СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Российский патент 2005 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

Описание патента на изобретение RU2253168C1

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области испытаний и контроля полупроводниковых приборов (ПП (диодов и транзисторов)), и может быть использовано для их разбраковки по потенциальной надежности, а также для повышения достоверности других способов разбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ разбраковки ПП с использованием различных внешних воздействий (повышенной и пониженной температуры, электрических нагрузок и т.п.), основанных на нагреве, охлаждении объекта испытаний, пропусканием электрического тока, с последующим измерением параметров [1].

Наиболее близким аналогом является способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных микросхем (ИС) на биполярных структурах с помощью интегральной вольт-амперной характеристики [2]. Недостатком способа является то, что он позволяет отбраковывать ИС и биполярные транзисторы со скрытыми дефектами структур только из-за загрязнения поверхности кристалла изделия.

Изобретение направлено на увеличение достоверности разбраковки ПП и расширение функциональных возможностей без внесения неконтролируемых дефектов.

Это достигается тем, что на представительной выборке из партии ПП, которую необходимо разделить по надежности на две группы, измеряют ампер-шумовые характеристики, при малых значениях тока (например, до 1 мА) и по максимальному разбросу ампер-шумовых характеристик для измеренных приборов определяют значение тока, при котором разброс шум-фактора будет наибольшим, и находят среднее значение шум-фактора на этом токе .

Далее, измерив шум-фактор каждого прибора на найденном значении тока U2ш, по критериям U2ш ≥ U2ш.cp, и U2ш<U2ш.cp, партию разделяют соответственно на менее надежные и надежные приборы.

Так как шум типа l/f при малых значениях тока перехода эмиттер-коллектор создает флуктуации концентрации зарядов на поверхности, флуктуации скорости поверхностной рекомбинации в области эмиттерного перехода и флуктуации поверхностной утечки по периметру коллекторного перехода [3], то, очевидно, применение ампер-шумовой характеристики дает более объективные результаты по разбраковке ПП по надежности, чем ВАХ.

Критерий отбраковки потенциально-ненадежных ПП находят следующим образом: из партии годных, т.е. соответствующих техническим условиям (ТУ) ПП, подлежащих разбраковке, отбирают представительную выборку приборов и для каждого прибора из выборки измеряют значение шум-фактора при различных значениях тока (до 1 мА, например 0.05, 0.1, 0.5, 1 мА), строят ампер-шумовые характеристики для максимального (как худшего) случая и минимального (наилучшего) случая. По ампер-шумовым зависимостям определяют значение тока, при котором расхождение между характеристиками для максимального и минимального случаев было бы наибольшим. Для этого значения тока находят среднее значение шум-фактора на приборах выборки. Затем на всех приборах партии измеряется шум-фактор на найденном значении тока. Приборы партии, имеющие при данном токе значение шум-фактора больше найденного среднего значения, относятся к первой группе - менее надежных приборов. Приборы со значением шум-фактора менее среднего значения относят ко второй группе - более надежных приборов.

Предлагаемый способ разбраковки был опробован на транзисторах КТ3102. Из партии транзисторов объемом более 500 штук, полностью соответствующих ТУ, было методом случайной выборки отобрано 20 транзисторов, на которых измерено значение шум-фактора при токах эмиттера, равных 0.05, 0.1, 0.5, 1 мА. Наихудшее значение шум-фактора наблюдалось у транзистора N9, наилучшее у транзистора N4. Построены ампер-шумовые характеристики для транзисторов N9, N4 (см. чертеж). Видно, что при токе 0.5 мА разность значений шум-фактора (Δ) у транзисторов наибольшая.

Для этого значения тока (0.5 мА) подсчитано среднее значение шум-фактора по данным 20 транзисторов. Оно равно 12.7 мВ2. Тогда те транзисторы, у которых относят к первой группе, т.е. менее надежных транзисторов. Транзисторы со значением на токе 0.5 мА менее значения 12.7 мВ2 относят ко второй группе, т.е. более надежных транзисторов.

Для подтверждения данного положения транзисторы 1 и 2-й групп были подвергнуты термотренировке в течение 100 ч при температуре 120±5°С. До и после испытаний проверялись обратные токи эмиттера и коллектора. Хотя значения обратных токов у транзисторов обеих групп не вышли за нормы технических условий, обратные токи транзисторов 1-й группы выросли в среднем в 3 раза по сравнению с начальными значениями, а у транзисторов 2-й группы не более чем в 1.1 раза.

Источники информации

1. Авторское свидетельство СССР № 438947, G 01 г 31/26, опубликовано 1972 г.

2. РД 110682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров. 1989. С.33-36.

3. Горлов М.И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. - Минск: "Интеграл", 1997. - 390 с.

Похожие патенты RU2253168C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2005
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Жарких Александр Петрович
  • Шишкин Игорь Алексеевич
RU2309417C2
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2003
  • Горлов М.И.
  • Емельянов В.А.
  • Жарких А.П.
RU2251759C1
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ НА ПЛАСТИНЕ 2006
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Жарких Александр Петрович
RU2316013C1
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ 2005
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Емельянов Антон Викторович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
  • Сегал Юрий Ефимович
RU2289144C2
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 2005
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Рубцевич Иван Иванович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
RU2278392C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО АМПЕР- ШУМОВЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ 2004
  • Горлов М.И.
  • Жарких А.П.
  • Смирнов Д.Ю.
RU2263326C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2003
  • Горлов М.И.
  • Жарких А.П.
  • Емельянов В.А.
RU2234163C1
Способ отбраковки шумовых лавинно-пролетных диодов 1982
  • Лошицкий Павел Павлович
  • Щербина Людмила Викторовна
  • Торчинская Татьяна Викторовна
SU1100586A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНОЙ ПО ПАРАМЕТРАМ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ГРУППЫ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ 2018
  • Романов Александр Аркадьевич
  • Дубовик Анатолий Яковлевич
  • Метлов Валерий Анастасович
  • Миронов Владимир Петрович
  • Чистилин Андрей Андреевич
RU2708815C1
СПОСОБ ОТБОРА ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПО СТОЙКОСТИ ИЛИ НАДЕЖНОСТИ 1999
  • Васильева З.Ф.
  • Коскин В.В.
  • Лукица И.Г.
  • Лысов В.Б.
  • Малинин В.Г.
  • Матвеева Л.А.
RU2168735C2

Реферат патента 2005 года СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Использование: в микроэлектронике, в области испытаний и контроля полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на испытуемой выборке полупроводниковых приборов измеряют шум-фактор на значениях тока до 1 мА, строят ампер-шумовые характеристики для максимальных и минимальных значений, определяют значение тока, при котором разброс ампер-шумовых характеристик наибольший, подсчитывают среднее значение шум-фактора для данных значений тока. По величинам отклонения шум-фактора каждого прибора от среднего значения при данном токе производят разбраковку партии приборов по надежности. Техническим результатом изобретения является увеличение достоверности разбраковки полупроводниковых приборов и расширение функциональных возможностей без внесения неконтролируемых дефектов. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 253 168 C1

Способ разбраковки полупроводниковых приборов, в соответствии с которым у полупроводниковых приборов измеряют шум-фактор, отличающийся тем, что шум-фактор измеряют при значениях тока, устанавливаемого на представительной выборке приборов по максимальному значению разброса ампер-шумовых характеристик, снятых при значениях тока до 1 мА, и по сравнению измеренного шум-фактора каждого прибора со средним значением шум-фактора, определенном на приборах выборки, партию приборов разделяют на менее надежные и надежные.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2005 года RU2253168C1

Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов 1971
  • Денисюк Владимир Антонович
  • Копыл Георгий Филиппович
SU490047A1
Способ разбраковки полупроводниковых приборов и микросхем 1990
  • Кавешников Евгений Александрович
  • Малков Яков Вениаминович
  • Архипов Иван Петрович
  • Ермолаев Георгий Михайлович
  • Знаменская Татьяна Дмитриевна
  • Кумиров Владимир Васильевич
SU1714541A1
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 1991
  • Соловьев И.И.
  • Скрипник Ю.А.
  • Коваленко О.В.
RU2010004C1
US 6184048 B1, 06.02.2001
DE 4325320 A1, 21.04.1994.

RU 2 253 168 C1

Авторы

Горлов М.И.

Емельянов В.А.

Жарких А.П.

Даты

2005-05-27Публикация

2003-10-27Подача