ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ Российский патент 2002 года по МПК G09F9/313 H01J17/49 H01J1/88 

Описание патента на изобретение RU2188461C1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения телевизионной информации.

Известна газоразрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая аноды и катоды, нижнюю и верхнюю диэлектрические пластины, при этом размеры светящегося элемента определяются размером пространства, ограниченного ребрами и выступами, сформированными на верхней и нижней диэлектрических пластинах [авт. свид. СССР 533996, кл. Н 01 J 17/49, 1976 г.].

Недостатком данной конструкции ГИП является большой разброс яркости между ячейками, что не позволяет использовать ее для отображения телевизионной информации.

Известна ГИП, содержащая верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины, ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов и перфорированных катодов, разделительные элементы на внутренней поверхности диэлектрических пластин между катодами и анодами [авт. свид. СССР 1074301, кл. H 01 J 17/49, 1987 г. ].

Недостатком этой панели является низкая яркость свечения ячеек индикации и большая неравномерность их свечения.

Наиболее близкой к предлагаемому изобретению является ГИП, содержащая верхнюю диэлектрическую пластину и нижнюю диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой расположены люминофор и разделительные элементы, выполненные в виде взаимно перпендикулярных систем первых диэлектрических барьеров и вторых диэлектрических барьеров, диэлектрические выступы, сформированные на верхних основаниях вторых диэлектрических барьеров со смещением относительно первых диэлектрических барьеров, ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов, расположенных между вторыми диэлектрическими барьерами, и сгруппированных по ячейкам проволочных катодов, размещенных между первыми диэлектрическими барьерами [пат. РФ 2084040, H 01 J 17/49, 1997 г. - прототип].

Недостатком данной ГИП является то, что ее конструкция не обеспечивает стабильную работу ячеек индикации при малых яркостях свечения. Кроме того, в ГИП наблюдается сильная подсветка ячеек, имеющих малую яркость, соседними ячейками с высокой яркостью свечения.

Задачей данного изобретения является создание ГИП с высокой надежностью работы ячеек при малых яркостях свечения с одновременным исключением подсветки этих ячеек соседними ячейками, имеющими высокую яркость свечения, за счет исключения проникновения разряда из ячеек с высокой яркостью в ячейки с низкой яркостью, расположенных вдоль катода, при одновременном обеспечении высокоэффективной подготовки ячеек.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной конструкции ГИП, содержащей верхнюю диэлектрическую пластину и нижнюю диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой расположены люминофор и разделительные элементы, выполненные в виде взаимно перпендикулярных систем первых диэлектрических барьеров и вторых диэлектрических барьеров, диэлектрические выступы, сформированные на верхних основаниях вторых диэлектрических барьеров со смещением относительно первых диэлектрических барьеров, ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов, расположенных между вторыми диэлектрическими барьерами, и сгруппированных по ячейкам индикации проволочных катодов, размещенных между первыми диэлектрическими барьерами, диэлектрические выступы в направлении, перпендикулярном первым диэлектрическим барьерам, выполнены с сечением трапециевидной формы и расположены, соприкасаясь верхними основаниями с внутренней поверхностью верхней диэлектрической пластины, при этом проволочные катоды размещены под диэлектрическими выступами во вторых диэлектрических барьерах, а размеры диэлектрических выступов выбраны согласно выражений
1,08 l1≤lH≤0,96 l,
l1-2n≤lВ≤0,95 lн,
где l - размер ячейки индикации в направлении, перпендикулярном катодам, мм;
l1 - расстояние между наиболее удаленными поверхностями крайних проволочных катодов в ячейке индикации, мм;
lн - длина нижнего основания диэлектрических выступов, мм;
lв - длина верхнего основания диэлектрических выступов, мм;
n - расстояние между центрами катодов в ячейке, мм.

В ГИП, выполненной согласно изобретения, обеспечивается высокоэффективная подготовка ячеек работающими соседними ячейками за счет создания между ними канала связи, создающего оптимальные условия для подготовки ячеек. В то же время взаимное расположение каналов связи и катодов исключает проникновение разряда из ячеек с высокой яркостью в соседние ячейки с низкой яркостью, расположенных вдоль катода.

Для усиления эффекта подготовки ячеек вдоль катодов первые диэлектрические барьеры выполняют с высотой, большей высоты вторых диэлектрических барьеров, при этом размеры барьеров выбирают согласно соотношений
0,05 lк≤h1-h2≤0,8 lк
0,08 dб≤h3-h1≤0,2 dб,
где h1 - высота первых диэлектрических барьеров, мм;
h2 - высота вторых диэлектрических барьеров, мм;
h3 - суммарная высота диэлектрических выступов и вторых диэлектрических барьеров, мм;
lк- диаметр проволочного катода, мм;
dб - ширина первых диэлектрических барьеров, мм.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений, с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых высокая надежность работы ГИП в режиме с низкой яркостью свечения ячеек, а также в режиме, когда одна ячейка имеет высокую яркость свечения, а соседняя с ней в направлении катода имеет низкую яркость, достигалась бы за счет создания каналов связи, форма, размеры и расположение которых обеспечивали бы оптимальную подготовку ячеек.

Таким образом, заявленное изобретение соответствует требованию "изобретательский уровень".

Изобретение поясняется чертежом.

На чертеже представлен один из вариантов ГИП.

ГИП содержит верхнюю 1 и нижнюю 2 диэлектрические пластины, ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов 3 и сгруппированных по ячейкам проволочных катодов 4, разделительные элементы, выполненные в виде взаимно перпендикулярных систем первых диэлектрических барьеров 5 и вторых диэлектрических барьеров 6, в которые вмонтированы проволочные катоды, диэлектрические выступы 7, выполненные на верхнем основании вторых диэлектрических барьеров над группой катодов, причем диэлектрические выступы имеют сечение трапециевидной формы, и люминофор 8, нанесенный на внутреннюю поверхность нижней диэлектрической пластины под анодами.

Панель работает следующим образом. При подаче импульсов напряжения на соответствующие аноды 3 и катоды 4 в ячейке индикации возникает газовый разряд, ультрафиолетовое излучение которого возбуждает свечение люминофора 8. Для получения свечения ячейки индикации с различной яркостью вводится широтно-импульсная модуляция.

Для обеспечения надежной работы ГИП выступы на верхнем основании вторых диэлектрических барьеров формируют над сгруппированными по ячейкам проволочными катодами, вмонтированными во вторые диэлектрические барьеры, причем сечение выступов в направлении, перпендикулярном первым диэлектрическим барьерам, выполнено трапециевидной формы, а размеры выступов выбраны согласно выражений
1,08 l1≤lн≤0,96 l,
l1-2n≤lв≤0,95 lн.

Если lн будет меньше, чем 1,08 l1, то в случае, если одна из ячеек работает в режиме с высокой яркостью свечения, а вторая, соседняя с ней, с низкой, части второй ячейки, расположенные около барьера, из-за проникновения туда разряда из первой ячейки будут иметь более яркое свечение, приводящее к искажению информации.

Если lн будет больше, чем 0,96 l, то из-за слабой связи между ячейками наблюдается нестабильность работы ячейки в режимах с низкой яркостью свечения, т.к. в этом случае будет сказываться статистическое запаздывание возникновения разряда.

В случае, если lв меньше l1-2n, в процессе работы ГИП появляется "звон", величина которого составляет 40 и более децибел.

При lв больше 0,95 lн сказывается статистическое время запаздывания возникновения разряда, т.е. ячейки работают нестабильно, особенно в режимах с низкой яркостью свечения.

Для усиления подготовки ячеек первые диэлектрические барьеры выполнены с высотой, большей чем высота вторых диэлектрических барьеров, причем размеры барьеров выбраны согласно соотношений
0,05 lк≤h1-h2≤0,8 lк,
0,08 dб≤h3-h1≤0,2 dб.

Если h1-h2 будет больше 0,8 lк, то разряд из ячейки с высокой яркостью будет проникать в соседние ячейки, работающие в режиме с малыми яркостями.

Если h1-h2 будет меньше 0,05 lк, то в этом случае ячейки, работающие на малых яркостях, будут "мерцать", т.к. из-за слабой связи между ячейками эффективность подготовки будет мала и в результате будет сказываться статистическое время запаздывания возникновения разряда.

При h3-h1 больше 0,2 dб панель в процессе работы "звенит", что подтверждено экспериментально.

Если h3-h1 будет меньше 0,08 dб, то из-за слабой связи между ячейками вдоль анода наблюдается мерцание ячеек, работающих в режиме с малыми яркостями.

Пример конкретного выполнения.

ГИП постоянного тока содержит верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины размером 193х193х2,5 мм. На нижней диэлектрической пластине сформированы взаимно перпендикулярные первые и вторые диэлектрические барьеры высотой h1= 0,28 мм и h2=0,22 мм. Ширина барьеров dб=0,5 мм.

На верхнем основании вторых диэлектрических барьеров выполнены диэлектрические выступы, имеющие в направлении, перпендикулярном первым диэлектрическим барьерам, сечение в виде трапеции с верхним и нижним основаниями, равными, соответственно, lв=3,2 мм и lн=4,6 мм. Суммарная высота выступов и вторых барьеров равна h3=0,35 мм. Ограниченные диэлектрическими барьерами ячейки индикации образованы в перекрестьях проволочных анодов и катодов. Аноды, выполненные из проволоки 47 НД диаметром 0,12 мм, расположены над люминофорными покрытиями площадью с 1,5х5,5 мм и толщиной 0,07 мм, нанесенными в ячейках на внутреннюю поверхность нижней диэлектрической пластины. На расстоянии от анодов и ортогонально им под выступами расположены проволочные катоды из материала 47 НД, диаметром lк=0,12 мм. Катоды сгруппированы по ячейкам по 6. Расстояние между центрами проволочных катодов в ячейке n= 0,6 мм, а расстояние между наиболее удаленными поверхностями крайних катодов в ячейке l1=3,7 мм. Катоды запечатывают во вторые диэлектрические барьеры методом трафаретной печати, обеспечивая расстояние между катодами и анодами 0,28 мм. В ГИП размер ячейки в направлении, перпендикулярном катодам 1=5,5 мм.

ГИП наполнена смесью инертных газов Ne+30% Хе до давления 110 мм рт.ст.

Данная ГИП надежно работает в режиме малых яркостей свечения ячеек. В процессе работы ГИП отсутствуют яркие "паразитные" подсветки ячеек с малой яркостью соседними ячейками с высокой яркостью.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет получить ГИП, обеспечивающую надежное отображение информации в телевизионном режиме.

Похожие патенты RU2188461C1

название год авторы номер документа
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2000
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2185665C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2002
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2221282C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2002
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2221281C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА 2001
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2208261C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА 2001
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2195736C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2000
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2185664C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА 2001
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2195042C1
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2000
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2207634C2
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА ДЛЯ НАБОРНЫХ ЭКРАНОВ 2001
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2209484C2
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 2001
  • Ивлюшкин А.Н.
  • Самородов В.Г.
RU2195737C1

Реферат патента 2002 года ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения телевизионной информации. Технический результат - обеспечение высокой надежности работы ячеек индикации при малых яркостях свечения в ГИП. Достигается тем, что в газоразрядной индикаторной панели, содержащей взаимно перпендикулярные первые и вторые диэлектрические барьеры, ограничивающие ячейки, образованные в перекрестьях анодов, размещенных между вторыми барьерами, и сгруппированных по ячейкам проволочных катодов, расположенных между первыми барьерами, на верхнем основании вторых барьеров выполнены диэлектрические выступы с трапециевидным сечением, при этом размеры выступов и барьеров определены согласно заданным соотношениям. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 188 461 C1

1. Газоразрядная индикаторная панель, содержащая верхнюю диэлектрическую пластину и нижнюю диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой расположены люминофор и разделительные элементы, выполненные в виде взаимно перпендикулярных систем первых диэлектрических барьеров и вторых диэлектрических барьеров, диэлектрические выступы, сформированные на верхних основаниях вторых диэлектрических барьеров со смещением относительно первых диэлектрических барьеров, ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов, расположенных между вторыми диэлектрическими барьерами, и сгруппированных по ячейкам индикации проволочных катодов, размещенных между первыми диэлектрическими барьерами, отличающаяся тем, что диэлектрические выступы в направлении, перпендикулярном первым диэлектрическим барьерам, выполнены с сечением трапециевидной формы и расположены, соприкасаясь верхними основаниями с внутренней поверхностью верхней диэлектрической пластины, при этом проволочные катоды размещены под диэлектрическими выступами во вторых диэлектрических барьерах, а размеры диэлектрических выступов выбраны согласно выражениям
1,08 l1≤1н≤0,96 l,
l1-2n≤lв≤0,95 lн,
где l - размер ячейки индикации в направлении, перпендикулярном катодам, мм;
l1 - расстояние между наиболее удаленными поверхностями крайних проволочных катодов в ячейке индикации, мм;
lн - длина нижнего основания диэлектрических выступов, мм;
lв - длина верхнего основания диэлектрических выступов, мм;
n - расстояние между центрами катодов в ячейке индикации, мм.
2. Газоразрядная индикаторная панель по п.1, отличающаяся тем, что высота первых диэлектрических барьеров больше высоты вторых диэлектрических барьеров, при этом размеры диэлектрических барьеров выбраны согласно соотношениям
0,05 lк≤h1-h2≤0,8 lк,
0,08 dБ≤h3-h1≤0,2 dб,
где h1 - высота первых диэлектрических барьеров, мм;
h2 - высота вторых диэлектрических барьеров, мм;
h3 - суммарная высота диэлектрических выступов и вторых диэлектрических барьеров, мм;
lк - диаметр проволочного катода, мм;
dб - ширина первых диэлектрических барьеров, мм.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2002 года RU2188461C1

ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ 1995
  • Куприянов Валерий Николаевич
RU2084040C1
Газоразрядная индикаторная панель 1982
  • Балакин В.П.
  • Балко М.И.
  • Бердичевский А.М.
  • Титов А.С.
  • Ткачук П.Г.
SU1074301A1
Газоразрядная индикаторная панель 1972
  • Бодров Николай Михайлович
  • Орлов Юрий Иванович
  • Семенов Михаил Георгиевич
SU533996A1
СИСТЕМА ПОДАЧИ ТОПЛИВА В ДИЗЕЛЬ 2006
  • Заяц Юрий Александрович
  • Полиненко Сергей Валерьевич
RU2321763C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНОГО ВОЛОКНИСТОГО МАТЕРИАЛА 2012
  • Трушников Алентин Михайлович
  • Копылов Виктор Михайлович
  • Казаков Марк Евгеньевич
  • Хазанов Игорь Иосифович
  • Ратушняк Маргарита Александровна
  • Никитин Алексей Валентинович
  • Картуесова Светлана Ивановна
RU2490378C1

RU 2 188 461 C1

Авторы

Ивлюшкин А.Н.

Самородов В.Г.

Даты

2002-08-27Публикация

2000-12-05Подача