Изобретение относится к области электроники и предназначено для создания накопителей цифровой информации.
Аналогом и прототипом является "Способ изготовления тонких пермаллоевых пленок" [1], позволяющий получать железоникелевые (пермаллоевые) пластины с хорошими магнитными свойствами и малыми ВЧ-потерями. Железоникелевый сплав в виде слитка подвергается многократной горячей и холодной прокаткам, термоотжигу в магнитном поле при температуре более 1000°С в течение 10 мин в атмосфере, исключающей окисление. Охлаждение фольги осуществляется при определенной скорости. После термообработки и прокатки фольга подвергается химической полировке до толщины менее 20 мкм.
Недостатком прототипа является сложность технологии его изготовления, включающего многократную термомеханическую и механическую обработки с последующей химической полировкой.
Задачей изобретения является разработка недорогого и более технологично простого способа изготовления рабочего слоя носителя цифровой информации, допускающего возможность многократной перезаписи информации и способность сохранять информацию при воздействии на рабочий слой внешних электромагнитных полей и температуры в области от -100°С до +350°С.
Для решения этой задачи предлагается вакуумным термическим способом осаждать железоникелевый слой из сплава 25-32% Ni+68-75% Fe на жесткую основу. На полученном таким способом рабочем слое лазерным лучом создаются последовательно расположенные элементарные источники контактной разности потенциалов с напряженностью электростатического поля различной направленности (фиг.1).
Материал, из которого изготавливается рабочий слой носителя информации, способен в широком диапазоне температур находится в двух различных устойчивых кристаллических модификациях (α- и γ-фазы), имеющих объемоцентрированную и гранецентрированную решетки соответственно. При определенных способах воздействия температуры на рабочий слой носителя такие модификации способны переходить из одного кристаллического состояния в другое, что дает возможность производить перезапись информации.
Одним из достоинств такого носителя является то, что переход участков его рабочего слоя из одного кристаллического состояния в другое не сопровождается ухудшением физических свойств рабочего слоя носителя, а следовательно, не ограничивает количество циклов перезаписи информации. Другим достоинством предлагаемого носителя является сохранение информации при возможном воздействии на него электромагнитных полей высокой напряженности и широкого диапазона температуры эксплуатации (от -100°С до +350°С).
На фиг.1 представлен фрагмент информационной дорожки носителя цифровой информации.
Информационная дорожка включает в себя последовательно соединенные элементарные источники контактной разности потенциалов в виде электростатических полей рассеяния напряженности различного направления. Каждый из этих источников образован парой областей (1 и 2) с границей раздела (3) между ними. Области 1, так же как и матрица носителя, имеют объемоцентрированный кубический тип кристаллической решетки, соответствующий α-фазе. Области 2 имеют гранецентрированный кубический тип кристаллической решетки, соответствующий γ- фазе. Эти типы кристаллической решетки идентифицируются с логическими уровнями, соответствующими цифровой информации. Логическому нулю соответствует α-фаза, логической единице - γ-фаза, подобно тому, как предложено в работе [2].
Запись цифровой информации предусматривает изменение типа кристаллической решетки в рабочем слое матрицы носителя из α-фазы в γ-фазу. На границе раздела фаз (область 3) возникает контактная разность потенциалов и образуются электростатические поля рассеяния напряженности различной направленности [3]. Наличие контактной разности потенциалов на границе раздела γ- и α-фаз подтверждается экспериментально возникновением термоЭДС (фиг.2) при появлении разности температур у термопары из железоникелевой проволоки с электродами неизменного химического, но разного фазового состава [2].
На фиг.3 представлены рентгеновские дифрактограммы железоникелевой пленки, имеющей участки с разным фазовым составом: α- фазой (А), и γ-фазой (Б), образованной в результате локального отжига. Это является прямым подтверждением наличия в составе информационной дорожки областей 1 и 2, на границе раздела которых возникает источник контактной разности потенциалов.
Предлагаемый способ создания рабочего слоя носителя цифровой информации сводится к следующему. На жесткую основу (алюминиевая или медная пластина) вакуумным термическим осаждением наносится рабочий слой полиморфной железоникелевой пленки сплава 25-32%Ni+68-75% Fe толщиной 0,1-10 мкм при температуре основы <400К. На полученном таким способом рабочем слое, кристаллическая решетка которого соответствует α-фазе (фиг.3 А), путем локального лазерного термоотжига [4] создаются области γ-фазы (фиг.3 Б). Эти типы кристаллической решетки идентифицируются с логическими уровнями соответствующей цифровой информации, так как на границе раздела α- и γ-фаз возникает контактная разность потенциалов с образованием напряженности электростатических полей различной направленности в зависимости от последовательности расположения этих фаз.
Литература
1. Заявка 6474704 Японии МКИ Н 01 F 1/14, С 22 F 1/10. Это Масатоси, Огура Цугио, Фудзимори Хироясу, Ниппон коге к.к. №62230955(прототип).
2. Горовой А.М., Портнов М.А., Термогальванический цифровой носитель информации. В кн. Методы оптимизации и их приложения. Труды 12-й Байкальской международной конференции. Иркутск, 2001, с.156-161.
3. Савельев И.В. Курс общей физики, т.3. Москва, Наука, 1982, с.214-217.
4. Ушаков А.И., Горовой А.М., Казаков В.Г., и др. Фазовый α-γ переход в Fe-Ni пленках под действием импульсного лазерного облучения. ФММ, 1980, 50, №2, с.440-442.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
НОСИТЕЛЬ АНАЛОГОВОЙ ИНФОРМАЦИИ | 2003 |
|
RU2265897C2 |
НОСИТЕЛЬ ЦИФРОВОЙ ИНФОРМАЦИИ | 2003 |
|
RU2265896C2 |
СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ С МАГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИМОРФНОГО ЖЕЛЕЗОНИКЕЛЕВОГО СПЛАВА | 2006 |
|
RU2313836C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАБОЧЕГО СЛОЯ ТЕРМОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ | 2002 |
|
RU2239242C2 |
ТЕРМОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ ЦИФРОВОЙ ИНФОРМАЦИИ | 2002 |
|
RU2239886C2 |
СПОСОБ ЗАПИСИ АНАЛОГОВОЙ ИНФОРМАЦИИ НА МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ | 2003 |
|
RU2282252C2 |
ТЕРМОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ АНАЛОГОВОЙ ИНФОРМАЦИИ | 2002 |
|
RU2239887C2 |
СПОСОБ ЗАПИСИ АНАЛОГОВОЙ И ЦИФРОВОЙ ИНФОРМАЦИИ НА ТЕРМОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ | 2002 |
|
RU2239241C2 |
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КОРРОЗИОННОЙ СТОЙКОСТИ НЕЛЕГИРОВАННОЙ СТАЛИ | 2012 |
|
RU2513670C2 |
МАТЕРИАЛ ЭЛЕКТРОДА НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗА ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ ВОДОРОДА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2013 |
|
RU2518466C1 |
Изобретение относится к области электроники и предназначено для создания накопителей цифровой информации. Способ создания рабочего слоя носителя информации, выполненного в виде тонкой пленки железоникелевого сплава. На жесткую основу вакуумным термическим способом наносится рабочий слой состава 25-32%Ni + 68-75%Fe, на котором в процессе записи лазерным лучом создаются последовательно расположенные элементарные источники контактной разности потенциалов с напряженностью электростатического поля различной направленности, соответствующие логическим уровням цифровой информации. Технический результат - неограниченное количество циклов перезаписи информации; сохранение информации при воздействии на него электромагнитных полей высокой напряженности и надежное сохранение записанной информации в широком диапазоне температур. 3 ил.
Способ создания рабочего слоя носителя цифровой информации, выполненного в виде тонкой пленки железоникелевого сплава, отличающийся тем, что на жесткую основу вакуумным термическим способом наносится рабочий слой состава 25-32%Ni + 68-75%Fe, на котором в процессе записи лазерным лучом создаются последовательно расположенные элементарные источники контактной разности потенциалов с напряженностью электростатического поля различной направленности, соответствующие логическим уровням цифровой информации.
Горовой А.М., Портнов М.А | |||
Термогальванический цифровой носитель информации | |||
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы | 1923 |
|
SU12A1 |
- Иркутск, 2001 | |||
Устройство для записи изображений | 1983 |
|
SU1164650A1 |
Бесконтактный термоэлектрический преобразователь | 1982 |
|
SU1241132A1 |
DE 3901377 A1, 17.08.1989 | |||
JP 58190077 Al, 05.11.1983. |
Авторы
Даты
2006-02-20—Публикация
2003-04-07—Подача