ОПТРОН Российский патент 2003 года по МПК H01L31/173 

Описание патента на изобретение RU2201017C2

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах.

В качестве прототипа выбран оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри, сформированной жидким компаундом, оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие [1].

Целью изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника.

Поставленная цель достигается тем, что в оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина.

На чертеже представлена предлагаемая конструкция оптрона. Оптрон содержит кристаллы светодиода 1 и фотоприемника 2, расположенные на подложке 3 планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачного компаунда 4, на поверхность которого нанесено отражающее покрытие 5. Внутри оптически прозрачного компаунда 4 над кристаллами светодиода 1 и фотоприемника 2 расположена оптически прозрачная диэлектрическая пластина 6.

Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины и могут быть подобраны так, чтобы обеспечить эффективную без многократного отражения от элементов конструкции оптическую связь между кристаллами светодиода и фотоприемника.

Источники информации
1. Европейский патент 0048146, кл. Н 03 К 17/78, опубл. 23.07.86.

Похожие патенты RU2201017C2

название год авторы номер документа
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ОПТРОН 2001
  • Барановский Д.М.
  • Череповский Ю.П.
  • Ветохин Р.В.
RU2216074C2
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ОПТРОН 2004
  • Барановский Д.М.
  • Ветохин Р.В.
RU2263999C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСБОРКИ 2008
  • Руфицкий Михаил Всеволодович
  • Давыдов Николай Николаевич
  • Никитин Олег Рафаилович
  • Давыдов Никита Николаевич
RU2373605C1
Способ создания диодных оптоэлектронных пар, стойких к гамма-нейтронному излучению 2020
  • Лебединская Анастасия Евгеньевна
  • Кабальнов Юрий Аркадьевич
  • Труфанов Алексей Николаевич
RU2739863C1
СПОСОБ БЛИЖНЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ СВЯЗИ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ И УСТРОЙСТВО ЗАПИСИ/ЧТЕНИЯ 2013
  • Лившиц Владимир Иосифович
RU2586578C2
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ДЕФЕКТОСКОП 1999
RU2156489C1
ИНКЛИНОМЕТР 2009
  • Пасечник Сергей Вениаминович
  • Шмелева Дина Владимировна
  • Цветков Валентин Алексеевич
  • Семеренко Денис Алексеевич
RU2401426C1
СВЕТОДИОДНОЕ УСТРОЙСТВО 2004
  • Савельев Е.О.
RU2258979C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙ 1997
  • Беляев С.В.(Ru)
  • Бобров Ю.А.(Ru)
  • Лазарев П.И.(Ru)
RU2139559C1
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОПТРОН НА ИХ ОСНОВЕ 2004
  • Горбунов Н.И.
  • Варфоломеев С.П.
  • Дийков Л.К.
  • Марахонов В.М.
  • Медведев Ф.К.
RU2261502C1

Реферат патента 2003 года ОПТРОН

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Техническим результатом изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника. Сущность: кристаллы светодиода и фотоприемника расположены планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина. Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 201 017 C2

Оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, отличающийся тем, что внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина, геометрические размеры оптически прозрачной полусферы определяются эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2201017C2

Коксовальная печь 1935
  • Нагорский Д.В.
  • Чижевский Н.П.
SU48146A1
0
SU402114A1
WO 9307647 А2, 05.01.1993
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР 1985
  • Костенко В.Л.
  • Самойлова Л.М.
SU1329510A1

RU 2 201 017 C2

Авторы

Барановский Д.М.

Череповский Ю.П.

Даты

2003-03-20Публикация

2000-10-26Подача