ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО Российский патент 2008 года по МПК C03C3/32 

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.

Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS₂ 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0 /1/.

Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.

Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, дополнительно вводят In₂S₃ и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS₂ 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0; In₂S₃ 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.

В таблице приведены составы стекла.

ТаблицаСоставКомпоненты, мас %:Сохранение твердого состояния до температуры, °СGeS₂NaClGa₂S₃In₂S₃GaAs135,015,025,015,010,0450-500240,013,020,020,07,0450-500345,010,015,025,05,0450-500

Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.

Источники информации

1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS₂, NaCl, Ga₂S₃ и дополнительно In₂S₃ и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS₂ 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga₂S₃ 15,0-25,0, In₂S₃ 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат - повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.

Халькогенидное стекло, содержащее GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, отличающееся тем, что дополнительно содержит In₂S₃ и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:

GeS₂35,0-45,0NaCl10,0-15,0Ga₂S₃15,0-25,0In₂S₃15,0-25,0GaAs5,0-10,0