СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОТЫ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Российский патент 2003 года по МПК G01R31/26 H01L21/66 

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к определению высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки. Технический результат изобретения заключается в определении высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки по вольт-амперным характеристикам, измеренным при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока. Способ заключается в том, что измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода диода с барьером Шоттки при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока, определяют по ним напряжение U₁ и U₂ на n-p переходе указанного диода и по формуле определяют величину потенциального барьера ϕ_b. 1 ил.

Способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки, при котором измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода диода при различных температурах, отличающийся тем, что измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода указанного диода при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока, для температур Т₁ и Т₂ определяют по ним напряжение U₁ и U₂ на n-p переходе указанного диода и вычисляют величину потенциального барьера диода с барьером Шоттки ϕ_b по формуле

где
Т - температура, К;
е - заряд электрона, е= 1,602•10^-19 Дж/Кл;
k - постоянная Больцмана, k= 1,3806•10^-23 Дж/Кл;
n - показатель идеальности, зависящий от концентрации легирующей примеси;
ϕ_b - высота потенциального барьера диода с барьером Шоттки, В.