Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)и
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2292609C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2001 |
|
RU2178601C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2392693C1 |
Двухспектральное фоточувствительное устройство | 2019 |
|
RU2708553C1 |
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2000 |
|
RU2166221C1 |
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ | 2013 |
|
RU2532647C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ХАРАКТЕРИСТИКОЙ ЛЯМБДА-ДИОДА | 2011 |
|
RU2466477C1 |
Способ изготовления двухспектрального фоточувствительного элемента на основе барьера Шоттки | 2022 |
|
RU2790061C1 |
Способ изготовления двухспектрального фоточувствительного элемента на основе барьера Шоттки по меза-технологии | 2023 |
|
RU2810635C1 |
КМОП-ТРАНЗИСТОР С ВЕРТИКАЛЬНЫМИ КАНАЛАМИ И ОБЩИМ ЗАТВОРОМ | 2012 |
|
RU2504865C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ). Для измерения температуры и возможности регистрации УФИ одним датчиком в условиях повышенной температуры ИС с полупроводниковым датчиком на основе карбидокремниевого диода Шотки (ДШ), содержащим подложку, выполненную из монокристаллического карбида кремния n+-типа проводимости с эпитаксиальным n-слоем, омический электрод (ОЭ), соединенный с n+-областью подложки, электроизоляционное покрытие, нанесенное на n-слой подложки со стороны, противоположной n+-области подложки, выпрямляющий электрод (ВЭ) из полупрозрачного слоя Au, соединенный с n-слоем подложки с образованием контакта Шотки через окно, выполненное в электроизоляционном покрытии, и выводной контакт (ВК), присоединенный к ВЭ. Между ВК и ОЭ подключена внешняя электрическая цепь, в которой установлены блок питания (БП) и блок регистрации (БР). БП содержит источник стабилизированного тока, подключенный к ДШ с возможностью подачи смещения в прямом направлении, а БР подключен к выходу ДШ по напряжению. ИС может быть дополнительно оснащена каналом регистрации УФИ. Технический результат - обеспечение одновременного контроля температуры и ультрафиолетового излучения, обеспечение работоспособности датчика при повышенной температуре, увеличение чувствительности. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.
BADILA V | |||
et al., Lift-Off technology for SiC UV detectors/-Diamond and related materials, 2000, № 9, р | |||
Автомобильная запальная разборная свеча | 1921 |
|
SU994A1 |
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2000 |
|
RU2166221C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2001 |
|
RU2178601C1 |
US 5093576 А, 03.03.1992. |
Авторы
Даты
2004-02-20—Публикация
2002-07-17—Подача