Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах.
В качестве прототипа выбран оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри, сформированной жидким компаундом, оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие [1].
Целью изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника.
Поставленная цель достигается тем, что в оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина.
На чертеже представлена предлагаемая конструкция оптрона. Оптрон содержит кристаллы светодиода 1 и фотоприемника 2, расположенные на подложке 3 планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачного компаунда 4, на поверхность которого нанесено отражающее покрытие 5. Внутри оптически прозрачного компаунда 4 над кристаллами светодиода 1 и фотоприемника 2 расположена оптически прозрачная диэлектрическая пластина 6.
Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины и могут быть подобраны так, чтобы обеспечить эффективную без многократного отражения от элементов конструкции оптическую связь между кристаллами светодиода и фотоприемника.
Источники информации
1. Европейский патент 0048146, кл. Н 03 К 17/78, опубл. 23.07.86.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ОПТРОН | 2001 |
|
RU2216074C2 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ОПТРОН | 2004 |
|
RU2263999C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСБОРКИ | 2008 |
|
RU2373605C1 |
Способ создания диодных оптоэлектронных пар, стойких к гамма-нейтронному излучению | 2020 |
|
RU2739863C1 |
СПОСОБ БЛИЖНЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ СВЯЗИ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ И УСТРОЙСТВО ЗАПИСИ/ЧТЕНИЯ | 2013 |
|
RU2586578C2 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ДЕФЕКТОСКОП | 1999 |
|
RU2156489C1 |
ИНКЛИНОМЕТР | 2009 |
|
RU2401426C1 |
СВЕТОДИОДНОЕ УСТРОЙСТВО | 2004 |
|
RU2258979C1 |
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙ | 1997 |
|
RU2139559C1 |
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОПТРОН НА ИХ ОСНОВЕ | 2004 |
|
RU2261502C1 |
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Техническим результатом изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника. Сущность: кристаллы светодиода и фотоприемника расположены планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина. Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины. 1 ил.
Оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, отличающийся тем, что внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина, геометрические размеры оптически прозрачной полусферы определяются эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины.
Коксовальная печь | 1935 |
|
SU48146A1 |
0 |
|
SU402114A1 | |
WO 9307647 А2, 05.01.1993 | |||
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР | 1985 |
|
SU1329510A1 |
Авторы
Даты
2003-03-20—Публикация
2000-10-26—Подача