ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР Советский патент 1996 года по МПК H01L31/12 

Описание патента на изобретение SU1329510A1

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи.

Цель изобретения расширение функциональных возможностей оптрона.

На фиг. 1 и 2 показан предлагаемый оптоэлектронный прибор.

Прибор содержит излучающий 1 и фотопреобразующий 2 р-n-переходы, сформированные в монокристалле полупроводника 3, а также омические контакты к р- и n-областям 4 7 и оптическую среду 8 между ними, канал 9 из полупроводника n-типа и МДП управляющий затвор 10.

Прибор работает следующим образом.

При приложении к р-n-переходам напряжений соответствующей полярности и величины (в конкретном случае арсенидогаллиевого оптрона с компенсацией примесей в оптической среде за счет легирования кремнием на входной излучающий р-n-переход подавалось прямое смещение 1,5 В, на выходной фотопреобразующей р-n-переход обратное смещение 1,5 В) и подаче на управляющий затвор управляющего напряжения отрицательной полярности (в конкретном случае в качестве диэлектрика затвора применяли пленку двуокиси кремния толщиной 0,07 - 0,1 мкм) минус 40 50 В в выходной цепи регистрируется ток, равный 2 мА.

Максимальная величина управляющего напряжения обусловлена опасностью электрического пробоя диэлектрика затвора. При снижении величины управляющего напряжения в диапазоне 40 50 В происходит изменение тока в выходной цепи оптоэлектронного прибора до 0,02 мА. Тем самым расширяются его функциональные возможности. Эффективность управления током в выходной цепи зависит от материала, толщины канала, диэлектрика затвора и величины прикладываемого управляющего напряжения.

Работа прибора обусловлена следующими физическими процессами.

Приложение отрицательного смещения к затвору приводит к появлению эффекта поля уменьшению поверхностной проводимости полупроводника под действием электрического поля, приложенного перпендикулярно поверхности. При этом отсутствует или сводится к минимальной гальваническая связь между входом и выходом оптрона, а ток в выходной цепи оптоэлектронного прибора определяется характером свечения входного излучающего р-n-перехода. При снижении величины отрицательного смещения область канала насыщается основными носителями заряда электронами, проводимость канала повышается и появляется гальваническая обратная связь между излучающими и фотопреобразующими р-n-переходами. В результате этого нарушаются условия излучательной рекомбинации входного р-n-перехода и ток в выходной цепи оптоэлектронного прибора уменьшается. При этом характер изменения выходного тока зависит от величины обратной связи, обусловленной величиной приложенного к затвору управляющего напряжения.

Работа прибора, изображенного на фиг. 2, аналогична работе прибора, изображенного на фиг. 1. При этом полярность управляющего напряжения обратная. ЫЫЫ2

Похожие патенты SU1329510A1

название год авторы номер документа
ФОТОТРАНЗИСТОР 1980
  • Костенко В.Л.
  • Клименко В.А.
SU862753A1
Способ создания диодных оптоэлектронных пар, стойких к гамма-нейтронному излучению 2020
  • Лебединская Анастасия Евгеньевна
  • Кабальнов Юрий Аркадьевич
  • Труфанов Алексей Николаевич
RU2739863C1
СВЕРХРЕШЕТКА 1992
  • Карева Г.Г.
RU2062529C1
СПОСОБ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЦЕЛЛЮЛОЗНОГО НАТУРАЛЬНОГО, СИНТЕТИЧЕСКОГО ИЛИ СМЕШАННОГО МАТЕРИАЛА В КАЧЕСТВЕ ОДНОВРЕМЕННО НЕСУЩЕГО И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОСНОВАНИЯ В САМОСТОЯТЕЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВАХ С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ 2009
  • Ферран Ди Пайва Мартинш Родригу
  • Коррея Фортунату Элвира Мария
RU2495516C2
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1985
  • Ильичев Э.А.
  • Полторацкий Э.А.
SU1284439A1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ТИПА МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК 1994
  • Красников Г.Я.
  • Михайлов В.А.
  • Мордкович В.Н.
  • Мурашев В.Н.
  • Приходько П.С.
RU2130668C1
АКТИВНОЕ ПОЛЕВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЭЛЕКТРОННОЕ ИЛИ ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТЬЮ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКОГО УСТРОЙСТВА 2009
  • Ферран Ди Пайва Мартинш Родригу
  • Коррея Фортунату Элвира Мария
  • Нуниш Перейра Луиш Мигел
  • Кандиду Баркинья Педру Мигел
  • Ди Оливейра Коррея Нуну Филипи
RU2498461C2
Устройство искрозащиты 2019
  • Михневич Николай Степанович
RU2713881C1
Координатный фотопреобразователь с цифровым выходом 1989
  • Яганов Петр Алексеевич
  • Клетченков Иван Иванович
  • Бидюк Анатолий Иванович
SU1725385A1
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОПТРОН НА ИХ ОСНОВЕ 2004
  • Горбунов Н.И.
  • Варфоломеев С.П.
  • Дийков Л.К.
  • Марахонов В.М.
  • Медведев Ф.К.
RU2261502C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 329 510 A1

Реферат патента 1996 года ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей оптрона. Оптоэлектронный прибор содержит излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям. Для расширения функциональных возможностей р- или n-область излучающего и фотопреобразующего р-n-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области. На поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор. С помощью управляющего затвора осуществляется эффективное изменение тока в выходной цепи оптоэлектронного прибора. 2 ил.

Формула изобретения SU 1 329 510 A1

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU1329510A1

Курносов А.И
Оптоэлектронные устройства
М.: Энергия, 1978, с.71
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Носов Ю.Р
Оптоэлектроника
М.: Советское радио, 1977, с.131-132.

SU 1 329 510 A1

Авторы

Костенко В.Л.

Самойлова Л.М.

Даты

1996-07-10Публикация

1985-06-11Подача