СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЦЕНТРОВ ПИННИНГА В СВЕРХПРОВОДНИКАХ Российский патент 2000 года по МПК H01L39/00 H01L39/24 

Описание патента на изобретение RU2160485C2

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга.

Известно, что величину силы пиннинга сверхпроводника, обычно, рассчитывают из измеренных значений критического тока Iк, определяемого резистивным методом [1], заключающимся в том, что через сверхпроводник, находящийся в магнитном поле с индукцией B, пропускают возрастающий транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения на нем определяют Iк. Сила пиннинга равна [2]
Fр=IкB (1)
Недостатком метода является то, что рассчитанное в этом случае значение силы пиннинга является минимальным, т.к. появление падения напряжения определяется началом движения слабо запиннингованных вихрей. Также недостатком является наличие омических контактов, когда из-за отличий в работе выхода контактирующих материалов возникает паразитная термо-э.д.с.

Изобретение направлено на создание метода, позволяющего определять эффективность центров пиннинга сверхпроводника в широких пределах и бесконтактно.

Это достигается тем, что сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга.

Изобретение поясняется чертежами. На фиг.1 показано расположение сверхпроводника в виде пластинки 1 относительно полюсов магнитной системы 2, создающей в его объеме пятно магнитного потока 3. На фиг.2 показаны результаты экспериментальной проверки предлагаемого способа - зависимость уравновешивающей силы Fд от смещения z пластины при T = 78 K, Bе= 0.025 Тл.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Сверхпроводящая пластинка 1 размещается между полюсами магнитной системы 2, поле которой величиной Bе>Bк1 создает в объеме тела пятно магнитного потока, которое существует в виде вихрей Абрикосова. Вся конструкция помещается в охлаждающую среду. При смещении пластины в продольном направлении под действием уравновешивающей силы Fд на каждый из вихрей, перемещающийся вместе со сверхпроводником в магнитном поле, будет действовать противодействующая сила. До тех пор пока сила Fд не превысит силу закрепления вихрей (сила пиннинга Fр), будет происходить упругое (обратимое) смещение вихрей (фиг.2, линейный участок АВ). Дальнейшее смещение в неизменном поле Bе приводит к возрастанию этой силы, и как только Fд > Fр, вихри будут срываться с центров закрепления, оставаясь неподвижными относительно магнитной системы, что характерно для участка BC на зависимости Fд(z). В начальный момент происходит срыв слабо закрепленных вихрей, т.е. Fд = Fдmin, и т.к. сила пиннинга вихрей в сверхпроводнике различна, то число открепленных вихрей будет увеличиваться по мере смещения пластины, что в конечном итоге приведет к срыву всех вихрей в пятне магнитного потока. На графике зависимость выходит на насыщение (участок CD) и в точке C-Fд= Fдmax.

Таким образом, значение Fд в точке B, характеризующее минимальное значение силы пиннинга сверхпроводника, связано с Fр соотношением
Fрmin = кFдmin (2)
а значение Fд в точке C - предельное значение силы пиннинга сверхпроводника:
Fрmax = кFдmax (3)
где к - коэффициент пропорциональности, равный 1/Vп, Vп - объем пятна магнитного потока.

Предлагаемый способ существенно расширяет возможности, так как позволяет определять как минимальное, так и максимальное значение силы пиннинга вихрей, что более полно характеризует сверхпроводник, из-за различий в дефектности структуры его объема по сравнению с токовым методом. Отсутствие же омических контактов повышает точность измеряемых величин.

Для проверки предлагаемого способа на установке, описанной в [3], проводились измерения эффективности центров пиннинга в сверхпроводнике Y1Ba2Cu3O7-δ, имеющем следующие параметры: начало и конец сверхпроводящего перехода соответственно 93 и 82К, плотность 5.2 г/см3. Измерения проводились на пластинке с размерами (20х5х1,5)мм3, в газообразном азоте при температуре 78 K.

Из зависимости Fд(z) (см. фиг.2) по величине измеренной силы Fд, соответствующей точке B, находим минимальную силу пиннинга (формула 2), равную 1450 Н/м3, а значение предельной силы пиннинга, рассчитанное по формуле (3), для этого сверхпроводника составляет 4282 Н/м3.

Для сравнения измерений критического тока резистивным методом в аналогичной экспериментальной ситуации получены по формуле (1) значения силы пиннинга, которые оказались равными 1480 Н/м3, что сравнимо с наименьшим значением Fд, полученным предлагаемым методом, и естественно меньше предельного значения силы пиннинга сверхпроводника в 2.9 раза.

Источники информации
1. Волков П.В., Именитов А.Б. и др. Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников. СФХТ. - 1994, т. 7, N 3, с. 397-411.

2. Кемпбелл А. , Иветс Дж. Критические токи в сверхпроводниках. - М.: Мир, 1975. - 332.

3. Голев И.М., Милошенко В.Е., Андреева Н.А. Установка для исследования динамики пятна магнитного потока в сверхпроводниках механическим методом. Приборы и техника физического эксперимента. - 1998, - N 5, - с. 161-163.

Похожие патенты RU2160485C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ВЫВЕШИВАНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 1998
  • Голев И.М.
  • Милошенко В.Е.
  • Андреева Н.А.
RU2155935C2
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА СВЕРХПРОВОДНИКА 1999
  • Голев И.М.
  • Андреева Н.А.
RU2156980C1
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1999
  • Ичкитидзе Л.П.
RU2181517C2
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2001
  • Горлов М.И.
  • Адамян А.Г.
  • Ануфриев Л.П.
RU2204143C2
ОКСИДНЫЙ СВЕРХПРОВОДНИК И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2016
  • Араки Такэси
  • Хаяси Марико
  • Фукэ Хироюки
RU2662040C1
СПОСОБ АКТИВАЦИИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ В ОБЛАСТИ КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУР НИЖЕ КРИТИЧЕСКОГО ЗНАЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Антонов Юрий Федорович
RU2528407C2
БЕСКОНТАКТНАЯ РАДИАЛЬНО-УПОРНАЯ ОПОРА НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ 2003
RU2270940C9
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ОКСИДНЫЙ ПРОВОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2019
  • Хирата Ватару
  • Фудзита Синдзи
RU2753187C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ИЗДЕЛИЯ 1998
  • Колосов В.Н.
RU2138088C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО МАГНИТНОГО ЭКРАНА 1994
  • Колосов В.Н.
  • Гель Р.П.
  • Дроботенко Г.А.
RU2089973C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 160 485 C2

Реферат патента 2000 года СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЦЕНТРОВ ПИННИНГА В СВЕРХПРОВОДНИКАХ

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга. Предложен метод, позволяющий определять эффективность центров пиннинга сверхпроводника в широких пределах и бесконтактно. Согласно методу сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга. В результате повышается точность измерений. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 160 485 C2

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводнике в магнитном поле, отличающийся тем, что сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2000 года RU2160485C2

Волков П.В
и др
Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников
Ж
"Сверхпроводимость, физика, химия, техника"
- М., 1994, т.7, N 3, с.397-411
Кемпбелл А., Иветс Дж
Критические токи в сверхпроводниках
- М.: Мир, 1975, с.332
Голев И.М
и др
Установка для исследования динамики пятна магнитного потока в сверхпроводниках механическим методом
Ж
"Приборы и техника физического эксперимента"
- М., 1998, N 5, с.161-163
WO 9903159, 21.01.1999
US 5430008 A, 04.07.1995.

RU 2 160 485 C2

Авторы

Милошенко В.Е.

Голев И.М.

Андреева Н.А.

Даты

2000-12-10Публикация

1999-03-10Подача