном сечении меняется, многократно возрастая и убывая, или занимает все пространство сечения внутри корпуса, что позволит обеспечить в заданных областях корпуса транзистора повышенную изоляцию.
Транзистор может быть выполнен с полостями между слоями корпуса и/или изолятора, что позволит уменьшить работу по разрушению транзистора при утилизации путем ослабления сил сцепления между слоями.
Проведенный анализ уровня техники показал, что заявленная совокупность существенных признаков, изложенных в формуле изобретения, неизвестна. Это позволяет сделать вывод о ее соответствии критерию "новизна".
Для проверки соответствия заявленного изобретения критерию "изобретательский уровень" проведен дополнительный поиск известных технических решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного технического решения. Установлено, что заявленное техническое решение не следует явным образом из известного уровня техники. Следовательно, заявленное изобретение соответствует критерию "изобретательский уровень".
Сущность изобретения и возможность его практической реализации поясняется чертежами, где на фиг.1 изображено поперечное сечение транзистора, содержащее линию внешней границы 1, и по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента косого конического сечения прямого кругового конуса 2.
На фиг.1 изображено поперечное сечение транзистора с переменным линейным размером 3.
Линейный размер обозначен отрезком прямой между противоположными точками 4 и 5 на корпусе транзистора и проходящий через центр масс сечения 6. На границе сечения выполнены выемки 10 и выступы 11.
На фиг. 2 изображено поперечное сечение, линейный размер которого меняется, многократно и периодически возрастая и убывая. Часть линии границы сечения относительно центра масс сечения 6 выполнена вогнутой 7 и выпуклой 8. Часть линии границы выполнена из группы, содержащей в сечении фрагменты или комбинации фрагментов: окружности 12, квадрата 13, прямоугольника 14, ромба 15, трапеции 16, треугольника 17, эллипса 18.
На фиг.3 изображено поперечное сечение со ступенчатой 9 линией границы. При этом корпус имеет переменную толщину, которая меняется, многократно возрастая и убывая (периодически). В центральной части сечения расположена рабочая секция 19 транзистора 23. Между границей рабочей секции и корпусом расположен изолятор 20. Изолятор имеет участки с переменной толщиной.
Корпус и изолятор в сечении имеют разрывы 22 для выводов 24.
На фиг. 4 изображено поперечное сечение транзистора, в котором все пространство сечения внутри корпуса занято многослойным изолятором. Между слоями изолятора, между изолятором и корпусом располагаются полости 21.
Таким образом, применение данной конструкции транзистора позволит достичь задачи изобретения.
Литература
1. Феодосьев В. И. Сопротивление материалов. - М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1979. - 560 с.
2. Математический энциклопедический словарь. М.: Советская энциклопедия, 1988 г., 847 с.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СТАБИЛИТРОН | 1999 |
|
RU2159973C2 |
МИКРОСХЕМА | 1999 |
|
RU2156010C1 |
ДИОД | 1999 |
|
RU2157019C1 |
АККУМУЛЯТОР | 1999 |
|
RU2139608C1 |
КОНДЕНСАТОР ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ | 1999 |
|
RU2140682C1 |
КОНДЕНСАТОР С БУМАЖНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ | 1999 |
|
RU2141144C1 |
АККУМУЛЯТОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ С МАКСИМАЛЬНЫМ ГАБАРИТОМ БОЛЕЕ СТА МИЛЛИМЕТРОВ | 1999 |
|
RU2139604C1 |
АККУМУЛЯТОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ С МАКСИМАЛЬНЫМ ГАБАРИТОМ МЕНЕЕ СТА МИЛЛИМЕТРОВ | 1999 |
|
RU2139607C1 |
РЕЗИСТОР | 1999 |
|
RU2158033C1 |
КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ | 1999 |
|
RU2140678C1 |
Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам. Техническим результатом изобретения является создание транзистора с конструктивно заложенным изменением линейного размера внешней границы в поперечном сечении корпуса, улучшенными монтажными и утилизационными свойствами. Сущность: транзистор содержит корпус, при этом линия внешней границы поперечного сечения корпуса и по крайней мере в одном из поперечных сечений по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента или комбинации фрагментов косого конического сечения прямого кругового конуса. При этом обеспечивается конструктивно заложенное изменение линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении транзистора в изделии увеличивается плотность монтажа, повышается надежность крепления деталей в ограниченном объеме и безошибочность монтажа транзистора в схеме относительно других деталей. Для утилизации транзистора требуется меньше работы при разрушении корпуса. 29 з.п.ф-лы, 4 ил.
МОЩНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР | 1975 |
|
SU1424656A1 |
Электронные компоненты, N 2, 1998, с.49 | |||
US 4890154 A, 26.12.1989 | |||
КОРПУС ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ | 1991 |
|
RU2018215C1 |
Авторы
Даты
2000-09-10—Публикация
1999-02-12—Подача