СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА СВЕРХПРОВОДНИКА Российский патент 2000 года по МПК G01R19/00 G01R31/26 

Описание патента на изобретение RU2156980C1

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности, критического тока.

Известны различные способы измерения критических токов сверхпроводников Iк, такие как индуктивные, из измерений намагниченности и резистивные [1]. Наиболее близким к предложенному способу является резистивный [2], когда через сверхпроводник, находящийся в однородном магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения определяют Iк. Недостатком его является то, что в этом случае определяемый Iк является интегральной характеристикой всего сверхпроводника, когда же в реальном материале могут существовать области с различными значениями Iк.

Изобретение направлено на создание метода, позволяющего определять Iк сверхпроводника в его локальных объемах и тем самым повысить точность оценки его токонесущей способности.

Это достигается тем, что в локальной области сверхпроводника формируют пятно магнитного потока и измеряют величину критического тока.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1 показано расположение сверхпроводника 1 относительно полюсов магнитной системы 2, создающей в его объеме пятно магнитного потока 3; на фиг. 2 показано изменение значений Iк, измеренных по длине образца.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Сверхпроводник 1 (фиг. 1), например, в виде пластинки размещают между полюсами магнитной системы 2, создающей в локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией В. Через пластину пропускают транспортный ток I и при появлении падения напряжения U измеряют величину критического тока Iк этой локальной области для данного значения В. Перемещая пластинку относительно полюсов магнитной системы, можно контролировать Iк по ее длине.

Для проверки предлагаемого способа были проведены измерения критического тока пластинок (20х5х1,5) мм3 из сверхпроводника типа Y-Ba-Cu-O, имеющего следующие параметры: начало и конец сверхпроводящего перехода соответственно 93 и 82 K, плотность 5.2 г/см3. В экспериментах использовалась магнитная система установки, описанной в [3]. Для повышения разрешающей способности измерений по контролируемому объему использовались полюсные наконечники толщиной 0,5 мм. При В = 0.025 Тл формировалось пятно магнитного потока с шириной b = 1.5 мм, толщиной а = 5 мм, длиной d =1.5 мм. Измерения проводились при температуре жидкого азота. Величина критического тока оценивалась при появлении напряжения на сверхпроводнике 0.1 мкВ. Значение критического тока составило порядка 0,4 А и измерялось с точностью 5•10-3 А. Таким образом, мы могли контролировать Iк для локальных областей сверхпроводника с объемом 11.2 мм3 с разрешением 1.5 мм по длине образца.

Источники информации
1. КЕМПБЕЛЛ А. , ИВЕТС ДЖ. Критические токи в сверхпроводниках. - М.: Мир, 1975, с. 9, 132.

2. ВОЛКОВ П.В., ИМЕНИТОВ А.Б. и др. Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников.

3. ГОЛЕВ И.М., МИЛОШЕНКО В.Е., АНДРЕЕВА Н.А. Установка для исследования динамики пятна магнитоного потока в сверхпроводниках механическим методом. - Приборы и техника физического эксперимента. М., 1998, N 5, с. 161-163.

Похожие патенты RU2156980C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЦЕНТРОВ ПИННИНГА В СВЕРХПРОВОДНИКАХ 1999
  • Милошенко В.Е.
  • Голев И.М.
  • Андреева Н.А.
RU2160485C2
СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ВЫВЕШИВАНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 1998
  • Голев И.М.
  • Милошенко В.Е.
  • Андреева Н.А.
RU2155935C2
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГИБКИХ ОБРАЗЦОВ СВЕРХПРОВОДНИКА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2021
  • Лепехин Владимир Михайлович
  • Оленев Александр Олегович
RU2783918C1
Способ и система прецизионного измерения критического тока джозефсоновского перехода SIS-типа 2022
  • Вострецов Алексей Геннадьевич
  • Вольхин Дмитрий Игоревич
  • Кривецкий Андрей Васильевич
  • Новиков Илья Леонидович
  • Пицун Дмитрий Константинович
  • Хайло Никита Сергеевич
RU2790064C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 2011
  • Мащенко Александр Иванович
RU2482567C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 2011
  • Мащенко Александр Иванович
RU2473153C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 2015
  • Мащенко Александр Иванович
RU2613840C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ВТСП МАТЕРИАЛА Y-BA-CU-O 1994
  • Югай К.Н.
  • Тихомиров В.В.
  • Скутин А.А.
  • Кузин В.В.
  • Сычев С.А.
  • Карелин В.И.
  • Серопян Г.М.
RU2087994C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАТЕРИАЛОВ 2009
  • Иванов Лев Иванович
  • Боровицкая Ирина Валерьевна
  • Горшков Павел Вадимович
  • Михайлов Борис Петрович
  • Крохин Олег Николаевич
  • Никулин Валерий Яковлевич
  • Перегудова Елена Николаевна
  • Михайлова Галина Николаевна
  • Троицкий Алексей Владимирович
RU2404470C1
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное 2018
  • Гурович Борис Аронович
  • Приходько Кирилл Евгеньевич
  • Домантовский Александр Григорьевич
  • Кулешова Евгения Анатольевна
  • Кутузов Леонид Вячеславович
RU2694799C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 156 980 C1

Реферат патента 2000 года СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА СВЕРХПРОВОДНИКА

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности, критического тока. Технический результат заключается в повышении точности оценки токонесущей способности сверхпроводника. Сверхпроводник размещают между полюсами магнитной системы, создающей в его локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией В, и измеряют величину критического тока этой локальной области для данного значения индукции. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 156 980 C1

Способ измерения критического тока сверхпроводника, заключающийся в том, что по сверхпроводнику, находящемуся в магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что сверхпроводник размещают между полюсами магнитной системы, создающей в его локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией B, и измеряют величину критического тока этой локальной области для данного значения индукции.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2000 года RU2156980C1

ВОЛКОВ П.В., ИМЕНИТОВ А.Б
и др
Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников
- Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1994, т.7, N 3, с.397-411
КЕМПБЕЛЛ А., ИВЕТС ДЖ
Критические токи в сверхпроводниках
- М.: Мир, 1975, с.9, с.132
ГОЛЕВ И.М., МИЛОШЕНКО В.Е., АНДРЕЕВА Н.А
Установка для исследования динамики пятна магнитного потока в сверхпроводниках механическим методом
- Приборы и техника физического эксперимента
Способ и аппарат для получения гидразобензола или его гомологов 1922
  • В. Малер
SU1998A1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ВТСП МАТЕРИАЛА Y-BA-CU-O 1994
  • Югай К.Н.
  • Тихомиров В.В.
  • Скутин А.А.
  • Кузин В.В.
  • Сычев С.А.
  • Карелин В.И.
  • Серопян Г.М.
RU2087994C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ОБРАЗЦОВ ВТСП-КЕРАМИКИ 1992
  • Маликов Виталий Яковлевич[Ua]
  • Стадник Петр Емельянович[Ua]
  • Тиман Вениамин Липович[Ua]
  • Квичко Лиля Абрамовна[Ua]
  • Коток Людмила Анатольевна[Ua]
  • Салийчук Елена Константиновна[Ua]
RU2102771C1

RU 2 156 980 C1

Авторы

Голев И.М.

Андреева Н.А.

Даты

2000-09-27Публикация

1999-02-23Подача