ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО Российский патент 2008 года по МПК C03C3/32 

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известны различные составы халькогенидных стекол /1/.

Известно халькогенидное стекло, содержащее, мас.%: GeS₂ 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0 /2/.

Цель изобретения состоит в повышении термической устойчивости стекла.

Цель достигается тем, что в состав халькогенидного стекла, содержащего GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, дополнительно вводят SnS₂ при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS₂ 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0; SnS₂ 7,0-10,0.

В таблице приведены составы стекла.

ТаблицаСоставКомпоненты, мас.%:GeS₂NaClGa₂S₃SnS₂150,020,023,07,0254,018,020,08,0353,019,018,010,0

Для всех приведенных в таблице составов халькогенидного стекла твердое состояние сохраняется до температуры 430-450°С.

Компоненты стекла, взвешенные в указанных количествах, помещают в емкость, из которой удаляют воздух, и запаивают. Варку стекла проводят в электропечи при 1200°С.

Источники информации

1. Аппен А.А. Химия стекла. - Л.: Химия 1974, - с.57.

2. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Технический результат - повышение термической устойчивости стекла. Халькогенидное стекло содержит, мас.%: GeS₂ 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0; SnS₂ 7,0-10,0. 1 табл.

Халькогенидное стекло, содержащее GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, отличающееся тем, что дополнительно содержит SnS₂ при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS₂ 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0; SnS₂ 7,0-10,0.