СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ Российский патент 2009 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации.

Известны способы отбраковки полупроводниковых изделий, включающие измерение электрических параметров испытуемых изделий и разбраковку по ним изделий на годные и дефектные [1-3].

Известные способы предполагают проведение перед операцией измерения электрических параметров изделий их термотренировку, т.е.одновременное воздействие на испытуемые изделия высокой температурой и созданием на них определенного электрического режима.

В одном из известных способов [2] температура создается путем нагрева испытуемых изделий электрическими импульсами заданной величины и формы, подаваемыми на внутреннее омическое сопротивление изделия.

Недостатками известных способов является невозможность проведения отбраковки на ранних стадиях технологического процесса изготовления полупроводниковых изделий, т.к. проведение электротермотренировки возможно только после монтажа изделий в корпус, т.е. на конечном этапе их изготовления. При этом на сборку потенциально ненадежных, в конечном итоге отбраковываемых изделий, затрачиваются дополнительные материалы и время, что увеличивает стоимость выпускаемых изделий.

Наиболее близким способом является способ, предлагаемый в [4]. Полупроводниковые пластины после формирования на них структур полупроводниковых изделий до скрайбирования на кристаллы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, возникающих в структуре проводящих элементов изделий, создается повышенная температура. Кроме того, воздействие электромагнитного поля вызывает генерацию носителей зарядов в различных областях структуры, их накопление, интенсифицирует комбинационные процессы, вызывает протекание неуправляемых токов и т.п., что эквивалентно созданию интенсивной электрической нагрузки практически всех элементов изделия. Недостатком способа является небольшая достоверность.

Цель изобретения - повышение эффективности отбраковки полупроводниковых изделий с использованием нагрева высокочастотным полем.

Поставленная цель достигается тем, что в зависимости от типа полупроводникового изделия проводят измерение диагностических характеристик, таких как вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, ампер-шумовые характеристики, низкочастотный шум, критическое напряжение питания, обратные токи p-n переходов и др., дважды до и после воздействия высокочастотным электромагнитным полем.

Сущность изобретения: отбраковка полупроводниковых изделий, включающая измерение диагностических характеристик (вольт-амперных характеристик, вольт-фарадных характеристик, ампер-шумовых характеристик, низкочастотного шума, критического напряжения питания, обратных токов p-n переходов и др.), воздействия на полупроводниковые изделия высокочастотным электромагнитным полем, отличается тем, что измерение диагностических характеристик проводят до и сразу после воздействия высокочастотным электромагнитным полем и по их отличию до и после воздействия выявляют менее стабильные полупроводниковые изделия.

Частоту электромагнитного поля выбирают в пределах 10⁴-10⁶ Гц. Для интегральных схем с целью обеспечения более равномерного нагрева всех элементов целесообразно подвергать изделия воздействию нескольких частот одновременно. Параметры высокочастотной обработки изделий (частоту, мощность электромагнитных колебаний продолжительность выдержки изделий) определяют экспериментально на контрольной партии изделий.

Источники информации

1. Интегральные схемы. Основы проектирования и технология. Пер. с англ. Под ред. К.И.Мартюшова. М., Сов. Радио, 1970, с.119, 131-134.

2. Авторское свидетельство СССР №286313, кл. G01R 31/26, 1970.

3. Чернышев А.А. и др. Отбраковочные испытания полупроводниковых приборов и ИС. "Зарубежная электронная техника", вып.7 (153), М., ЦНИИ "Электроника" 1977, с. 15-21.

4. Авторское свидетельство СССР №871104, кл. G01R 31/26, 1981.

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации. Сущность изобретения: отбраковка полупроводниковых изделий, включающая измерение диагностических характеристик (вольт-амперных характеристик, вольт-фарадных характеристик, ампер-шумовых характеристик, низкочастотного шума, критического напряжения питания, обратных токов p-n переходов и др.), воздействия на полупроводниковые изделия высокочастотным электромагнитным полем, отличается тем, что измерение диагностических характеристик проводят до и сразу после воздействия высокочастотным электромагнитным полем и по их отличию до и после воздействия выявляют менее стабильные полупроводниковые изделия.

Способ отбраковки полупроводниковых изделий, включающий измерение диагностических характеристик (вольт-амперных характеристик, вольт-фарадных характеристик, ампер-шумовых характеристик, низкочастотного шума, критического напряжение питания, обратных токов p-n переходов и др.), воздействия на полупроводниковые изделия высокочастотным электромагнитным полем, отличающийся тем, что измерение диагностических характеристик производят до и сразу после воздействия высокочастотным электромагнитным полем и по их отличию до и после воздействия выявляют менее стабильные полупроводниковые изделия.